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胡致富
作品数:
1
被引量:5
H指数:1
供职机构:
华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系
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发文基金:
湖北省自然科学基金
国家自然科学基金
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相关领域:
理学
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合作作者
陈卫兵
华中科技大学光学与电子信息学院...
许胜国
华中科技大学光学与电子信息学院...
邹晓
华中科技大学光学与电子信息学院...
徐静平
华中科技大学光学与电子信息学院...
李艳萍
华中科技大学光学与电子信息学院...
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胡致富
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年份
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2006
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小尺寸MOSFET隧穿电流解析模型
被引量:5
2006年
基于表面势解析模型,通过将多子带等效为单子带,建立了耗尽/反型状态下小尺寸MOSFET直接隧穿栅电流解析模型.模拟结果与自洽解及实验结果均符合较好,表明此模型不仅可用于SiO2、也可用于高介电常数(k)材料作为栅介质以及叠层栅介质结构MOSFET栅极漏电特性的模拟分析,计算时间较自洽解方法大大缩短,适用于MOS器件电路模拟.
陈卫兵
徐静平
邹晓
李艳萍
许胜国
胡致富
关键词:
隧穿电流
MOSFET
解析模型
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