石彪
- 作品数：7 被引量：10H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院知识创新工程重要方向项目上海市科学技术委员会资助项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程理学更多>>
- 碳化硅化学气相外延载物台装置
- 本发明涉及化学气相沉积领域，具体涉及一种碳化硅化学气相外延载物台装置，该装置是分体式载物台装置，包括船型石英舟、石英托垫和石墨板。其中，船型石英舟前端为倾斜面，该倾斜面后为下凹平台面；石英托垫放置于石英舟下凹平台面上；石...
- 朱明星石彪陈义刘学超杨建华施尔畏
- 文献传递
- 碳化温度对异质外延3C-SiC薄膜结晶质量及表面形貌的影响被引量：2
- 2013年
- 本文以Si(100)为衬底,利用水平式常压冷壁化学气相沉积(APCVD)系统在不同温度(1100～1250℃)下制备的"缓冲层"上生长了3C-SiC薄膜。结果表明,薄膜为外延生长的单一3C-SiC多型,薄膜表面呈现"镶嵌"结构特征,Si/3C-SiC界面平整无孔洞。碳化温度对薄膜的结晶质量和表面粗糙度有显著的影响,当碳化温度低于或高于1200℃时,薄膜的结晶质量有所降低,且随着碳化温度的升高,薄膜表面粗糙度呈现增大的趋势。当在1200℃下制备的"缓冲层"上生长薄膜时,可以获得最优质量的3C-SiC外延膜,其(200)晶面摇摆曲线半峰宽约为0.34°,表面粗糙度约为5.2 nm。
- 石彪刘学超周仁伟杨建华郑燕青施尔畏
- 关键词：3C-SIC碳化缓冲层
- 碳化温度对异质外延3C-SiC 薄膜结晶质量及表面形貌的影响
- -SiC 优异的物理和化学性能使其在高温、高频、高压、大功率等领域具有广泛的应用前景[1].由于生长3C-SiC 体单晶较为困难,目前主要采用化学气相沉积法(CVD)在硅(Si)衬底上异质外延3C-SiC.在外延3C-S...
- 石彪刘学超周仁伟杨建华施尔畏
- 单晶硅衬底异质外延3C-SiC薄膜研究进展被引量：7
- 2011年
- 3C-SiC薄膜的外延生长一直是SiC材料制备领域的一个热点,单晶Si衬底异质外延3C-SiC是实现大尺寸、低成本薄膜的有效方法,备受人们关注。单晶Si与3C-SiC之间存在较大的晶格失配(20%)和热膨胀系数差异(8%),严重制约着高质量单晶薄膜的制备。本文对单晶Si衬底异质外延3C-SiC薄膜的基本原理和工艺过程进行了总结,着重介绍了薄膜生长中的缺陷和可控掺杂方面的研究进展以及面临的挑战,并对今后的研究热点做了归纳展望。
- 石彪朱明星陈义刘学超杨建华施尔畏
- 关键词：3C-SIC化学气相沉积
- 低偏角6H-SiC 同质外延生长研究
- 硅(SiC)晶体具有宽禁宽度大、击穿场强高、热导率高、耐辐射、抗腐蚀等优异的特性,是制造大功率、高频、耐高温器件的优选材料[1].同质外延生长是实现SiC 基元器件的关键制成技术之一,目前偏角(3.5°、4&#...
- 刘学超石彪熊泽卓世异忻隽孔海宽杨建华施尔畏
- 碳化硅化学气相外延载物台装置
- 本发明涉及化学气相沉积领域，具体涉及一种碳化硅化学气相外延载物台装置，该装置是分体式载物台装置，包括船型石英舟、石英托垫和石墨板。其中，船型石英舟前端为倾斜面，该倾斜面后为下凹平台面；石英托垫放置于石英舟下凹平台面上；石...
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- 文献传递
- 4H-SiC高速同质外延研究被引量：1
- 2012年
- 研究了生长温度为1400℃时4H-SiC同质外延膜的生长速率、表面形貌及缺陷.拉曼表征并结合KOH腐蚀表明外延膜中未出现3C-SiC多晶,为单一的4H-SiC晶型.通过KOH腐蚀发现,低生长速率和高C/Si比有利于衬底表面的基平面位错(BPDs)转变成露头刃位错(TEDs).在高生长速率下,外延膜的表面三角形缺陷和位错密度会显著增加.通过引入界面层,可以实现生长初期的平滑过渡,极大地降低高生长速率下外延膜的缺陷密度.
- 朱明星石彪陈义刘学超施尔畏
- 关键词：碳化硅
