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唐慧丽

作品数:137 被引量:75H指数:5
供职机构:同济大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信化学工程文化科学更多>>

文献类型

  • 92篇专利
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  • 13篇会议论文

领域

  • 34篇理学
  • 18篇电子电信
  • 8篇化学工程
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  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇核科学技术
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇社会学

主题

  • 83篇晶体
  • 31篇激光
  • 30篇晶体生长
  • 28篇籽晶
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  • 23篇蓝宝石
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  • 19篇离子
  • 18篇掺杂
  • 15篇激光晶体
  • 14篇光纤
  • 13篇坩埚
  • 13篇发光
  • 12篇蓝宝石晶体
  • 11篇红外
  • 10篇离子掺杂
  • 9篇稀土离子掺杂
  • 9篇共掺

机构

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  • 3篇中国科学院大...
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作者

  • 137篇唐慧丽
  • 132篇徐军
  • 65篇王庆国
  • 64篇罗平
  • 58篇吴锋
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  • 23篇钱小波
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  • 9篇郭鑫
  • 8篇邹宇琦
  • 8篇郑丽和
  • 8篇姜大朋
  • 8篇汪传勇
  • 7篇杨秋红

传媒

  • 10篇人工晶体学报
  • 5篇物理学报
  • 4篇无机材料学报
  • 3篇硅酸盐学报
  • 2篇物理实验
  • 2篇第十六届全国...
  • 2篇第十六届全国...
  • 1篇光学精密工程
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇中国激光
  • 1篇光学学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇实验技术与管...
  • 1篇实验室科学
  • 1篇现代应用物理
  • 1篇第10届全国...
  • 1篇《硅酸盐学报...
  • 1篇第十七届全国...
  • 1篇中国晶体学会...

