田跃
- 作品数：54 被引量：151H指数：8
- 供职机构：北京科技大学数理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金中国高等教育学会“十一五”教育科学研究规划课题更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术理学文化科学机械工程更多>>
- 《磁敏感元件与磁场特性研究综合实验仪》的教学应用
- 磁学实验是大学物理实验的重要组成部分.本文介绍了将传统磁学知识与现代磁传感器技术相结合的《磁敏感元件与磁场特性研究综合实验仪》的设计思想,以及在相关实验教学中实验内容的编排和教学方式等方面的一些特点。
- 黄筱玲田跃李杰李申李紫月周义勇赵雪丹
- 关键词：磁场特性实验教学大学物理
- 文献传递
- 本科生科技创新教学实验仪器的研制与开发
- 加强理工科大学生科技创新能力培养是当前理科教育改革的重要课题。通过将本科生的科技创新项目与电磁学实验教学的开发相结合,一方面提高了学生的实验操作能力和实验创新能力,另一方面充分利用实验室各方面的条件,开发出了适合本科教学...
- 侯志坚董军军田跃丁红胜
- 关键词：电磁研究型教学
- 文献传递
- 将溅射镀膜及薄膜生长动态监测技术引入普通物理实验被引量：11
- 2005年
- 金属薄膜的制备及薄膜特性的研究是当今微电子技术发展和材料科学研究领域中的重要课题.本文介绍了如何将溅射镀膜及薄膜生长的动态监测技术引入到普通物理实验教学中,以及在相关实验教学装置的设计、实验内容的编排和教学方式等方面的一些特点.
- 黄筱玲田跃邱宏
- 关键词：金属薄膜动态监测教学改革
- 基片温度对坡莫合金薄膜结构和磁电阻的影响被引量：3
- 2003年
- 用磁控溅射方法制备了系列坡莫合金Ni80Fe20薄膜。利用X射线衍射、扫描电子显微镜和原子力显微镜分析了薄膜的结构、晶粒取向、薄膜厚度、截面结构和表面形态。用4点探测技术测量了薄膜的电阻和磁电阻。结果表明:随衬底温度的升高,晶粒明显长大,膜内的缺陷和应力显著减小,而且增强了薄膜晶粒的[111]择优取向。结果表明,薄膜电阻率显著减小,而磁电阻显著增大。
- 王凤平刘还平吴平潘礼庆邱宏田跃罗胜
- 关键词：磁电阻基片温度磁控溅射
- 真空退火处理CoFe对薄膜结构及磁电阻特性的影响被引量：1
- 2004年
- 用粉末冶金方法制备了Co90Fe10,研究了不同退火温度对电子束蒸发方法制备的CoFe薄膜磁电阻特性和微结构的影响。CoFe薄膜在优于5 5×10-4Pa的本底真空度下室温沉积在热氧化Si基片上。随后,样品在3×10-5Pa真空度下分别进行了150℃,280℃,330℃,450℃的60分钟退火处理。靶材的扫描电镜图像显示粉末冶金方法制备的靶材比较疏松。电阻率和磁电阻测量表明450℃退火处理能够明显降低CoFe薄膜电阻率和提高磁电阻变化率。X射线衍射发现沉积在热氧化Si基片上的CoFe膜(111)晶面面间距明显小于靶材相应晶面面间距,退火处理使膜(111)晶面面间距明显减小,趋向靶材面间距。
- 白翠琴吴平邱宏马瑞新王凤平潘礼庆田跃
- 关键词：各向异性磁电阻电子束蒸发粉末冶金
- 真空液相重结晶法改善InSb薄膜的组织和性能被引量：1
- 1997年
- 利用真空下氩气保护液相重结晶的方法，对热蒸镀和磁控贱射制得的Insb薄膜进行热处理．X射线衍射和组织分析的结果表明：热处理前薄膜为Insb，In，Sb各相的混合物；重结晶后，基本为InSb单相，InSb晶粒呈规则状外形长大．热处理后室温下的电子迁移率大大提高，由原来的1．31×104cm2／（V·s）提高到4．47×104cm2／（V·s）（热蒸镀）和2．15×103cm2／（V·s）提高到2．04×104cm2／（V·s）（磁控溅射）．
- 王元玮田跃汪亮明和文国
- 关键词：锑化铟半导体
- TMR效应在时栅传感器中的应用
- 2016年
- 现有时栅主要还是利用变耦合系数变压器的原理,采用缠绕感应线圈于测头上的方法来提取测头与齿之间磁耦合系数变化的信号。但实验表明:这种方法所提取到的电信号相对较弱而且检测距离极小。为了解决上述问题,又提出一种基于隧道磁阻(TMR)磁性隧道结的信号提取方法,TMR是一种对于微弱磁场变化有着极高灵敏度的磁阻效应,在实验中通过这种方法取得了良好的效果,提高了检测距离以及信号幅值。
- 魏家琦田跃张超张波
- 关键词：时栅
- 零脉冲高分辨率磁编码器的研制被引量：11
- 2000年
- 编码器在许多应用场合要求每旋转1个周期给出1个零脉冲信号．要满足这一使用要求，在前期增量型高分辨率磁编码器的研究基础上，对具有零脉冲信号输出的磁编码器的结构设计、信号触发磁鼓的试制、磁敏电阻敏感元件制备、电子信号处理的研制过程进行讨论，
- 田跃和文国李彦林黄筱玲
- 关键词：控制系统高分辨率传感器
- 低真空条件下制备的银薄膜的电阻率特性及结构被引量：5
- 2007年
- 研究了在2.2 Pa低真空条件下用直流溅射法制备的银薄膜的电阻率特性和薄膜结构.实验表明,薄膜厚度对薄膜电阻率有显著影响,随膜厚的增加薄膜电阻率降低,在膜厚大于200 nm时趋于稳定,电阻率为2.54×10-8Ω.m.薄膜表面和晶粒间界对传导电子的散射导致了银薄膜电阻率的尺寸效应.研究结果表明,可以在2.2 Pa的低真空条件下制备金属银薄膜,将银靶用于目前大学物理实验课中金属薄膜制备及金属薄膜电阻率测量实验是可行的.
- 吴平邱宏赵云清姜德怀张蓓赵雪丹黄筱玲潘礼庆田跃
- 关键词：银薄膜电阻率
- 两种弱磁检测传感器的特性及应用
- 本文针对铁磁性材料的漏磁检测和磁记忆检测,阐述了磁场信号测量的基本要求、磁场测量的原理和元件,选择介绍了基于霍尔效应的可编程线性输出霍尔传感器TLE4990和基于磁阻效应的双轴磁传感器HMC6042的特性及应用，数字化集...
- 李杰侯志坚田跃
- 关键词：无损检测磁力探伤磁传感器
- 文献传递
