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李介胜

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：浙江大学更多>>
发文基金：浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇热蒸发
  • 2篇纳米
  • 1篇带隙
  • 1篇氧分压
  • 1篇氧化锌纳米
  • 1篇氧化锌纳米结...
  • 1篇热蒸发法
  • 1篇纳米棒
  • 1篇宽带隙
  • 1篇宽带隙半导体
  • 1篇半导体
  • 1篇ZNO
  • 1篇ZNO纳米
  • 1篇GA
  • 1篇场发射
  • 1篇O

机构

  • 2篇浙江大学

作者

  • 2篇李介胜
  • 1篇何海平
  • 1篇叶志镇
  • 1篇赵炳辉
  • 1篇唐海平
  • 1篇朱丽萍

传媒

  • 1篇无机材料学报

年份

  • 2篇2007
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
控制O_2流量生长结状ZnO微纳米棒及其特性研究
2007年
采用热蒸发法以锌粉和二水醋酸锌作为源材料在Si(111)衬底上制备了高密度的ZnO微纳米棒,制得的每根ZnO棒明显分为直径不同的四段.利用X射线衍射、扫描电镜、透射电镜、拉曼光谱和光致发光谱等测试手段对制备的样品进行了形貌、结构和光学性能的分析,结果表明制备的ZnO棒晶体质量良好,仅存在很少量的缺陷.通过讨论该结构的生长机理,发现O_2分压对制备的ZnO微纳米棒的形貌有显著的影响,调节O_2流量可控制ZnO纳米结构的形貌.
李介胜朱丽萍唐海平何海平叶志镇赵炳辉
关键词：热蒸发氧分压
ZnO纳米材料的制备、掺杂及性能研究
氧化锌(ZnO)是一种直接宽带隙化合物半导体材料,其室温禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV,其激子能够在室温及以上温度下稳定存在,是制备半导体激光器(LDs)、发光二极管(LEDs)的理想材料.ZnO还...
李介胜
关键词：热蒸发法氧化锌纳米结构场发射宽带隙半导体
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