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郑大宇

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：烟台大学光电信息科学技术学院更多>>
发文基金：山东省优秀中青年科学家科研奖励基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇激活能
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇发光
  • 2篇INGAN
  • 1篇导体
  • 1篇铟镓氮
  • 1篇光材料
  • 1篇光学
  • 1篇光致发光特性
  • 1篇发光材料
  • 1篇发光特性
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体发光材...
  • 1篇铟

机构

  • 2篇烟台大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 2篇郑大宇
  • 1篇张书明
  • 1篇王莉莉
  • 1篇孙元平
  • 1篇杨辉

传媒

  • 1篇烟台大学学报...

年份

  • 2篇2008
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
铟组分不同的InGaN材料的光致发光特性
2008年
利用光致发光谱研究了不同组分铟镓氮材料的光学特性.发现随着温度升高,2个样品的主峰表现出一种行为:半高宽度(FWHM)增加时,主峰位置红移;半高宽度减少时,主峰位置蓝移.对所得数据进行Arrhenius拟合,比较激活能得出结论:样品B中的非辐射复合中心比样品A中的易被激活;样品B中的载流子逃逸效应比样品A中更为明显.从而解释了2个样品发光效率不同的原因,为样品的改良提供了理论依据.
郑大宇孙元平王莉莉张书明杨辉
关键词：光致发光激活能
半导体发光材料的光学特性表征及分析
半导体发光材料正以飞快的速度影响着当今世界的众多领域,医学、国防及人类生活的方方面面都需要更加高质量的发光材料来满足人类的需要,所以对半导体发光材料发光特性的表征及深入分析是十分必要的。研究不仅可以发现更多半导体材料不为...
郑大宇
关键词：INGAN光致发光激活能
文献传递
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