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许春玉

作品数:3 被引量:6H指数:1
供职机构:曲阜师范大学物理工程学院激光研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金山东省博士后创新项目国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇光学
  • 2篇应力
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇发光
  • 2篇薄膜光学
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇氧化锌
  • 1篇损伤阈值
  • 1篇退火
  • 1篇偏振
  • 1篇偏振方向
  • 1篇脉冲激光
  • 1篇脉冲激光沉积
  • 1篇激光
  • 1篇激光光学
  • 1篇激光诱导
  • 1篇光性质
  • 1篇发光性

机构

  • 3篇曲阜师范大学

作者

  • 3篇许春玉
  • 2篇闫珂柱
  • 1篇韩培高
  • 1篇史萌
  • 1篇王荣新
  • 1篇高胜淼

传媒

  • 1篇量子电子学报
  • 1篇激光技术

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2014
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
退火气氛对稀土Eu^(3+)掺杂ZnO薄膜结构和发光性质的影响被引量:1
2014年
采用脉冲激光沉积(PLD)法在Si(111)衬底上制备稀土Eu^(3+)掺杂的ZnO薄膜材料,分别在纯氧和真空气氛中进行退火处理。XRD图谱中仅观察到尖锐的ZnO(002)衍射峰,表明ZnO:Eu^(3+),Li^+薄膜具有良好的c轴取向。薄膜的结构参数显示:在纯氧气氛中退火的样品具有较大的晶粒尺寸且应力较小,表明在纯氧中退火的样品具有较好的结晶质量。通过光致发光谱发现,在纯氧中退火的样品的I_(UV)/I_(DL)比值较大,说明在纯氧中退火的样品缺陷去除更充分,结晶质量更好。当用395 nm光激发样品时,仅发现Eu^(3+)位于595 nm附近的~5D_0→~7F_1磁偶极跃迁峰。并没有发现Eu^(3+)在613 nm附近的特征波长发射,表明掺杂的Eu^(3+)占据了ZnO基质反演对称中心格位。
许春玉史萌闫珂柱
关键词:薄膜光学氧化锌退火应力光致发光
ZnO及其Eu~/(3+/)掺杂薄膜的制备与性质研究
作为第三代半导体材料之一的氧化锌/(ZnO/)是Ⅱ-Ⅵ族直接宽带隙半导体,在光电学性质、抗辐照特性及能带结构等方面具有特殊性能,成为继SiC和GaN之后的研究热点。ZnO室温下禁带宽度为3.37eV,具有较高的激子结合能...
许春玉
关键词:薄膜光学脉冲激光沉积应力光致发光
文献传递
飞秒激光诱导硅材料表面周期结构的研究被引量:5
2015年
为了研究飞秒激光诱导的硅材料周期表面结构,采用了理论分析和实验验证相结合的方法,对波纹周期与入射激光波长之间关系的理论分析计算,得到了单晶硅表面波纹周期约为800nm,研究了1k Hz的飞秒脉冲(中心波长800nm,脉宽35fs)加工单晶硅引起的波纹结构。结果表明,在功率密度略大于样品损伤阈值的条件下,单晶硅表面形成了清晰的平行等间距直线周期条纹结构,测得该条纹的周期约为750nm,与所用激光中心波长接近。使用可旋转的格兰-泰勒棱镜改变入射激光的偏振方向,发现周期波纹方向随入射激光偏振方向的改变而改变,条纹方向与飞秒激光的电矢量方向垂直,并且由加工图片看出经辐照过的区域比未经辐照区域干净得多。这一结果对进一步研究激光诱导的周期性表面结构具有参考意义。
高胜淼闫珂柱韩培高许春玉王荣新
关键词:激光光学辐照单晶硅偏振方向损伤阈值
共1页<1>
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