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侯博

作品数:8 被引量:9H指数:1
供职机构:云南大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 8篇纳米
  • 8篇ZNSE
  • 6篇烷基胺
  • 6篇锌源
  • 6篇纳米晶
  • 6篇半导体纳米晶
  • 4篇单质
  • 2篇荧光
  • 2篇荧光量子产率
  • 2篇针状
  • 2篇量子产率
  • 2篇纳米材料
  • 2篇结晶度
  • 2篇花形
  • 2篇半导体纳米材...
  • 2篇产率
  • 1篇形貌
  • 1篇形貌控制
  • 1篇生物标记
  • 1篇ZNS

机构

  • 8篇云南大学

作者

  • 8篇侯博
  • 7篇蒋峰芝
  • 7篇袁波
  • 6篇刘拥军
  • 1篇刘拥军

传媒

  • 1篇化学通报

年份

  • 3篇2011
  • 4篇2009
  • 1篇2008
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
一种ZnSe荧光量子点的合成方法
本发明属于一种半导体纳米材料的合成方法,具体为一种ZnSe荧光量子点的合成方法。在惰性气体的保护下,将Se,配位溶剂,加热并搅拌得到Se前体;将十八烯,锌源体,长链烷基胺搅拌混合得到Zn前体;将Zn前体升温至300-35...
蒋峰芝侯博刘拥军袁波
文献传递
一种针状ZnSe半导体纳米晶的合成方法
本发明属于一种纳米材料的合成方法,具体为一种针状ZnSe半导体纳米晶的合成方法。在惰性气体保护下,将单质Se加热搅拌或超声溶于TOP中得到Se前体;在惰性气体保护下将锌源体与非配位溶剂十八烯和长链烷基胺搅拌混合得到Zn前...
蒋峰芝侯博刘拥军袁波
文献传递
一种花形ZnSe半导体纳米晶的合成方法
本发明属于一种纳米材料的合成方法,具体为一种花形ZnSe半导体纳米晶的合成方法。在惰性气体保护下,将单质Se加热搅拌或超声溶于TOP中得到Se前体;将锌源体、十八烯和长链烷基胺混合得到Zn前体;先对Zn前体其进行“均一化...
蒋峰芝侯博刘拥军袁波
文献传递
半导体纳米晶在生物标记领域的应用被引量:9
2008年
对半导体纳米晶的概念、性质、应用前景进行了概述,详细介绍了以ZnS、ZnSe半导体纳米晶体为代表的由IIB-VI族原子组成的低毒半导体纳米晶的制备、光谱学性质及其当前在生物标记领域的应用。
侯博刘拥军袁波蒋峰芝
关键词:半导体纳米晶ZNSEZNS生物标记
ZnSe半导体纳米晶的合成
半导体量子点也称作半导体纳米晶,由于半导体量子点的直径小于其玻尔半径,所以表现出很特殊的物理和化学性质如量子尺寸效应和介电限域效应等,并由此派生出半导体纳米晶优越的发光特性。目前常用荧光量子点多为CdSe、CdS、cdT...
侯博
关键词:半导体纳米晶形貌控制
一种花形ZnSe半导体纳米晶的合成方法
本发明属于一种纳米材料的合成方法,具体为一种花形ZnSe半导体纳米晶的合成方法。在惰性气体保护下,将单质Se加热搅拌或超声溶于TOP中得到Se前体;将锌源体、十八烯和长链烷基胺混合得到Zn前体;先对Zn前体其进行“均一化...
蒋峰芝侯博刘拥军袁波
文献传递
一种ZnSe荧光量子点的合成方法
本发明属于一种半导体纳米材料的合成方法,具体为一种ZnSe荧光量子点的合成方法。在惰性气体的保护下,将Se,配位溶剂,加热并搅拌得到Se前体;将十八烯,锌源体,长链烷基胺搅拌混合得到Zn前体;将Zn前体升温至300-35...
蒋峰芝侯博刘拥军袁波
文献传递
一种针状ZnSe半导体纳米晶的合成方法
本发明属于一种纳米材料的合成方法,具体为一种针状ZnSe半导体纳米晶的合成方法。在惰性气体保护下,将单质Se加热搅拌或超声溶于TOP中得到Se前体;在惰性气体保护下将锌源体与非配位溶剂十八烯和长链烷基胺搅拌混合得到Zn前...
蒋峰芝侯博刘拥军袁波
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共1页<1>
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