张力元
- 作品数：29 被引量：29H指数：3
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 一种非晶硅薄膜的低温快速晶化方法
- 本发明涉及一种多晶硅薄膜低温快速晶化方法。以单晶硅Si（100晶相）为衬底，利用磁控溅射镀膜仪在单晶硅衬底上溅射一层非晶硅（α-Si）薄膜和Al膜，利用光热退火炉在N<Sub>2</Sub>气氛下150℃~200℃退火，...
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- 文献传递
- 非晶硅薄膜的制备及晶化研究被引量：2
- 2013年
- 采用磁控溅射技术首先在玻璃基片、单晶硅片上溅射非晶硅薄膜再在其表面溅射铝膜,并用快速退火炉在不同温度下进行退火。利用台阶仪、拉曼散射光谱(Raman)仪和X射线衍射(XRD)仪对薄膜进行性能表征。结果表明:在功率120W,气压1.5～2.5pa,时间为3.5～4.5h的条件下可制备得非晶硅薄膜,Al诱导能降低晶化温度,并在500～600℃间存在一最佳晶化温度。
- 段良飞张力元杨培志化麒麟邓双廖华
- 关键词：非晶硅薄膜磁控溅射铝诱导晶化多晶硅
- 周期性梯度富硅SiN_x薄膜的微结构与发光特性被引量：1
- 2014年
- 采用磁控共溅射结合快速光热退火技术在单晶硅和石英衬底上制备了含硅量子点的周期性梯度富硅SiNx薄膜(梯度薄膜)和单层富硅SiNx薄膜(单层薄膜)。采用Raman光谱、掠入射X射线衍射(GIXRD)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶变换红外(FTIR)光谱和光致发光(PL)光谱分析了薄膜的结构特性、键合特性和发光特性。Raman光谱、GIXRD和TEM结果表明,梯度薄膜和单层薄膜中的硅量子点晶化率分别为41.7%和39.2%;梯度薄膜的硅量子点密度是单层薄膜的5.4倍。FTIR光谱结果显示两种薄膜均为富硅氮化硅薄膜,梯度薄膜的硅含量小于单层薄膜。PL光谱结果表明梯度薄膜中的辐射复合缺陷少于单层薄膜。
- 陈小波杨雯段良飞张力元杨培志
- 关键词：氮化硅薄膜光致发光
- 低温铝诱导非晶硅晶化的热力学机理研究
- 结合快速光热退火的铝诱导非晶硅晶化（AIC）因其能实现低温晶化,且结晶性能良好、晶化率可控,已成为非晶硅晶化的重要方法。其动力学过程已较为清晰,即在温度的作用下原非晶硅中的Si-Si键断裂,并通过扩散的方式进入Al膜,形...
- 张力元段良飞杨雯杨培志邓双涂晔
- 文献传递
- 磁控共溅射法沉积的硅量子点SiNx薄膜的光谱特性被引量：1
- 2015年
- 采用双极脉冲和射频磁控共溅射沉积法在不同温度的Si(100)衬底和石英衬底上制备了富硅SiNx薄膜。在氮气氛中,于1 050℃下采用快速光热退火热处理,获得了包含硅量子点的SiNx薄膜。采用Fourier变换红外光谱、Raman光谱、掠入射X射线衍射和光致发光光谱对退火后的薄膜样品进行了表征。结果显示:Fourier变换红外光谱中出现了富硅Si—N键,表明薄膜为富硅SiNx薄膜;当衬底温度不低于200℃时,薄膜样品的拉曼光谱中出现了硅纳米晶的Si—Si振动横光学模,掠入射X射线衍射中出现了明显的Si(111)和Si(311)的衍射峰,证实了硅量子点的形成;发现存在一最佳衬底温度(300℃),该条件下获得的硅量子点的数量和晶化率最高;衬底温度为300和400℃的样品的光致发光光谱中均有3个可见荧光峰,结合拉曼光谱结果,用纳米晶硅的量子限域效应和辐射复合缺陷态对荧光峰进行了合理解释;由光致发光光谱计算出的衬底温度为300和400℃的样品的硅量子点平均尺寸分别为3.5和3.4nm。这些结果有助于优化含硅量子点的SiNx薄膜的制备参数,在硅基光电子器件的应用方面有重要意义。
- 陈小波杨雯段良飞张力元杨培志宋肇宁
- 关键词：磁控溅射光致发光
- 一种氧化镍空穴传输层反式钙钛矿太阳电池及其制备方法
- 本申请涉及太阳电池技术领域，具体涉及一种氧化镍空穴传输层反式钙钛矿太阳电池及其制备方法。该氧化镍空穴传输层反式钙钛矿太阳电池包括由下而上依次设置的透明导电氧化物层、空穴传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层、金属电极层。空穴传...
