雷海峰
- 作品数：3 被引量：7H指数：2
- 供职机构：北京交通大学更多>>
- 发文基金：国家电网公司科技项目更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 大功率4H-SiC GTO晶闸管研究被引量：3
- 2011年
- 此处主要从SiC-GTO晶闸管设计的3个因素进行了研究,包括:击穿电压设计、两个等效晶体管共基极电流放大系数设计以及少子寿命取值设计。通过ATLAS器件仿真得到器件的击穿特性、内部电场分布及正向I-V曲线。最后通过Silvaco-TCAD提供的MixedMode混合仿真组件,对设计的SiC-GTO进行了开关特性模拟,并与5SGS 16H4500对称型Si-GTO进行了比较,结果表明,所设计的大容量SiC-GTO也比当前Si-GTO具有更高的开关速度。
- 雷海峰金锐温家良刘明光
- 关键词：晶闸管击穿电压少子寿命开关特性
- 基于碳化硅新型换流阀设计研究
- 近年来,随着基于硅材料半导体工艺和器件设计技术的不断完善,硅功率器件的发展将达到材料的理论极限值。但是,随着我国特高压直流输电工程的快速发展,输电电压等级要求越来越高,本文以±800kV/5000A直流输电工程为背景。如...
- 雷海峰
- 关键词：碳化硅晶闸管直流输电换流阀PSCAD/EMTDC
- 文献传递
- SiC肖特基二极管在升压斩波电路中的应用分析被引量：3
- 2011年
- 对碳化硅(SiC)肖特基二极管(SBD)在升压斩波电路中的应用进行了深入研究。实验中分别对普通Si二极管和SiC SBD进行了比较,结果表明,SiC二极管具有良好的动态特性,其反向恢复电流约为普通Si二极管的1/4,同时对IGBT开通时的电流过冲有很好的抑制作用。此外,对载流子寿命对二极管反向恢复的影响进行了仿真分析,结果表明,缩短少数载流子寿命能很好地抑制反向恢复电流峰值,减小反向恢复时间。
- 雷海峰温家良金锐刘明光
- 关键词：肖特基二极管碳化硅反向恢复少子寿命
