黄文
- 作品数：18 被引量：57H指数：5
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信电气工程理学更多>>
- 一种用三维场仿真软件模拟二极管的新方法
- 2010年
- 提出了一种利用三维场仿真软件AnsoftHFSS模拟二极管的新方法,解决了常用的仿真软件无法模拟利用场的正交性来构成平衡结的一类空间混合集成电路的问题。利用该方法,可在场仿真软件中直接进行该类型电路的整体设计和仿真,提高了设计的效率和准确性。利用AnsoftHFSS中的阻抗边界代替二极管,将阻抗边界的值设定为二极管的阻抗值,进行其匹配电路的仿真设计。制作了一款U波段鳍线单平衡混频器,在40~60GHz频率范围内,混频器射频端口回波损耗的测试结果与仿真结果吻合良好,验证了该方法的可行性。
- 陈勇波徐锐敏黄文国云川张勇
- 关键词：二极管仿真回波损耗
- BaTiO_3铁电薄膜在硅基片上的取向生长被引量：7
- 2007年
- 采用脉冲激光沉积方法,在硅基片上先沉积 MgO 或 CeO2缓冲层后再制备 BaTiO3 (BTO)铁电薄膜。通过原位反射高能电子衍射来监测 MgO,CeO2 缓冲层在硅基片上的生长行为。用 X 射线衍射测定 BTO 薄膜的结晶取向。并利用压电响应力显微镜观察了铁电薄膜的自发极化形成的铁电畴。结果表明:BTO 薄膜在不同的缓冲层硅基片上以不同的取向生长,在织构的 MgO/Si(001)基片上为(001)择优,择优程度与 MgO 织构品质有关,其中在双轴织构 MgO 缓冲层上为(001)单一取向;在 CeO2(111)缓冲层上为(011)单一取向。(001)取向的 BTO 薄膜具有更大的面外极化,而(011)取向的 BTO薄膜具有更大的面内极化。
- 魏贤华黄文接文静朱俊
- 关键词：钛酸钡铁电薄膜缓冲层激光沉积
- 非晶SrTiO3纳米薄膜退火处理方法的研究
- 用激光脉冲沉积技术(PLD),以N型(100)Si为基底在300℃下制备100nm非晶STO薄膜,分别用常规退火(CFA),快速退火(RTA)以及激光诱导晶化(LIC)处理将其转化多晶薄膜,用XRD测定薄膜相组分和结晶质...
- 黄文孙小峰蒋书文张鹰李言荣
- 关键词：SRTIO3薄膜退火处理晶化
- 文献传递
- 用于Si基片上外延BST薄膜的缓冲层的研究进展
- 2005年
- 由于界面之间的扩散,很难取得在 Si 基片上 BST 薄膜的外延。在这种异质结之间,稳定的缓冲层起着良好的阻挡作用以及结构上的延伸功能。综述了用于外延 BST 薄膜的缓冲层材料的意义和要求,及国内外通过缓冲层来控制界面以及薄膜的外延取向而获得高质量薄膜的最新研究动态,展望了今后用于外延 BST 薄膜的缓冲层材料发展的趋势。
- 魏贤华张鹰梁柱黄文李言荣
- 关键词：BST薄膜缓冲层基片SI异质结
- 非晶SrTiO<,3>纳米薄膜退火处理方法的研究
- 用激光脉冲沉积技术(PLD),以N型(100)Si为基底在300℃下制备100nm非晶STO薄膜,分别用常规退火(CFA),快速退火(RTA)以及激光诱导晶化(LIC)处理将其转化多晶薄膜,用XRD测定薄膜相组分和结晶质...
