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胡红梅

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：华东师范大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
发文基金：上海市青年科技启明星计划国家自然科学基金“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电荷
  • 1篇高阻
  • 1篇共平面波导
  • 1篇硅基
  • 1篇CPW
  • 1篇传输损耗

机构

  • 1篇华东师范大学

作者

  • 1篇蒋菱
  • 1篇忻佩胜
  • 1篇徐钰
  • 1篇石艳玲
  • 1篇沈迪
  • 1篇朱荣锦
  • 1篇刘赟
  • 1篇胡红梅

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Si/SiO_2系统电荷对高阻硅基CPW传输损耗的影响被引量：1
2007年
通过高频C-V测试得到实验制备的共平面波导(CPW)下方的Si/SiO2系统电荷主要表现为正电荷,其密度约为4.8×1010/cm2。三种不同衬底上50Ω共平面波导分别为直接制备于高阻硅上、高阻硅氧化层上、去除信号线与地线间的高阻硅氧化层上。20GHz时,测得上述三种CPW的微波传输损耗分别为-0.88dB、-2.50dB及-1.06dB,因此去除线间氧化层使得传输线损耗降低了1.44dB。此外还测试了高阻硅氧化层和除去线间氧化层的高阻硅氧化层上的两种CPW的传输损耗随外加偏压的变化。
徐钰石艳玲沈迪胡红梅忻佩胜朱荣锦刘赟蒋菱
关键词：共平面波导
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共1页<1>
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