张二鹏
- 作品数：8 被引量：4H指数：1
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- 一种透明阻变存储器及其制备方法
- 本发明公开了一种透明阻变存储器，是在透明衬底上依次集成有下电极层、阻变层和上电极层，所述下电极层和上电极层为非晶的铟镓锌氧化物薄膜，所述阻变层为非晶的锆铪氧化物薄膜、非晶的氧化锆薄膜或非晶的二氧化铪薄膜。本发明同时提供了...
- 闫小兵张二鹏娄建忠刘保亭
- 文献传递
- 含Ti电极的非晶钛酸锶薄膜的阻变开关特性研究被引量：4
- 2012年
- 采用射频磁控溅射法制备Ti金属薄膜作为反应电极,结合脉冲激光沉积法在Pt/Ti/Si衬底上制备了Ti/非晶-SrTiO3-δ(STO)/Pt结构的阻变存储器件单元。器件的有效开关次数可达200次以上。利用5 mV的小电压测量处于高低阻态的器件电阻,发现在经过3.1×105s以后,两种阻态的电阻值均没有明显的变化,说明器件具有较好的保持特性。器件处于高阻态和低阻态的电阻比值可达100倍以上。在9 mA的限制电流下,器件的低阻态为500Ω,有利于降低电路的功耗。氧离子和氧空位的迁移在阻变开关中起到重要的作用,界面层TiOχ发挥着氧离子库的作用。阻变开关机制归因为导电细丝(Filaments)的某些部分出现氧化或者还原现象,造成导电细丝的形成和断开。
- 闫小兵史守山贾长江张二鹏李钗李俊颖娄建忠刘保亭
- 关键词：STO脉冲激光沉积
- 溅射功率对射频磁控溅射制备非晶In-Ga-Zn-O薄膜的影响
- 2013年
- 采用射频磁控溅射法在室温玻璃衬底上成功地制备出了铟镓锌氧(In-Ga-Zn-O)透明导电薄膜。研究了不同溅射功率对In-Ga-Zn-O薄膜结构、电学和光学性能的影响。X射线衍射(XRD)表明,在80～150 W溅射功率范围内,In-Ga-Zn-O薄膜为非晶结构。随着溅射功率的增加,生长速率成线性增加,电阻率逐渐降低。透射光谱显示在350 nm附近出现较陡的吸收边缘,说明In-Ga-Zn-O薄膜在以上溅射功率范围内具有良好的薄膜质量。光学禁带宽度随着溅射功率增加而减小。In-Ga-Zn-O薄膜在500～800 nm可见光区平均透过率超过90%。
- 张锁良贾长江郝彦磊史守山张二鹏李钗娄建忠刘保亭闫小兵
- 关键词：溅射功率禁带宽度
- 真空退火温度对射频磁控溅射制备非晶In-Ga-Zn-O薄膜性能影响的研究
- 2013年
- 采用射频磁控溅射技术在室温下玻璃衬底上制备了铟镓锌氧（In—Ga—Zn-O）透明导电薄膜，并对该薄膜进行了真空退火。研究了不同退火温度对In-Ga—Zn-O薄膜结构、电学和光学性能的影响。X射线衍射（XRD）表明，在300℃至500℃退火温度范围内，In-Ga-Zn-O薄膜为非晶结构。随着退火温度的增加，薄膜的电阻率先减小后增大。透射光谱显示退火后In-Ga-Zn-O薄膜在500—800nm可见光区平均透过率超过80％，且在350nm附近表现出较强的紫外吸收特性。经过退火的薄膜光学禁带宽度随着退火温度的增加先增大后减小，350℃最大达到3．91eV。
- 闫小兵张二鹏贾长江史守山娄建忠刘保亭
- 关键词：退火温度磁控溅射光学带隙
- 一种透明阻变存储器及其制备方法
- 本发明公开了一种透明阻变存储器，是在透明衬底上依次集成有下电极层、阻变层和上电极层，所述下电极层和上电极层为非晶的铟镓锌氧化物薄膜，所述阻变层为非晶的锆铪氧化物薄膜、非晶的氧化锆薄膜或非晶的二氧化铪薄膜。本发明同时提供了...
- 闫小兵张二鹏娄建忠刘保亭
- 文献传递
- 射频功率对RF-PECVD法制备纳米硅薄膜结构特征和光学特性的影响
- 2012年
- 利用射频等离子体增强型化学气相沉积(RF-PECVD)工艺,以SiH4和H2作为反应气体源,在石英衬底上制备了氢化纳米硅(nc-Si∶H)薄膜。其中衬底温度为250℃,H2稀释比为99%,反应压强为133Pa和射频功率为20～60W。采用α-台阶仪、X射线衍射仪(XRD)、Raman光谱仪、傅立叶变换红外光谱仪(FT-IR)和紫外-可见光分光光度计等对薄膜的结构特征和光学特性进行了测试研究。结果表明,随着射频功率的增大,nc-Si∶H薄膜的沉积速率增加,晶化率提高,晶粒尺寸增大和氢含量减小,同时薄膜的吸收系数增强,光学带隙变窄,结构有序性增强和带尾态宽度减小。
- 娄建忠李钗张二鹏马蕾江子荣王峰闫小兵
- 关键词：RF-PECVD结构特征光学特性
- 含Ag电极的非晶In-Ga-Zn-O薄膜的阻变开关特性
- 2014年
- 采用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了非晶InGaZnO4(α-IGZO)薄膜,利用直流磁控溅射法制备的Ag金属薄膜作为反应上电极,构建了Ag/非晶InGaZnO4(α-IGZO)/Pt结构的阻变存储器件单元。所制备的器件具有双极型阻变特性,写入时间仅为107 ns,经过300次循环开关后,器件仍显示良好的开关效应。对置于高低阻态的器件使用5 mV横电压测量其电阻,电阻值经过1.2×104s无明显衰减趋势,表明器件具有较好的保持特性。阻变开关机制归因于在外加电场的作用下,由于电化学反应,使得Ag导电细丝在存储介质α-IGZO薄膜中形成和溶解。
- 娄建忠贾长江郝华张二鹏史守山闫小兵
- 锆铪氧薄膜的电输运及阻变特性研究
- 采用磁控溅射的方法在Pt电极上沉积了锆铪氧薄膜,并制备了Pt/Zr0.5Hf0.5O2/Pt结构的电容器,用XRD表征了锆铪氧薄膜的结晶状态,通过在不同温度下测量电容器的漏电流曲线,研究了制备的锆铪氧薄膜的电输运特性及机...
- 张二鹏
- 关键词：电输运特性磁控溅射法
- 文献传递
