马强
- 作品数：8 被引量：13H指数：2
- 供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”湖北省杰出青年人才基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信更多>>
- 高电阻率多层纳米颗粒膜软磁特性及微波磁导率被引量：1
- 2008年
- 研究了应用于微波频段的多层纳米颗粒膜的电阻率、软磁特性和微波磁导率.采用多次顺序沉积Co40Fe40B20和SiO2薄层制备了薄膜.在100kA/m均匀面内磁场经过250℃真空退火2h,制备的Co40Fe40B20/SiO2多层膜具有难轴矫顽力为210A/m、饱和磁化强度为838.75kA/m、电阻率为2.06×103μΩcm,而且具有面内单轴各向异性场为2.78kA/m.该薄膜的微波磁导率实部为125并且保持到1.6GHz,其铁磁共振频率为1.73GHz;在1—2GHz范围,薄膜磁导率虚部具有较大值.
- 别少伟江建军马强杜刚袁林邸永江冯则坤何华辉
- 关键词：纳米颗粒膜电阻率
- 内应力对玻璃包覆钴基非晶丝巨磁阻抗的影响被引量：1
- 2008年
- 通过测量玻璃包覆钴基非晶丝、去除玻璃包覆层非晶丝和经直流焦耳热退火后玻璃包覆非晶丝的磁阻抗值,研究了玻璃包覆层和直流退火对玻璃包覆钴基非晶丝内应力及巨磁阻抗效应的影响。结果表明:通过处理,玻璃包覆非晶丝的GMI最大值更容易在弱磁场出现;随着淬火残余内应力的改变,导致样品壳内畴的体积增加,引起应力感生横向各向异性,从而增强GMI效应;其中经90mA直流退火的样品GMI峰值最大可达144%。
- 田斌江建军梁培马强何华辉
- 关键词：电子技术巨磁阻抗磁畴内应力非晶态
- 玻璃包覆钴基非晶丝巨磁阻抗的长度效应被引量：2
- 2007年
- 通过测量长度不同的玻璃包覆钴基非晶丝在频率为100kHz时的GMI值,近似计算出玻璃包覆钴基非晶丝的圆周磁导率。玻璃包覆钴基非晶丝圆周磁导率下降随着长度增加而变得剧烈,导致GMI变化更剧烈。利用玻璃包覆钴基非晶丝的磁畴模型,分析不同长度时玻璃包覆钴基非晶丝的磁化过程,合理解释了GMI效应随玻璃包覆钴基非晶丝长度增加而明显的现象。
- 田斌江建军何卿袁林邸永江马强
- 关键词：巨磁阻抗磁畴
- CoFeB/MgO不连续多层纳米软磁薄膜微波电磁特性被引量：6
- 2008年
- 采用直流/射频磁控溅射方法和不连续多层交替沉积工艺,制备了CoFeB/MgO系列纳米不连续多层薄膜,研究了微波频段下的电磁性能.结果表明,通过调整CoFeB合金相和MgO介质相的相对含量可有效调控薄膜的微结构和电磁性能,且在[Co64Fe24B12(0.7 nm)/MgO(0.4 nm)]40薄膜中获得了优良的微波软磁性能和高电阻率,其饱和磁化强度1.3 T,难轴矫顽力130 A/m,电阻率3.4 mΩ.cm,且共振频率高达2.1 GHz,磁导率实部μ′和虚部μ″在1.59 GHz处均高于240,并且在0.9—2 GHz宽频带范围同时大于100.该薄膜可用于微波吸收材料和电磁兼容的设计中.
- 马强江建军别少伟杜刚冯则坤何华辉
- 关键词：电磁性能吸波材料
- 基于从头算法的TM金属共掺杂的ZnO基稀磁半导体的磁性研究(英文)被引量：1
- 2009年
- 本文采用从头计算的方法研究了基于过渡性金属共掺杂II-VI族稀释半导体的磁性和电子结构。并系统的研究了氧化锌基的稀释半导体铁磁态的稳定性和对其材料设计。在所有的共掺杂体系中,发现(Mn,Co),(Co,Ni)和(Mn,Ni)共掺杂体系是铁磁态的,而(Fe,Ni)共掺杂体系是自旋玻璃态。另一方面,Fe-,Co-和Ni掺杂ZnO基系统的稳态是铁磁态。同时,本文研究了ZnO基稀释半导体的载流子传导铁磁性,计算分析了电子态密度,铁磁态的稳定性。结合双交换和超交换理论解释共掺杂稀释半导体的磁性机理。
- 梁培张韬奇田斌马强
- 关键词：ZNO基稀磁半导体共掺杂
- 玻璃包覆钴基非晶丝巨磁阻抗效应(英文)
- 2009年
- 本文讨论了长度对玻璃包覆钴基非晶丝巨磁阻抗效应的影响。通过测量不同频率下（0．1-1MHz）以及不同长度样品的巨磁阻抗效应，结果表明，长度对玻璃包覆钴基非晶丝巨磁阻抗效应有显著影响。通过计算样品的环向磁导率，发现样品的磁畴结构和饱和磁化后的退磁场影响着环向磁导率变化大小。没有加入恒定磁场时，特殊的磁畴结构决定了不同长度样品的环向磁导率近似相等。饱和磁化后，较长的样品的环向磁导率较小，其环向磁导率的变化较大，从而导致相应的巨磁阻抗效应增强。
- 田斌江建军马强梁培杜刚何华辉
- 关键词：巨磁阻抗磁畴
- 张应力退火对玻璃包覆钴基非晶丝GMI影响
- 2009年
- 采用张应力–焦耳热方式对玻璃包覆钴基非晶丝进行退火,测量其退火后的磁滞回线和磁阻抗值,研究张应力退火对玻璃包覆钴基非晶丝静磁性能和巨磁阻抗(GMI)效应的影响。结果表明:通过处理,其各向异性场降低,其中经140MPa张应力退火的样品GMI峰值最大可达80%,所对应的磁场强度降至60A/m。随着玻璃包覆钴基非晶丝内应力的改变,导致样品壳内畴的体积增加,引起应力感生横向各向异性,从而影响GMI效应。
- 田斌马强梁培江建军
- 关键词：巨磁阻抗磁畴内应力非晶态
- CoFeB-SiO_2磁性不连续多层颗粒膜微波电磁特性被引量：3
- 2008年
- 采用直流/射频磁控溅射方法和不连续多层交替溅射工艺,制备了CoFeB-SiO_2系列纳米不连续多层磁性颗粒膜,并对制备的薄膜样品进行了不同温度下的退火处理.实验结果表明,通过调整SiO_2绝缘介质相含量及磁场退火温度可有效地调控薄膜微结构和微波电磁特性.制备的薄膜样品在GHz微波频段同时具有高磁导率和高磁损耗,1.5GHz处薄膜复相对磁导率实部和虚部均大于260,同时电阻率高达1.38mΩ.cm.该薄膜样品可应用于微波吸收材料和抗电磁干扰的设计中.
- 江建军马强别少伟杜刚梁培何华辉
- 关键词：微波电磁特性复磁导率
