高昕昕
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
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- 等离子体源离子注入半圆碗状球内壁离子能量和角度分布
- 2008年
- 在等离子体源离子注入(PSII)技术中,被加工材料表明形状的弯曲使附近鞘层中电场结构出现聚焦效应,从而引起离子束流和离子注入剂量在材料表明上分布非常不均匀.在半圆容器表面情况下,这种情况尤为明显.利用MonteCarlo方法,考察了有共心附加零电位电极时半圆容器内底中央部位Ar+注入能量和角度分布及真空室中气压参数的影响.通过在不同半径的鞘层边界上随机抽取与半径成正比的离子数量,计算了注入到内底表面的所有离子能量分布和角度分布.在模型中,通过考虑两种主要碰撞过程:电荷交换碰撞和弹性碰撞.对不同工作气压下的离子注入进行了考察.随着中性气体压力的增加,离子在穿越鞘层的过程中与中性粒子经历比较频繁的碰撞.这些碰撞一方面使离子失去能量,另一方面也使离子改变运动方向,导致注入的低能离子和不垂直于表面入射的离子增多.
- 刘成森吴雪飞高昕昕
- 关键词：MONTECARLO模拟
- 大气压射频Ar/SiH<,4>/H<,2>辉光放电数值模拟
- 低温等离子体可应用于科学技术和工业的许多领域，目前所用的低温等离子体大部分都是由低气压辉光放电产生的，需要庞大而复杂的真空系统和相应设备，在大气压下产生低温等离子体一直是人们追求的目标。随着研究的不断深入，大气压等离子体...
- 高昕昕
- 关键词：辉光放电数值模拟低温等离子体流体模型
- 文献传递
