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王越飞

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：南京大学更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电场
  • 2篇电荷注入
  • 2篇电势
  • 2篇原子力显微镜
  • 2篇纳米硅
  • 2篇静电
  • 2篇静电场
  • 2篇硅衬底
  • 2篇衬底
  • 1篇氧化硅
  • 1篇退火
  • 1篇退火温度
  • 1篇物理机制
  • 1篇量子
  • 1篇量子点
  • 1篇非易失性
  • 1篇非易失性存储
  • 1篇非易失性存储...
  • 1篇SIOX
  • 1篇SIOX薄膜

机构

  • 4篇南京大学

作者

  • 4篇王越飞
  • 3篇徐岭
  • 3篇徐骏
  • 3篇陈坤基
  • 3篇李伟
  • 2篇余林蔚
  • 2篇张鹏展
  • 2篇许杰
  • 1篇马忠元
  • 1篇冯端
  • 1篇黄信凡
  • 1篇江小帆
  • 1篇夏国银

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2015
  • 3篇2014
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
新型半导体非易失性存储模式的物理机制及器件研究
半导体存储器件和逻辑器件是现代计算、通讯、显示技术的硬件基础。随着数字化时代的到来，半导体存储器件的发展异常迅速。本论文以半导体非易失性存储原理、器件特性的改进和面临scaling down的技术挑战为研究思路，主要进行...
王越飞
关键词：非易失性存储器氧化硅
一种纳米硅浮栅结构中的微观区域电荷注入和定量分析方法
一种纳米硅浮栅结构中的微观区域电荷注入和定量分析方法，利用原子力显微镜和开尔文探测方法实现纳米硅浮栅结构的电荷注入纳米硅浮栅结构是碳化硅/纳米硅/碳化硅三明治结构，其中样品硅衬底在原子力显微镜轻敲模式下，给原子力显微镜导...
徐骏许杰李伟张鹏展王越飞徐岭余林蔚陈坤基
文献传递
SiOx(x=1.3)薄膜的优化阻变特性与退火温度的关系探究被引量：1
2014年
采用电子束蒸发技术在Si衬底上制备了亚氧化硅SiOx(x=1.3)薄膜,研究了不同温度热退火处理的SiOx薄膜作为阻变层的ITO/SiOx/Si/Al结构的阻变特性.研究发现,在电极尺寸相同的条件下,随着退火温度的增加,该结构的高低阻态比显著提高,最高可达109.X射线光电子能谱和电子顺磁共振能谱的分析表明,不同退火温度下形成的不同价态的硅悬挂键是低阻态下细丝通道的主要来源.椭偏仪的测试结果表明,经过热退火处理的SiOx薄膜折射率的增大是导致高阻态下器件电阻增大的原因.
任圣马忠元江小帆王越飞夏国银陈坤基黄信凡徐骏徐岭李伟冯端
关键词：SIOX薄膜
一种纳米硅浮栅结构中的微观区域电荷注入和定量分析方法
一种纳米硅浮栅结构中的微观区域电荷注入和定量分析方法，利用原子力显微镜和开尔文探测方法实现纳米硅浮栅结构的电荷注入纳米硅浮栅结构是碳化硅/纳米硅/碳化硅三明治结构，其中样品硅衬底在原子力显微镜轻敲模式下，给原子力显微镜导...
徐骏许杰李伟张鹏展王越飞徐岭余林蔚陈坤基
文献传递
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