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余学超

作品数:6 被引量:12H指数:2
供职机构:武汉工程大学更多>>
发文基金:湖北省高等学校优秀中青年科技创新团队计划项目国家自然科学基金教育部重点实验室开放基金更多>>
相关领域:金属学及工艺化学工程理学电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 2篇化学工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇金刚石膜
  • 2篇等离子体
  • 2篇等离子体辅助
  • 2篇硬质合金
  • 2篇微波等离子体
  • 2篇金刚石
  • 2篇金刚石薄膜
  • 2篇刻蚀
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 2篇刚石
  • 2篇CVD金刚石...
  • 1篇刀具
  • 1篇刀片
  • 1篇等离子体处理
  • 1篇等离子体化学...
  • 1篇电极
  • 1篇氧等离子体处...
  • 1篇硬质
  • 1篇硬质合金表面

机构

  • 6篇武汉工程大学
  • 3篇江汉大学
  • 1篇湖北省等离子...

作者

  • 6篇汪建华
  • 6篇余学超
  • 5篇满卫东
  • 5篇孙蕾
  • 5篇谢鹏
  • 3篇吴宇琼
  • 1篇邢文娟
  • 1篇王传新
  • 1篇陈朋
  • 1篇皮华滨

传媒

  • 2篇金刚石与磨料...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇硬质合金
  • 1篇微细加工技术

年份

  • 1篇2009
  • 5篇2008
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
甲烷浓度对批量生产金刚石涂层刀片的影响被引量:7
2008年
采用微波等离子体CVD(MWCVD)法小批量地生产了金刚石涂层刀片,在金刚石薄膜沉积的过程中,研究了碳源浓度对沉积金刚石膜的均匀性的影响。用扫描电子显微镜(SEM)和激光拉曼光谱(Raman)对薄膜的表面形貌和质量进行了表征。结果表明较低的低甲烷浓度适合金刚石涂层刀片的批量生产。
满卫东谢鹏汪建华孙蕾余学超
关键词:金刚石涂层硬质合金刀片微波等离子体化学气相沉积
CVD金刚石膜表面图形化加工技术的研究
2008年
首先用CVD法制备金刚石厚膜,接着在其表面利用氢等离子体辅助刻蚀,然后在铁薄膜的催石墨化作用下,对金刚石膜的表面进行了选择性的刻蚀。结果表明,在氢等离子体的辅助作用下,铁薄膜可以持续对CVD金刚石膜进行刻蚀;如果控制铁薄膜的形状和厚度,可以实现对CVD金刚石膜表面较精确的图形化刻蚀。该技术有望成为一种新的刻蚀金刚石膜的方法。
满卫东孙蕾吴宇琼谢鹏余学超汪建华
关键词:金刚石膜刻蚀等离子体
高比表面金刚石电极的制备方法
本发明属于金刚石电极制备领域。高比表面金刚石电极的制备方法,其特征在于它包括如下步骤:1)金属电极的清洗;2)导电金刚石膜的制备;3)在导电的金刚石膜表面制备固体刻蚀材料;4)等离子体辅助固体接触法腐蚀金刚石膜表面;5)...
满卫东汪建华谢鹏孙蕾陈朋余学超
文献传递
氧等离子体处理硬质合金表面对金刚石薄膜附着性能的影响
2008年
本文采用微波氧等离子体刻蚀硬质合金基体表面,再利用热的浓碱溶液清除硬质合金表面所形成的氧化物,通过扫描电镜(SEM)观察了试样表面情况,并通过X射线能谱(EDAX)分析了硬质合金表面各成分变化情况。经过预处理的试样采用热丝化学气相沉积(HFCVD)金刚石薄膜,对所沉积出的金刚石薄膜采用SEM观察及压痕测试,发现经过氧等离子体处理的金刚石刀具较两步酸蚀法处理过的金刚石薄膜涂层,其附着性能有较大提高。
邢文娟汪建华王传新皮华滨余学超
关键词:金刚石薄膜硬质合金刀具
微波CVD金刚石薄膜用作LED散热片的制备被引量:4
2008年
由于金刚石具有室温下最高的热导率,因此用化学气相沉积(CVD)制备的金刚石膜是大功率发光二极管(LED)理想的散热材料。本文利用微波等离子体CVD研究了不同沉积工艺下金刚石薄膜的生长。用扫描电子显微镜(SEM)和拉曼光谱对得到的金刚石薄膜进行了表征,并将金刚石薄膜用作LED散热片的散热效果进行了检测。结果表明:在硅衬底上沉积20-30μm的CVD金刚石薄膜可以有效地降低LED的工作温度;在相同的制备成本下,提高薄膜的厚度(甲烷浓度4%)比提高薄膜的质量(甲烷浓度2%)更有利于提高LED的散热效果。本研究表明微波等离子体CVD制备的金刚石薄膜是大功率LED的理想散热衬底材料。
满卫东孙蕾吴宇琼谢鹏余学超汪建华
关键词:微波等离子体化学气相沉积金刚石膜散热片LED
图形化CVD金刚石膜的新方法——等离子体辅助固体刻蚀法被引量:1
2008年
金刚石膜是一种具有巨大应用潜力的新型功能材料,但是它极高的硬度和化学稳定性使其难以被加工成型,因此如何对金刚石膜表面进行精确的图形化加工是实现制造金刚石器件的关键技术问题之一。在本研究中,我们用微波等离子体化学气相沉积法制备的金刚石厚膜,在其表面利用氢等离子体辅助刻蚀、铁薄膜的催石墨化作用下,对金刚石膜的形核面进行了选择性的刻蚀。结果表明,该方法具有较高的刻蚀速率(850℃,33.8μm/h),较高的刻蚀选择比,可以对CVD金刚石膜进行较精确的图形化刻蚀,还可通过调节铁薄膜的厚度来实现刻蚀深度的控制。对氢等离子体在整个过程中的作用进行了阐述。
满卫东孙蕾吴宇琼谢鹏余学超汪建华
关键词:金刚石膜刻蚀等离子体
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