年份

  • 1篇2024
  • 9篇2023
  • 14篇2022
  • 14篇2021
  • 9篇2020
  • 10篇2019
  • 13篇2018
  • 8篇2017
  • 6篇2016
  • 4篇2015
  • 5篇2014
  • 15篇2013
  • 13篇2012
  • 6篇2011
  • 2篇2009
  • 3篇2008
  • 5篇2007
137 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种具有中红外宽带发光性能的晶体材料及其制备方法
本发明公开了一种具有中红外宽带发光性能的晶体材料及其制备方法,所述晶体材料是在Bi<Sub>12</Sub>GeO<Sub>20</Sub>晶体中掺杂有2~4μm波段内不具有发光性能的金属离子的材料。其制备方法包括如下步...
唐慧丽蒋先涛苏良碧徐军吴锋汪传勇姜大朋王静雅钱小波
文献传递
晶格匹配氮化镓和氧化锌基外延薄膜衬底材料ScAlMgO_4晶体生长研究被引量:1
2007年
采用提拉法成功生长了氮化镓和氧化锌基外延薄膜晶格匹配的ScA lMgO4单晶衬底材料,晶体呈透明白色,尺寸为30mm×59mm,表面部分沿解理面有裂纹。粉末X射线衍射(XRD)分析表明经1400℃固相反应烧结的原料基本合成了ScA lMgO4多晶相。初步的偏光显微镜观察、晶体的粉末XRD表征、透过光谱和双晶摇摆测试表明晶体具有较好的光学性质和结晶质量。研究表明晶体本身的层状结构、较大的温度梯度和热应力的不均匀性是生长过程中引起晶体开裂的几个主要原因。
唐慧丽董永军徐军赵志伟吴锋邹军周国清
关键词:衬底晶格匹配晶体生长提拉法
自带熔体搅拌功能的晶体生长装置
本发明涉及一种自带熔体搅拌功能的晶体生长装置,包括感应线圈(1)、保温层(2)、感应发热体(3)、原料(4)、坩埚(5)和坩埚支柱(6),所述的坩埚(5)内设有搅拌原料(4)的搅拌器(7)。与现有技术相比,本发明在传统坩...
王庆国罗平徐军吴锋唐慧丽刘军芳赵衡煜刘斌薛艳艳王东海
文献传递
超宽禁带半导体β-Ga2O3单晶生长突破2英寸被引量:8
2017年
氧化镓(β—Ga2O3)单品是一种第四代超宽禁带氧化物半导体,其禁带宽度为4.8~4.9eV,具有独特的紫外透过特性(吸收截止边~260nm);击穿电场强度高达8MV/cm,是si的近27倍、SiC及GaN的2倍以上,巴利加优值分别是SiC、GaN的10倍、4倍以上.
唐慧丽何诺天罗平罗平李秋郭超王庆国潘星宇吴锋徐军
关键词:宽禁带半导体单晶生长氧化物半导体禁带宽度
功能晶体实验室的科学管理
2020年
该文以同济大学功能晶体实验室为例,介绍了在实验室安全防护、教学科研活动中的管理制度与工作经验。通过将职工负责制和研究生炉长制相结合,实现实验室设备的科学有效管理。通过建立科学规范的管理制度,提升实验工艺水平,保证实验室财产安全,达到实验室安全高效运行的目的。
王庆国吴锋罗平唐慧丽王风丽金佳徐军方恺
关键词:功能晶体实验教学安全管理
一种坩埚下降法生长氧化镓体单晶的生长装置及其方法
本发明涉及一种坩埚下降法生长氧化镓体单晶的生长装置及其方法,装置包括单晶炉、铱金坩埚、热场部件、气氛控制单元,热场部件围绕铱金坩埚设置,由独立加热的上温区和下温区组成。本装置采用上、下双温区独立加热,上温区为高温区具有较...
唐慧丽徐军罗平吴锋王庆国张超逸薛艳艳
文献传递
ScAlMgO_4晶体的生长缺陷被引量:1
2008年
采用提拉法生长出φ30 mm×55 mm的ScAlMgO4晶体。在晶体生长过程中有轻微的挥发,粉末X射线衍射分析表明:挥发物质为MgO单相。运用扫描电镜、光学显微镜以及高分辨X射线衍射仪对晶体中的包裹物、开裂、生长条纹和小角晶界缺陷进行了研究。结果表明:温度梯度和热应力是形成晶体中缺陷的主要原因。通过合理设计温场,控制固-液界面的形状及冷却过程的降温速率,可以提高晶体的完整性。
唐慧丽董永军徐军吴锋
关键词:提拉法晶体缺陷
一种高阻氧化镓晶体及其制备方法与应用
本发明涉及一种高阻氧化镓晶体及其制备方法与应用,所述高阻氧化镓晶体的分子式为β‑(Ga<Sub>1‑x</Sub>Al<Sub>x</Sub>)<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>,其中x的取值范围为0.0...
唐慧丽李志伟刘波徐军罗平吴锋王庆国张超逸
光学浮区法生长掺锗氧化镓单晶及其性质研究被引量:4
2016年
采用光学浮区法生长了尺寸8 mm×40 mm的Ge∶β-Ga_2O_3单晶。XRD物相分析表明Ge∶β-Ga_2O_3单晶仍属于单斜晶系。为对其内部缺陷进行表征,进行了腐蚀实验,在光学显微镜下观察到缺陷密度为6×10~4/cm^2。光学测试表明,与纯单晶相比,Ge∶β-Ga_2O_3单晶在红外波段存在明显吸收,只有位于蓝光区域的两个荧光峰,抑制了紫外与绿光波段的发光。电学性能测试得出,Ge∶β-Ga_2O_3单晶的电导率在10-3量级,说明掺杂Ge4+对β-Ga_2O_3单晶的电学性能的确有改善。
吴庆辉唐慧丽苏良碧罗平钱小波吴锋徐军
关键词:晶体生长电导率
一种可控还原气氛泡生炉
本发明公开了一种可控还原气氛泡生炉,所述泡生炉包括软件控制系统、电控系统、提拉系统、压力平衡系统、断电保护系统、冷却系统、旋转称重系统、真空充气炉室和温场系统,其特征在于:还包括一套低真空压力平衡系统。本发明通过引入低真...
邹宇琦徐军姜大鹏李红军苏良碧郑丽和唐慧丽徐晓东钱小波
文献传递
共14页<12345678910>
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