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黄勇

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇栅介质
  • 3篇高K栅介质
  • 1篇等离子体处理
  • 1篇电流模型
  • 1篇短沟道
  • 1篇短沟道效应
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇全耗尽
  • 1篇阈值电压
  • 1篇界面层
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇绝缘
  • 1篇绝缘体
  • 1篇跨导
  • 1篇沟道
  • 1篇沟道效应
  • 1篇半导体
  • 1篇NH
  • 1篇锗

机构

  • 3篇华中科技大学

作者

  • 3篇徐静平
  • 3篇刘璐
  • 3篇黄勇
  • 2篇范敏敏
  • 2篇白玉蓉
  • 1篇罗权
  • 1篇刘晓宇

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2014
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
高k栅介质GeOI金属氧化物半导体场效应管阈值电压和亚阈斜率模型及其器件结构设计
2014年
通过求解沟道与埋氧层的二维泊松方程,同时考虑垂直沟道与埋氧层方向的二阶效应,建立了高κ栅介质GeOI金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的阈值电压和亚阈斜率解析模型,研究了器件主要结构参数对器件阈值特性、亚阈特性、短沟道效应、漏极感应势垒降低效应及衬偏效应的影响,提出了优化器件性能的结构参数设计原则及取值范围,模拟结果与TCAD仿真结果符合较好,证实了模型的正确性与实用性。
范敏敏徐静平刘璐白玉蓉黄勇
关键词：GEOIMOSFET阈值电压短沟道效应
高k栅介质小尺寸全耗尽绝缘体上锗p型金属氧化物半导体场效应晶体管漏源电流模型
2014年
通过求解沟道的二维泊松方程得到沟道表面势和沟道反型层电荷,建立了高k栅介质小尺寸绝缘体上锗(Ge OI)p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)的漏源电流解析模型.模型包括了速度饱和效应、迁移率调制效应和沟长调制效应,同时考虑了栅氧化层和埋氧层与沟道界面处的界面陷阱电荷、氧化层固定电荷对漏源电流的影响.在饱和区和非饱和区,漏源电流模拟结果与实验数据符合得较好,证实了模型的正确性和实用性.利用建立的漏源电流模型模拟分析了器件主要结构和物理参数对跨导、漏导、截止频率和电压增益的影响,对Ge OI PMOSFET的设计具有一定的指导作用.
白玉蓉徐静平刘璐范敏敏黄勇程智翔
关键词：跨导
NH_3等离子体处理钝化层致Ge MOS界面特性的改善被引量：1
2017年
制备了以TaYON作为钝化层,以HfTiON作为高k栅介质的Ge MOS电容。研究了NH_3和N_2等离子体处理TaYON对界面特性的影响。结果表明,N_2和NH_3等离子体处理可以有效改善器件的界面及电性能,其中,NH_3等离子体处理的效果更好,可获得更高的k值(25.9)、更低的界面态密度(6.72×10^(11) eV-1·cm^(-2))和等效氧化物电荷密度(-9.43×10^(11) cm^(-2)),以及更小的栅极漏电流(5.18×10^(-5) A/cm^2@V_g=1V+V_(fb))。原因在于NH3等离子体分解产生的N原子或H原子以及NH基团能有效钝化界面附近的悬挂键和缺陷态,防止GeO_x低k界面层的形成,N原子的结合也增加了介质的热稳定性。
罗权徐静平刘璐程智翔黄勇刘晓宇
关键词：高K栅介质等离子体处理表面钝化界面层
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