闫勇
- 作品数：9 被引量：37H指数：4
- 供职机构：西南交通大学材料科学与工程学院材料先进技术教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金International Foundation for Science更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术动力工程及工程热物理更多>>
- CIGS电池、靶材及单靶溅射工艺研究进展
- 2016年
- 综述了蒸发法、溅射后硒化法、单靶直接溅射法制备CIGS光吸收层的工艺和电池性能,比较了它们的优缺点;详细介绍了粉末冶金参数(如烧结温度、压力、时间)对制备CIGS靶材致密度、成分均匀性的影响;着重阐述了单靶溅射工艺参数(如衬底温度、溅射功率、工作气压)对沉积的CIGS薄膜的相结构、形貌、光学及电学性能的影响。
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- 关键词：粉末冶金光电性能
- 工作气压对室温磁控溅射CIGS膜的影响被引量：1
- 2013年
- 研究了工作气压对磁控溅射法制备CIGS薄膜的影响,采用X射线衍射,扫描电镜,X射线萤光光谱和X射线能量色散谱分析了膜层的组织和成分。研究发现,工作气压升高,薄膜沉积速率降低。当工作气压低于0.2 Pa时,薄膜致密均一;高于0.2 Pa表面出现Cu2-xSe相,并随气压升高在膜表面的覆盖面积增大。对气压影响薄膜表面形貌的机理采用成膜动力学理论进行了讨论。
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- 关键词：工作气压表面形貌
- 直流溅射工艺参数对Mo薄膜结构及电性能的影响被引量：5
- 2012年
- 采用直流磁控溅射法在SLG衬底上沉积Mo薄膜,对不同溅射功率和溅射工作气压下沉积的薄膜进行X射线衍射、SEM(扫描电子显微镜)、电阻率测试,讨论了工艺参数对沉积Mo薄膜相结构、表面微观形貌、薄膜沉积速率和电学性能的影响。结果表明,随着溅射功率的增加,薄膜的结晶性能变好,沉积速率提高,在沉积功率范围内薄膜均匀致密,表面无空隙,电阻率较低;随着溅射工作气压增加,薄膜结晶性能变差,沉积速率先增加后降低,在沉积工作气压范围内,薄膜致密;随气压降低,电阻率急剧减小。因此,较高的溅射功率和较低的工作气压沉积的Mo薄膜更适合作CIGS薄膜太阳电池的BC层(背接触层)。
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- 关键词：MO薄膜直流磁控溅射电阻率
- 溅射时间对Mo薄膜结晶取向的影响被引量：4
- 2013年
- 采用直流磁控溅射法在SLG衬底上沉积Mo薄膜,并用XRD、SEM、四探针等对薄膜进行表征,研究了沉积时间对薄膜晶体结构、表面形貌以及电学性能的影响。研究发现,沉积时间能够调节Mo薄膜的择优取向。溅射时间较短(5～10min)时,沉积的Mo薄膜呈(110)择优取向。溅射时间超过15min后,薄膜呈现(211)取向,且(211)晶面择优程度随沉积时间的增加而提高。随着择优取向的改变,薄膜的表面形貌由三角形颗粒变为长条形颗粒,电阻率也发生相应变化,由3.92×10-5Ω·cm增加到4.27×10-5Ω·cm再降低,对应薄膜生长的晶带模型由晶带T型组织变为晶带2组织。
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- 关键词：直流磁控溅射电性能
- 非晶CIGS前驱膜无硒退火的相变历程
- 2012年
- 采用一步射频磁控溅射法在室温获得了CIGS薄膜,研究了不同的真空无硒退火温度(150～350℃)对CIGS薄膜相变历程的影响。薄膜相变历程中的结构和性能采用XRD、SEM、EDS、紫外-可见光吸收和四探针等测试手段进行测试表征。结果表明,室温下制备的CIGS薄膜为非晶态,随退火温度升高发生非晶CIGS→CuSe→CIGS的相变。150℃退火形成的CuSe薄膜的电阻率最低,光透过性能最差。退火温度超过200℃便生成CIGS相,CIGS相的结晶质量随退火温度升高而改善,薄膜的电阻率和光透过率也随退火温度的提高而增加。
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- 关键词：退火温度射频磁控溅射CIGS薄膜
- 溅射功率对In_2S_3薄膜结构及其性能的影响
- 2016年
- 采用磁控溅射法,在玻璃基底上一步沉积In_2S_3薄膜。研究了溅射功率对In_2S_3薄膜的成分、结构、表面形貌和光电性能的影响。结果表明:所制备的所有薄膜均为β-In_2S_3,无杂相存在,且具有(222)面择优生长特性。溅射功率对薄膜的成分、厚度和结晶度具有明显的影响,并因此影响薄膜的光学和电学性能。薄膜在100W沉积时最接近化学计量比,薄膜的透过率随着溅射功率增大在500nm波段附近显著提高,禁带宽度达到2.45eV,同时电流密度增大两个数量级。
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- 关键词：磁控溅射溅射功率透过率
- AZO薄膜制备工艺及其性能研究被引量：21
- 2012年
- 综述了掺铝氧化锌(AZO)薄膜制备方法与光电特性,重点阐述了磁控溅射法制备工艺参数如衬底温度、溅射功率、气体压强、溅射时间、衬底和靶间距、负偏压等对AZO薄膜结构、光电性能的影响,并指出目前AZO薄膜的研究关键以及所面临的挑战,展望了未来的研究方向。
- 黄稳余洲张勇刘连黄涛闫勇赵勇
- 关键词：AZO结构特性光电特性
- 双层Mo薄膜的制备工艺与性能被引量：1
- 2013年
- 利用直流磁控溅射法在普通钠钙玻璃(SLG)衬底上沉积双层Mo薄膜,对不同条件下沉积的薄膜通过X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、四探针电阻仪等对其相结构、表面形貌以及电性能进行测试。结果表明:双层Mo薄膜呈体心立方结构;由于非晶玻璃基底的影响以及沉积时间较短,缓冲层结晶质量差,薄膜表面粗糙,有空洞、裂纹,电阻率大,随温度的升高电阻率减小,薄膜表现出半导体的特性。随着顶层薄膜(溅射工作气压0.1 Pa)沉积时间的增加,薄膜厚度增加,结晶性能变好,表面更加平整、致密,总体电阻率变小,导电性能提高,随温度的升高电阻率增大,薄膜表现出金属特性。与单层膜相比,双层膜具有更低的电阻率,且溅射时间短,厚度薄,能够降低成本,节省源材料,更符合CIGS电池背电极的需求。
- 张艳霞闫勇李莎莎黄涛刘连张勇赵勇余洲
- 关键词：MO薄膜磁控溅射双层膜导电机制
- 射频溅射工艺参数对AZO薄膜结构和性能的影响被引量：5
- 2012年
- 采用射频磁控溅射法制备了掺铝氧化锌(AZO)薄膜,研究了衬底温度及溅射工作压强对沉积薄膜的晶体结构、表面形貌及电学性能的影响。结果显示,随衬底温度增加,薄膜的结晶结构发生显著变化,而溅射工作气压增加主要影响沉积薄膜(103)面与(002)面的相对强度。薄膜的表面形貌受温度影响严重,而气压对形貌的影响相对较小。衬底温度增加,薄膜的电阻率急剧降低,迁移率和载流子浓度都显著增加,而工作气压增加则导致电阻率先减小后增大。
- 黄稳余洲刘连张勇黄涛闫勇赵勇
- 关键词：AZO薄膜晶体结构电学性能