- 杨雯杨培志杨启鸣张力元张云博王琴孟广昊
- 磁控共溅射低温制备多晶硅薄膜及其特性研究被引量：1
- 2016年
- 多晶硅在光电子器件领域具有较为重要的用途。利用磁控溅射镀膜系统,通过共溅射技术在玻璃衬底上制备了非晶硅铝(α-Si/Al)复合膜,将Al原子团包覆在α-Si基质中,膜中的Al含量可通过Al和Si的溅射功率比来调节。复合膜于N2气氛中进行350℃,10min快速退火处理,制备出了多晶硅薄膜。利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪和紫外-可见光-近红外分光光度计对多晶硅薄膜的性能进行表征,研究了Al含量对多晶硅薄膜性能的影响。结果表明:共溅射法制备的α-Si/Al复合膜在低温光热退火下晶化为晶粒分布均匀的多晶硅薄膜;随着膜中Al含量逐渐增加,多晶硅薄膜的晶化率、晶粒尺寸逐渐增加,带隙则逐渐降低;Al/Si溅射功率比为0.1时可获得纳米晶硅薄膜,Al/Si溅射功率比为0.3时得到晶化率较高的多晶硅薄膜,通过Al含量的调节可实现多晶硅薄膜的晶化率、晶粒尺寸及带隙的可控。
- 段良飞杨雯张力元李学铭陈小波杨培志
- 关键词：铝诱导晶化低温退火多晶硅
- 一种增强电荷传输的三端叠层太阳电池
- 本申请涉及太阳电池领域，具体提供了一种增强电荷传输的三端叠层太阳电池，该电池包括第一电池和第二电池，第二电池设置于第一电池的上侧，第一电池固定设置于基底上，第二电池由上到下依次包括第三电极、第二空穴传输层、第二钙钛矿吸收...
- 杨培志杨雯袁岳杨启明张力元李佳保
- 磁控溅射制备非晶硅薄膜的均匀性及光学吸收特性研究被引量：1
- 2014年
- 利用射频磁控溅射镀膜技术,采用不同的衬底温度及射频功率在玻璃衬底上制备了非晶硅薄膜;利用X射线衍射仪、拉曼(Raman)散射仪、台阶仪、紫外-可见光-近红外分光光度计及SPSS统计分析方法研究了衬底温度及射频功率对薄膜均匀性及其光学吸收特性的影响。结果表明:衬底温度从150℃增加到200℃,薄膜的生长速率加快、均匀性降低、光学吸收强度增加,从200℃再增加到250℃,薄膜的生长速率降低、均匀性下降、光学吸收强度减弱;射频功率从90 W增加到100 W,薄膜的生长速率加快、均匀性增加、光学吸收强度增加,从100 W再增加到110 W,则薄膜的生长速率降低,均匀性降低、光学吸收强度降低;获得了优化的非晶硅薄膜的制备工艺:射频功率100 W,衬底温度200℃。
- 段良飞杨雯杨培志张力元涂晔李学铭
- 关键词：射频磁控溅射非晶硅薄膜均匀性光学吸收
- 衬底及其温度对铝诱导非晶硅薄膜晶化的影响
- 2015年
- 利用磁控溅射镀膜技术,采用不同温度在玻璃、单晶硅衬底上溅射α-Si/Al膜,并在N_2气氛中进行快速光热退火;利用X射线衍射(XRD)仪和拉曼散射光谱仪对薄膜样品进行表征分析。结果表明:单晶硅衬底有利于α-Si/Al膜的晶化;衬底温度从室温到200℃之间逐渐升高,薄膜的晶粒尺寸及晶化率增加;随着温度进一步升高,薄膜的晶粒尺寸及晶化率又降低。单晶硅衬底上200℃时α-Si/Al膜可直接晶化。通过计算,得出衬底参数对薄膜的晶相比、晶粒尺寸、带隙及界面体积分数的调制关系。
- 段良飞张力元杨培志化麒麟邓双彭柳军
- 关键词：衬底非晶硅退火晶化
