周剑平
- 作品数：21 被引量：34H指数：4
- 供职机构：清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 铁电/铁磁1-3型结构复合材料磁电性能分析被引量：14
- 2006年
- 磁致伸缩和压电复合材料通过机械力作用可获得较大的磁电效应,由Terfenol-D粉末与树脂黏接剂构成压磁相,和压电陶瓷PZT黏结在一起,形成1-3型柱状阵列结构,可获得很大的磁电转换系数.采用有限元方法,对此结构的复合材料进行静态分析.复合材料的介电常数和磁电系数的计算结果和实验数值一致,得到样品中应力、应变和电极化分布情况及其关系,并给出进一步提高磁电转换系数的途径,该种复合方式有望成为一种新型高性能的磁电结构.
- 周剑平施展刘刚何泓材南策文
- 关键词：复合材料磁电效应有限元
- 低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究
- 2004年
- 对室温条件下用低能离子束沉积得到的 Ga As∶ Gd样品 ,借助 X射线衍射 (XRD)和高分辨 X射线衍射 (HR-XRD)进行了结构分析 ,结果表明没有出现新的衍射峰 ,并且摇摆曲线的形状与 Gd的注入计量密切相关 .运用 X光电子能谱仪对比分析了 Gd注入后 ,衬底中主要元素 Ga2 p和 As3d的化学位移 ,以及不同计量的样品中注入的Gd4 d芯能级束缚能的变化 ,并分析了铁磁性产生的可能原因 .
- 宋书林陈诺夫周剑平尹志岗李艳丽杨少延刘志凯
- 关键词：X射线衍射X光电子能谱
- Mn注入n型Ge单晶的特性研究
- 2005年
- 采用离子能量为100keV,剂量为3×1016cm-2的离子注入技术,室温下往n型Ge(111)单晶衬底注入Mn+离子,注入后的样品进行400℃热处理。利用X-射线衍射法(XRD)和原子力显微镜(AFM)对注入后的样品进行了结构和形貌分析,俄歇电子能谱法(AES)进行了组分分析,交变梯度样品磁强计(AGM)进行了室温磁性测量。结果表明原位注入样品的结构是非晶的,热处理后发生晶化现象。没有在样品中观察到新相形成。Mn离子较深的注入进Ge衬底,在120nm处Mn原子百分比浓度达到最高为8%。热处理后的样品表现出了室温铁磁特性。
- 刘力锋陈诺夫尹志岗杨霏周剑平张富强
- 关键词：离子注入锗铁磁性稀磁半导体
- 离子束外延生长(Ga,Mn,As)的退火研究被引量：1
- 2003年
- 利用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射(XRD)分析了室温条件下离子束外延生长Ga、Mn、As样品,在不同的温度条件下进行退火后组分和元素分布的变化。结果表明退火有助于样品内部元素的均匀分布,温度为400℃会导致MnO2和Ga5.2Mn的结晶。
- 宋书林陈诺夫周剑平柴春林杨少延刘志凯
- 关键词：退火GAAS衬底
- 脉冲激光沉积法合成Bi<,2>Ti<,2>O<,7>介电薄膜及其光吸收特性
- 控制单脉冲能量350mJ,脉冲频率为5Hz,控制合适的基底温度,利用脉冲激光沉积法制备出Bi<,2>Ti<,2>O<,7>薄膜材料.结果发现,SiO<,2>基底温度控制在500~600℃,均能获得纯的Bi<,2>Ti<,...
- 林元华王建飞何泓材周剑平周西松南策文
- 关键词：脉冲激光沉积法介电性能光吸收特性
- 文献传递
- 大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法
- 大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：选择半导体材料为衬底；在半导体衬底中直接进行大计量离子注入；退火，使得磁性团族均匀分布于衬底中。
- 宋书林陈诺夫周剑平杨少延刘志凯柴春林
- 文献传递
- 磁性p－n结薄膜材料及制备方法
- 本发明一种磁性p－n结薄膜材料，磁性p－n结是在半导体衬底上制备磁性半导体材料，并且使其载流子和衬底属于不同的类型；包括：一半导体衬底；在该半导体衬底上直接生长磁性半导体材料，或根据需要在衬底上先外延一层或多层缓冲层后再...
- 周剑平陈诺夫张富强刘志凯杨少延柴春林
- 文献传递
- 磁性p－n结薄膜材料及制备方法
- 本发明一种磁性p-n结薄膜材料，磁性p-n结是在半导体衬底上制备磁性半导体材料，并且使其载流子和衬底属于不同的类型；包括：一半导体衬底；在该半导体衬底上直接生长磁性半导体材料，或在衬底上先外延一层或多层缓冲层后再生长磁性...
- 周剑平陈诺夫张富强刘志凯杨少延柴春林
- 文献传递
- 离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜
- 2004年
- 采用离子束淀积方法制备了单相 Gd Si2 薄膜 .用俄歇电子谱仪对样品的成分进行了分析 ,用 X射线衍射方法分析了样品的结构 ,并用扫描电子显微镜观察了样品的表面形貌 .X射线衍射分析发现在 4 0 0℃沉积的样品中仅存在正交的 Gd Si2 相 .样品在氩气氛中 35 0℃ ,30 m in退火处理后 ,Gd Si2 相衍射峰的半高宽变窄 ,说明经过退火处理 ,Gd Si2
- 李艳丽陈诺夫周剑平宋书林杨少延刘志凯
- 关键词：X射线衍射
- 二元高k材料研究进展及制备被引量：1
- 2002年
- 随着大规模集成电路的发展 ,需要一种高介质材料来代替传统的SiO2 ,介绍了有可能替代SiO2 的几种二元材料的研究现状 ,主要包括Si3N4 、Ta2 O5、TiO2 、ZrO2 、Y2 O3、Gd2 O3和CeO2几种材料的结构和电学性能 ,以及制备薄膜的几种方法 :蒸发法、化学气相沉积和离子束沉积。
- 周剑平柴春林杨少延刘志凯张志成陈诺夫林兰英
- 关键词：蒸发法CVDIBD系统芯片集成电路
