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刘林杰

作品数：17 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金上海市自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 3篇会议论文
  • 2篇期刊文章

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 7篇离子
  • 7篇弛豫
  • 6篇退火
  • 6篇半导体
  • 6篇衬底
  • 5篇氢离子
  • 4篇单晶
  • 4篇热退火
  • 4篇离子注入
  • 4篇绝缘
  • 4篇绝缘体
  • 4篇快速热退火
  • 3篇迁移率
  • 3篇键合
  • 3篇薄层
  • 3篇超薄
  • 2篇单晶薄膜
  • 2篇导体
  • 2篇低剂量
  • 2篇智能剥离技术

机构

  • 17篇中国科学院
  • 1篇兰州大学

作者

  • 17篇陈达
  • 17篇刘林杰
  • 16篇薛忠营
  • 15篇狄增峰
  • 15篇张苗
  • 8篇姜海涛
  • 6篇卞建涛
  • 5篇母志强
  • 4篇高晓强
  • 4篇王刚
  • 3篇叶林
  • 2篇郭庆磊
  • 1篇贾晓云
  • 1篇刘肃
  • 1篇卞剑涛

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇材料导报

年份

  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 4篇2015
  • 2篇2014
  • 4篇2013
  • 1篇2012
  • 3篇2011
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种直接带隙Ge薄膜的制备方法及层叠结构
本发明提供一种直接带隙Ge薄膜的制备方法及层叠结构，所述制备方法是首先在GaAs衬底上分别外延出In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>As层和Ge层，其中，0.223﹤x≤1，并使In<Sub>x<...
张苗刘林杰狄增峰薛忠营陈达卞建涛姜海涛高晓强
文献传递
硅基低位错密度锗薄膜的RPCVD外延生长
采用减压化学气相沉积(RPCVD)设备在<001>Si衬底上外延生长了Ge薄膜材料，通过TEM、XRD、Raman和AFM等测试分析表明，Ge外延薄膜具有很好的晶体质量和0.17％的张应变，低温缓冲Ge薄层对位错密度起到...
卞剑涛薛忠营陈达刘林杰姜海涛狄增峰张苗
关键词：位错密度
一种制备半导体弛豫、应变材料并使其层转移的方法
本发明提供一种制备半导体弛豫、应变材料并使其层转移的方法，首先在Si衬底上依次外延生长中间薄层、Si外延层、及顶Si<Sub>1-x</Sub>Ge<Sub>x</Sub>层，其中Ge组分x为0﹤x≤0.5，并使Si<S...
张苗刘林杰卞建涛陈达姜海涛薛忠营狄增峰
文献传递
SiGe薄膜的RPCVD负载影响及特性研究被引量：1
2012年
利用RPCVD系统,在150mm(100)硅片衬底上了制备出高质量锗硅合金薄膜,研究了温度和锗烷流量对薄膜生长速率与合金中锗浓度的影响,并对薄膜进行了掺杂处理。分别利用高分辨透射电子显微镜、高分辨X射线衍射、原子力显微镜、二次离子质谱表征了薄膜特性。结果表明,通过克服RPCVD系统中外延层高缺陷密度、掺杂控制困难等缺点,制备出高质量的SiGe薄膜。
陈达刘林杰薛忠营刘肃贾晓云
关键词：硅锗
一种直接带隙Ge薄膜的制备方法及层叠结构
本发明提供一种直接带隙Ge薄膜的制备方法及层叠结构，所述制备方法是首先在GaAs衬底上分别外延出In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>As层和Ge层，其中，0.223﹤x≤1，并使In<Sub>x<...
张苗刘林杰狄增峰薛忠营陈达卞建涛姜海涛高晓强
文献传递
一种张应变Ge薄膜的制备方法及层叠结构
本发明提供一种张应变Ge薄膜的制备方法及层叠结构，所述制备方法首先在GaAs衬底上分别外延出In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>As层和顶层Ge薄膜，所述In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>...
张苗刘林杰狄增峰高晓强陈达薛忠营姜海涛卞建涛
文献传递
He+离子注入制备弛豫SiGe薄层的研究
对在Si衬底上利用减压化学沉积法外延生长的180nm厚的Si0.75Ge0.25进行He+离子注入和快速热退火.X射线衍射(XRD)和拉曼(Raman)测试结果表明，SiGe层中应力得到释放。原子力显微镜(AFM)结果表...
刘林杰狄增峰薛忠营陈达姜海涛叶林张苗
关键词：半导体薄膜工艺参数
基于量子阱结构来制备SGOI或sSOI的方法
本发明提供一种基于量子阱结构来制备SGOI或sSOI的方法。根据本发明的方法，先在衬底表面形成由Si<Sub>1-x</Sub>Ge<Sub>x</Sub>/Ge或Si/Si<Sub>1-x</Sub>Ge<Sub>x<...
张苗陈达刘林杰狄增峰薛忠营
文献传递
一种张应变Ge薄膜的制备方法及层叠结构
本发明提供一种张应变Ge薄膜的制备方法及层叠结构，所述制备方法首先在GaAs衬底上分别外延出In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>As层和顶层Ge薄膜，所述In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>...
张苗刘林杰狄增峰高晓强陈达薛忠营姜海涛卞建涛
文献传递
一种厚度可控的绝缘体上半导体材料的制备方法
本发明提供一种厚度可控的绝缘体上半导体材料的制备方法，包括步骤：1）于第一衬底表面外延一掺杂的单晶薄膜；2）依次外延一重掺杂单晶层及一顶层半导体材料；3）将剥离离子注入至单晶薄膜下方的第一衬底预设深度的位置；4）提供表面...
张苗陈达狄增峰薛忠营王刚刘林杰母志强叶林
文献传递
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共2页<12>
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