您的位置： 专家智库 > >

曾宪富

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：广西师范大学物理与电子工程学院物理系更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 2篇科技成果
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇电阻
  • 4篇电阻率
  • 4篇电阻率测量
  • 4篇塑料
  • 4篇半导体
  • 4篇测试仪
  • 3篇液相外延
  • 2篇导电
  • 2篇导电塑料
  • 2篇导电橡胶
  • 2篇液相外延生长
  • 2篇砷化镓
  • 2篇体积电阻
  • 2篇无接触
  • 2篇橡胶
  • 2篇半导体器件
  • 2篇测量法
  • 1篇导体
  • 1篇电流
  • 1篇电流控制

机构

  • 11篇华南理工大学
  • 1篇广西师范大学

作者

  • 11篇曾宪富
  • 1篇梁桂琼
  • 1篇曾庆科

传媒

  • 1篇液晶与显示
  • 1篇半导体光电
  • 1篇第四届全国发...

年份

  • 1篇1995
  • 1篇1992
  • 1篇1991
  • 2篇1990
  • 1篇1989
  • 1篇1987
  • 2篇1986
  • 1篇1900
共 11 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
材料是可见发光二极管国产化的关键
1990年
为了解决各类整机对发光显示的要求,近年来,全国每年大约花费300万美元外汇购进可见发光二极管管芯,然后封装成管子出售,满足国内市场需要。国产管芯不仅发光效率低,特别是价格要比进口的高数倍,故只好依赖进口。这是近十多年来我国电子工业还没有攻克的课题。
曾宪富
关键词：液相外延外延片半导体二极管发光颜色气相外延
电液相外延的现状与发展
曾宪富霍玉云曾庆科
关键词：半导体工艺液相外延生长半导体器件
电流控制LPE生长In_（1－x）Ga_xAs_yP_（1－Y）
1995年
用电流控制液相外延（ＣＣＬＰＥ）方法首次在（１００）ＩｎＰ衬底上成功地生长出Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ（０．３０＜ｘ＜０．４７，０．７０＜ｙ＜０．９６）外延层，并对外延层特性进行了详细研究，提出在ＩｎＰ衬底上生长电外延层的机理，推导出生长动力学的理论模型，该模型与上述实验结果十分吻合。
曾庆科曾宪富
关键词：液相外延生长半导体薄膜
测量抗静电橡胶(塑料)体积电阻的方法及其测试仪
本发明是测量抗静电橡胶、塑料的体积电阻、电阻率的高频无接触测量法及测试仪，属体积电阻、电阻率测量方法及测试仪。;本发明完全克服了国内外标准有压法测量的加热、加压的麻烦及由此引起的测量误差大和无法测量试样在室温自由状态下的...
霍玉云曾宪富符史琚陈其鼎曾庆科
文献传递
硅和砷化镓的化学腐蚀研究
曾宪富
该文用化学腐蚀法，首先研究了各种腐蚀反应器减薄及溶质扩散的相互关系，然后用数学式子表达腐蚀扩散方程式。根据理论计算和相图原理，从各种腐蚀液和配方中找出配方设计和最佳条件。实验发现：可获得硅薄膜１０±２微米，砷化镓１２±２...
关键词：
关键词：表面处理化学腐蚀砷化镓硅
一种测量导电橡胶或导电塑料的电阻或电阻率的方法及其测试仪
一种测量导电橡胶或导电塑料的电阻或电阻率的方法及测试仪。本发明属电阻、电阻率测量方法及装置。本发明的要点在于使用镓-铟液态合金电极从而实现了无压测量，完全克服了国内外标准有压法测量的加热、加压的麻烦及由此引起测量误差大和...
曾宪富霍玉云李回昌陈其鼎符史琚
文献传递
节能光控日光灯装置
本实用新型是一种节能光控日光灯装置，其由光控开关电路、功率推动电路、负载电路共同组成。它解决了光控日光灯的实际问题，可直接自动控制日光灯的点亮、熄灭。其比光控白炽灯节电70％以上，寿命长3～5倍，完全解决了现有光控白炽灯...
曾宪富刘锦堃
文献传递
一种测量导电橡胶或导电塑料的电阻或电阻率的方法及测试仪
一种测量导电橡胶或导电塑料的电阻或电阻率的方法及测试仪。本发明属电阻、电阻率测量方法及装置。;本发明的要点在于使用镓—铟液态合金电极从而实现了无压测量，完全克服了国内外标准有压法测量的加热、加压的麻烦及由此引起测量误差大...
曾宪富霍玉云李回昌陈其鼎符史琚
测量抗静电橡胶(塑料)体积电阻的方法及其测试仪
本发明是测量抗静电橡胶、塑料的体积电阻、电阻率的高频无接触测量法及测试仪。属体积电阻，电阻率测量方法及测试仪。本发明完全克服了国内外标准有压法测量的加热、加压的麻烦及由此引起的测量误差大和无法测量试样在室温自由状态下的体...
霍玉云曾宪富陈其鼎符史琚曾庆科
文献传递
金与砷化镓界面过程动态X射线衍射研究
曾宪富迪波拉
该文用动态Ｘ射线衍射法研究了用电子束蒸发金膜在砷化镓单晶（１００）上的反应动力学行为。实验发现：将砷化镓样品加热到３００℃以上热处理，金与砷化镓表面开始反应，生成ＡｕＧａ化合物；在３００－４００℃之间，生成Ａｕ－Ｇａ固溶...
关键词：
关键词：化合物半导体器件半导体器件衍射砷化镓金
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0