- 黄文孙小峰蒋书文张鹰李言荣
- 关键词：退火处理晶化
- 文献传递
- BaTiO_3/CoFe_2O_4/BaTiO_3复合磁电薄膜生长及应力研究被引量：6
- 2007年
- 用激光分子束外延(LMBE)设备,在SrTiO3(001)基片上外延生长BaTiO3/CoFe2O4/BaTiO3多层复合磁电薄膜结构。通过反射式高能电子衍射(RHEED)对薄膜生长过程进行原位监测,结果显示,随着CoFe2O4厚度的增加薄膜内应力逐渐被释放,并且应力释放的过程导致了薄膜生长模式的变化。高分辨X射线衍射(XRD)发现,随着CoFe2O4厚度的增加,CoFe2O4对BaTiO3薄膜的张应力逐渐增大,BaTiO3晶胞的c轴晶格常数逐渐变小。理论计算给出了BaTiO3面外晶格常数c随CoFe2O4沉积时间的变化规律。原子力显微镜(AFM)对表面形貌进行表征,进一步证明了复合薄膜生长模式的变化。
- 周立勋朱俊黄文张鹰李言荣罗文博
- 关键词：界面应力RHEED
- PZT/LaNiO_3/MgO多层结构制备及性能研究被引量：4
- 2007年
- 利用激光脉冲法在MgO衬底上沉积制备LaNiO3(LNO)薄膜作为底电极材料,其上利用射频磁控溅射制备了锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜。试验分析了LaNiO3表面结构和形貌,采用快速退火法在不同温度下对样品进行了热处理,发现在500℃即得到(110)取向、晶化完全的PZT薄膜。在5 V测试电压下发现650℃下晶化的样品表现出非常优异的介电和铁电性能,介电常数(rε,)和损耗(tanδ)分别达570和0.05,漏电流在10-9A量级,电滞回线完全饱和且形状对称,剩余极化强度(Pr)和矫顽场(Ec)分别为35.8μC/cm2和76.3 kV/cm。
- 张洪伟张树人黄文刘敬松杨成韬
- 关键词：LANIO3射频磁控溅射
- 新型4H-SiC射频功率MESFET大信号经验电容模型
- 2010年
- 基于4H-SiC射频功率MESFET器件的工作机理,提出了一种新型的大信号经验电容模型。针对此模型参数的提取采用最小二乘法和遗传算法,算法用MATLAB语言实现,与传统算法相比,经验电容模型参数的初值估计和优化更为简单准确。提取的模型重要参数具有一定的物理意义,其他拟合参数值也具有物理量级。模型仿真结果和实测数据拟合度较好,从而验证了所提出的大信号经验电容模型的准确性。
- 刘莹国云川黄文
- 关键词：4H-碳化硅金属半导体场效应晶体管大信号模型遗传算法
- 基于石墨烯复合材料的柔性应力传感器制备及力电特性被引量：3
- 2018年
- 采用激光热还原方法制备了基于聚苯乙烯(PS)纳米颗粒与石墨烯复合材料的柔性应力传感器。研究表明掺入聚苯乙烯纳米颗粒可以使原本紧密连接的石墨烯碎片接触部分的结构发生破坏和重构。重构后的结构在应力下电阻变化率明显加大,从而提高了传感器的灵敏度。通过与未掺入纳米颗粒的石墨烯应力传感器进行对比,系统地研究了掺入纳米颗粒的石墨烯复合材料应变状态下的电阻改变的物理机制,力电测试结果表明性能最优的为质量占比(PS纳米颗粒质量/石墨烯质量)12. 5%的90 nm纳米颗粒复合传感器,其灵敏度在小应变下(1. 05%)可以达到250,是复合前石墨烯柔性应力传感器的31倍,且该传感器具有较高的重复性。
- 张华龚天巡黄文毛琳娜俞滨
- 关键词：石墨烯灵敏度
- 钛酸锶钡(BST)薄膜晶化过程研究被引量：2
- 2004年
- 采用射频磁控溅射(RF-magnetron sputting)法制备了钛酸锶钡(BST)薄膜,用快速热处理(RTA)和常规热处理(CFA)对薄膜进行晶化。利用AFM、XRD等技术分析了钛酸锶钡薄膜的晶化过程,以及不同退火温度和退火方法下薄膜的晶粒、晶相特性。实验表明:钛酸锶钡薄膜在500℃开始结晶,到700℃左右时结晶比较完善,晶化过程中没有出现择优取向;从表面形貌和X射线衍射图综合分析,快速退火的晶化效果要优于常规退火。
- 孙晓峰姜斌蒋书文张鹰王恩信李燕黄文
- 关键词：晶化过程钛酸锶钡薄膜晶相BST快速退火
