朱光伟
- 作品数：6 被引量：5H指数：2
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- 相关领域：一般工业技术电气工程理学更多>>
- 溅射功率对M型钡铁氧体薄膜磁性能的影响被引量：1
- 2013年
- 采用射频磁控溅射法制备了c轴垂直膜面取向的M型钡铁氧体(BaM)薄膜,研究了溅射功率对BaM薄膜取向及磁性能的影响。结果表明,在溅射功率为80W、110W、140W和170W时所制备的BaM薄膜均具有一定程度的c轴垂直膜面取向,但溅射功率的增高会造成薄膜内晶粒取向混乱,导致薄膜磁晶各向异性降低;当溅射功率为140W时,薄膜具有最高饱和磁化强度(Ms)303kA/m和最小面外方向矫顽力(Hc⊥)191kA/m;适当低的溅射功率更有利于制得磁晶各向异性强的薄膜。
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- 关键词：射频磁控溅射溅射功率C轴取向磁性能
- 晶粒c轴垂直膜面取向生长的钡铁氧体薄膜制备方法
- 晶粒c轴垂直膜面取向生长的钡铁氧体薄膜制备方法，属于微波铁氧体薄膜材料技术领域。本发明包括下述步骤：步骤1：基板清洗；步骤2：溅射制备AlN薄层；步骤3：溅射制备BaM薄膜；步骤4：对镀有AlN薄层的基板进行加热使其温度...
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- 文献传递
- 基片温度对Ni_(81)Fe_(19)薄膜磁性能的影响
- 2013年
- 采用电子束蒸发法在Si(111)基片上制备厚度约为100nm的Ni81Fe19薄膜,研究了基片温度对薄膜微观结构及磁性能的影响。结果表明,随着基片温度的升高,Ni81Fe19薄膜(111)衍射峰逐渐锐化,衍射峰强度显著增强,薄膜晶粒逐渐长大;薄膜的饱和磁化强度(Ms)及面内矫顽力(Hc)随基片温度的升高均逐渐增大;随着基片温度的升高,薄膜在9GHz下的共振场(Hr)呈单调降低的趋势,而铁磁共振线宽(ΔH)则先减小后增大最后基本保持不变。当基片温度为100℃时,薄膜铁磁共振线宽具有最小值ΔH=7.44kA/m(9GHz)。
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- 关键词：电子束蒸发基片温度磁性能铁磁共振线宽
- 氧含量与溅射气压对NiO薄膜形貌和结构的影响被引量：2
- 2014年
- 利用直流反应磁控溅射在O2和Ar混合气氛下,在Si(111)衬底上沉积NiO薄膜,采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜晶体结构及形貌进行分析,研究了氧含量和溅射气压对NiO薄膜择优取向和表面形貌的影响。结果表明:低氧含量下,NiO(220)晶面择优生长,薄膜表面为典型的蠕状结构;较高氧含量下,薄膜择优(111)晶面生长,织构呈现有序状态;随着溅射气压的增高,择优取向先变差再变明显,薄膜晶粒先增大后减小。
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- 关键词：氧含量溅射气压微观结构形貌
- M型钡铁氧体薄膜制备工艺研究
- M型六角钡铁氧体（BaM）薄膜因其具有高的磁晶各向异性场、高的剩磁、良好的化学稳定性及机械强度等特点，能够满足微波/毫米波铁氧体器件及高密度垂直磁记录的应用需求，它的单轴磁晶各向异性等效场高达17kOe，这种强的单轴磁晶...
- 朱光伟
- 关键词：钡铁氧体薄膜射频磁控溅射法磁性能
- 晶粒c轴垂直膜面取向生长的钡铁氧体薄膜制备方法
- 晶粒c轴垂直膜面取向生长的钡铁氧体薄膜制备方法，属于微波铁氧体薄膜材料技术领域。本发明包括下述步骤：步骤1：基板清洗；步骤2：溅射制备AlN薄层；步骤3：溅射制备BaM薄膜；步骤4：对镀有AlN薄层的基板进行加热使其温度...
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