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焦永哲

作品数：2 被引量：9H指数：1
供职机构：天津大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇理学

主题

  • 1篇射线衍射
  • 1篇双材料
  • 1篇热氧化
  • 1篇拉曼
  • 1篇硅基
  • 1篇硅基底
  • 1篇X射线衍射
  • 1篇MEMS
  • 1篇残余应力

机构

  • 2篇天津大学
  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 2篇焦永哲
  • 1篇邓卫林
  • 1篇仇巍
  • 1篇张青川
  • 1篇亢一澜

传媒

  • 1篇实验力学

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2007
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
MEMS薄膜基片中的工艺残余应力实验分析
工艺技术水平是目前制约大多数MEMS//NEMS设计、生产和应用的核心问题,其中工艺过程中对微器件施加的工艺应力以及工艺导致微器件的残余应力则是关系MEMS//NEMS制备成品率、稳定性、可靠性以及寿命的关键环节之一。对...
焦永哲
关键词：X射线衍射双材料热氧化
文献传递
硅基底多层薄膜结构材料残余应力的微拉曼测试与分析被引量：9
2012年
针对MEMS器件制备中两种典型的硅基底多层薄膜结构的残余应力问题,本文提出了利用微拉曼光谱技术测量其残余应力的方法,分析并给出了硅基底多层薄膜结构中的残余应力分布规律。实验结果表明,在硅基底和薄膜内存在较大的工艺残余应力,残余应力在基底内靠近薄膜两侧部分呈非线性变化,在基底内主要呈线性变化,并引起基底整体翘曲。基于实验结果分析,提出了硅基底多层薄膜结构的分层结构模型。本文工作表明微拉曼光谱技术是测量与研究硅基底多层薄膜结构残余应力的一种有力手段。
邓卫林仇巍焦永哲张青川亢一澜
关键词：硅基底残余应力
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