廖蕾
- 作品数：13 被引量：18H指数：2
- 供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信医药卫生一般工业技术更多>>
- 二维过渡金属硫化物在电学应用中的研究进展
- 2016年
- 近些年来,石墨烯由于其独特的层状结构和电学特性已经成为国内外关注的焦点.随着石墨烯研究的快速发展及材料制备技术的不断革新,其他具有二维层状结构特征的材料,如过渡金属硫化物(Transition-Metal Sulfides,TMSs),也被逐渐研究并应用.与石墨烯类似,TMSs拥有诸多优良的特性,例如良好的机械柔韧性和热稳定性、表面无悬挂键以及与硅CMOS工艺相兼容等.更为重要的是,零带隙的特点使石墨烯场效应晶体管的开关比很低,相比起来,部分TMSs材料具有令人满意的带隙,因而在半导体器件领域中具有巨大的应用潜力.本文简要介绍了TMSs的基本结构特点、能带特征及电学性质,其中重点以硫化钼为例,评述了其在场效应晶体管、逻辑电路及传感器等方面的具体应用,最后展望了TMSs未来的发展方向.
- 邹旭明廖蕾
- 关键词：硫化钼电学性质场效应晶体管
- 石墨烯高速晶体管的研制与应用
- 廖蕾
- 氧分压对ZnO纳米棒形貌及光学性质的影响
- 通过调节氧分压,我们制备了不同形貌的一维ZnO纳米棒。用扫描电镜对ZnO纳米棒形貌进行了分析。X射线分析表明,所有样品呈C轴优先取向。而且有一些特殊形貌至今还没有见诸报道。光致发光(PL)谱中,在380nm(紫外)和50...
- 王多发李金钗廖蕾
- 关键词：ZNO纳米棒光致发光
- 文献传递
- 高性能二硫化钼晶体管
- 由于石墨烯的带隙为零,因此器件基本没有开关比,不能用于逻辑器件.新型二维材料硫化钼的出现弥补了这一缺陷.硫化钼具有合适的禁带宽度(1.2-1.8 eV),目前基于单层硫化钼的场效应晶体管开关比已经可以达到108,迁移率大...
- 廖蕾邹旭明王竞立
- 关键词：晶体管二硫化钼氮化硼
- 准定向ZnO纳米棒阵列的溶液生长制备及光学性质研究被引量：5
- 2008年
- 通过溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜,使其充当控制ZnO纳米线(棒)生长的先驱物种子,再采用溶液生长法制备ZnO纳米棒,运用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和室温光致发光谱(PL)研究了ZnO样品的结构、形貌和光学性质.结果表明先驱ZnO颗粒薄膜可以控制生长准定向的ZnO纳米棒.样品的PL测试结果表明,溶液法制备的ZnO样品具有微弱的紫外发光峰和宽又强的可见发射波带,可见峰与样品的本征缺陷相关.
- 许磊张天杰廖蕾李金钗蔡洪涛
- 关键词：氧化锌纳米棒溶胶凝胶法光学性质
- Cr掺杂Si基稀磁半导体的制备及其磁学特性被引量：1
- 2008年
- 采用Cr离子注入方法,在不同气体环境下退火制备了两种具有不同磁化率和居里温度的Cr掺杂p型(111)Si基稀磁半导体样品.利用X射线衍射(XRD)、傅立叶变换红外(FT-IR)光谱和超导量子干涉仪(SQUID)对样品的晶体结构、化学键及磁学特性的变化进行表征.实验发现,该样品在H2气中退火后,氢原子钝化了Cr离子注入时引起的样品中的Si悬挂键缺陷(形成Si—H),增加了传导电子的长程相互作用,使样品的居里温度达280 K,远高于同一条件下在Ar气中退火样品的居里温度(100 K).部分氢原子束缚了样品中的受主载流子,降低了磁化率,导致在低温区(小于50 K)H2气中退火样品的磁化强度小于在Ar气中退火样品的磁化强度.这为室温铁磁半导体的研制提供了实验依据.
- 吴云廖蕾吴幕宏卢红兵李金钗
- 关键词：离子注入红外光谱居里温度磁化率
- ZnO多枝纳米棒水热法生长及其光学性质被引量：11
- 2006年
- 以硝酸锌(Zn(NO3)2.6H2O)和六亚甲基四胺(C6H12N4)为原料,采用水热法在90℃生长出具有多枝六方纳米棒的ZnO纳米结构,运用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和室温光致发光谱(PL)研究了ZnO样品的结构、形貌和光学性质.观察到多枝纳米棒的形成和生长情况,发现多枝ZnO纳米结构由单根纳米棒演化而来,不同发展阶段样品的PL谱呈现出强的黄绿光发射现象.样品的高斯拟合PL谱揭示了没有分枝的纳米棒样品中,氧间隙缺陷远多于氧空位缺陷,而分枝的ZnO样品中氧间隙缺陷与氧空位缺陷浓度的比值降低.
- 许磊廖蕾李金钗王多发卢红兵
- 关键词：氧化锌光学性质
- ZnO缓冲层上定向ZnO纳米杆阵列的制备被引量：1
- 2006年
- 利用Zn膜热氧化获得的非晶ZnO薄膜作为缓冲层，再采用Zn粉热蒸发工艺合成出定向、致密且直径较细（≈40nm）的单晶ZnO纳米杆阵列，其阵列密度约为2．3×10^7mm^-2．比较了在厚度不同的Zn膜所形成的ZnO缓冲层上生长的ZnO纳米杆形态，讨论了ZnO缓冲层表面形貌对ZnO纳米杆生长形态的影响．结果表明，随Zn膜厚度的增加，ZnO缓冲层从岛状大颗粒（0．5～1μm）并伴有密集小颗粒（〈20nm）状态变为连续薄膜，所得ZnO纳米杆从沿大颗粒表面无规则发散生长并伴小颗粒上的准定向生长转变成垂直于衬底的大面积定向生长，且纳米杆阵列也随着Zn膜厚度增加而变得定向、致密、和分布均匀．
- 何辉李金钗廖蕾卢红兵王多发
- 关键词：氧化锌缓冲层纳米杆
- 系统研究表面处理所产生的缺陷对二硫化钼顶栅晶体管性能的影响
- 在提高芯片及集成度的过程当中,栅氧化层和沟道的厚度也变得越来薄.MoS2这种新型的二维材料在提高器件集成度的进程中具有天然的优势.其极薄的厚度使更短的沟道成为可能,合适的禁带宽度使器件具有很好的开关比.如果需要进行器件集...
- 廖蕾王竞立
- 通过调控介质材料与硫化钼界面获得高性能硫化钼顶栅晶体管
- 二维材料因其在电学、光学、机械性能以及尺寸方面的独特优势正日益受到关注。石墨烯一度被认为是最有希望的替代者,但是零禁带宽度的特点使石墨烯场效应晶体管的开关比难以超过10。新型二维材料,硫化钼的出现弥补了这一缺陷。硫化钼具...
- 廖蕾邹旭明
- 关键词：二硫化钼原子层沉积
- 文献传递
