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文献类型

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领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 2篇电路
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  • 2篇传感器
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  • 1篇图像传感器
  • 1篇像素
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  • 1篇固定图案噪声
  • 1篇非均匀
  • 1篇非均匀性
  • 1篇CMOS图像

机构

  • 4篇中国科学院
  • 2篇中国科学院研...

作者

  • 4篇邓若汉
  • 4篇严奕
  • 3篇陈世军
  • 2篇陈永平
  • 2篇刘强
  • 2篇陈永平
  • 2篇白宗杰
  • 2篇周扬
  • 1篇余金金

传媒

  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇科学技术与工...

年份

  • 3篇2011
  • 1篇2010
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
盖革模式APD被动淬火与恢复集成电路的设计方法
本发明公开了一种“盖革”模式APD器件被动淬火与恢复集成电路的设计方法。本发明方法基于目标APD器件的实测特性,抽象出I-V关系式,从而建立非线性模块表征目标APD器件的实测特性,同时在设计过程加入流控开关准确判断雪崩淬...
周扬陈永平陈世军刘强白宗杰邓若汉严奕
文献传递
有源像素CMOS图像传感器非均匀性研究被引量:2
2011年
有源像素CMOS图像传感器在许多领域有着重要的应用,但其非均匀性问题影响着成像质量,非均匀性控制一直是器件研发过程中需要重点考虑的问题之一。在分析CMOS图像传感器的工作原理的基础上,对非均匀性的来源及其表现形式进行了深入的分析,提出了3套不同层次的均匀性优化设计方案,分别从像素级、列级、芯片级三个不同的角度来评价非均匀性问题。研究结果对于设计高均匀性的图像传感器具有指导意义。
严奕邓若汉陈永平陈世军
关键词:图像传感器非均匀性固定图案噪声
CMOS有源像素传感器像素级噪声的分析与抑制被引量:5
2011年
像素级的噪声是CMOS图像传感器的主要噪声源之一。针对CMOS有源像素传感器3T结构像素级的噪声问题,分析了3种抑制像素级噪声的方法。分析结果表明,复位晶体管的软复位噪声要小于硬复位噪声的2倍,PMOS管的1/f噪声低于NMOS管的1/f噪声,同时1/f噪声会随着栅面积的减小而增大。通过对像素的噪声分析,完成了3种像素级的集成电路的设计仿真,并采用了0.5μm标准CMOS工艺进行流片制作。测试表明,噪声的相对变化与分析结果吻合。
邓若汉严奕余金金陈永平
关键词:传感器
盖革模式APD被动淬火与恢复集成电路的设计方法
本发明公开了一种“盖革”模式APD器件被动淬火与恢复集成电路的设计方法。本发明方法基于目标APD器件的实测特性,抽象出I-V关系式,从而建立非线性模块表征目标APD器件的实测特性,同时在设计过程加入流控开关准确判断雪崩淬...
周扬陈永平陈世军刘强白宗杰邓若汉严奕
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