吴云翼
- 作品数：40 被引量：16H指数：2
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：江西省自然科学基金国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>
- 一种A位Pr掺杂BIT薄膜及其制备方法
- 本发明公开了一种A位Pr掺杂BIT(钛酸铋)薄膜及其制备方法。该薄膜的组成分子式为Bi<Sub>(4-11x/9)</Sub>Pr<Sub>x</Sub>Ti<Sub>3</Sub>O<Sub>12</Sub>，x取值0...
- 吴云翼李帅张华吕琴丽雷洋刘晓鹏王树茂蒋利军
- 文献传递
- Yb掺杂量对SrCeO_3固体电解质导电性能的影响被引量：1
- 2015年
- 通过固相反应法制备了Yb掺杂量分别为5%、10%和15%的SrCeO3电解质陶瓷粉体,通过Fullprof对SrCeO3电解质粉体的XRD图谱进行了全谱分析。通过电化学阻抗谱法对烧结电解质在不同气氛下的导电性能进行了表征。结果表明,600~800℃温度范围内当Yb掺杂量为10%时,经过密度修正后理想致密的SrCeO3电解质具有最高电导率,在含水氢气气氛中800℃下电解质总电导率可以达到8.2×10-3S/cm。当Yb掺杂量为15%时电解质中出现Yb3O4第二相,导致电解质总电导率有所降低。在不同气氛中电解质电导率由低到高的顺序为：干燥氩气〈湿润氩气〈干燥空气〈干燥氢气〈湿润空气≈湿润氢气。
- 张超雷洋刘晓鹏李帅何迪张华吕琴丽吴云翼蒋利军
- 关键词：固体电解质电导率
- 介观耗散电容耦合电路的库仑阻塞效应被引量：1
- 2004年
- 该文基于介观电路中电荷应是量子化的这一事实,应用正则量子化方法给出了介观耗散电容耦合电路的量子化方法和库仑阻塞条件.研究结果表明:介观耗散电容耦合电路的库仑阻塞条件不仅与电路中的电容和电感有关,而且与耗散电阻有关;随着耗散电阻的增大,库仑阻塞现象更加明显.该文还讨论了介观电容耦合电路的量子涨落.
- 陈明玉吴云翼雷敏生嵇英华
- 关键词：库仑阻塞量子涨落介观电路量子化
- 铁电存储器用铁电薄膜的紫外光辅助制备方法
- 本发明公开了一种铁电存储器用铁电薄膜的紫外光辅助制备方法，属于微电子信息功能材料与器件领域。本发明铁电存储器用PZT前驱体溶液浓度为0.1～0.3mol/l。每次旋转匀胶后，都对薄膜进行烘烤并辅以均匀紫外光辐照，光照度为...
- 于军李建军王耘波周文利高俊雄闻心怡吴云翼周光惺
- 文献传递
- 一种金属陶瓷多孔层及其制备方法
- 本发明属于无机膜制备及应用技术领域，特别涉及一种金属陶瓷多孔层及其制备方法。所述金属陶瓷多孔层，由陶瓷粉体、活性金属粉体和多孔金属构成。其制备步骤包括：将陶瓷粉体与活性金属粉体混合后，均匀分散在溶液中，球磨，将得到的金属...
- 李帅张超刘晓鹏何迪吕琴丽张华吴云翼蒋利军
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- 一种改进型大尺寸样品硒化处理装置
- 一种改进型大尺寸样品硒化处理装置，包括外壳，原料容器，原料加热装置，基片支撑台，基片加热器，原料加热装置热电偶，基片加热器热电偶和温度显示及控制装置；原料容器设置在外壳内；原料容器内具有原料加热装置，原料加热装置上设置原...
- 李弢华志强吴云翼郜健
- 文献传递
- 一种A位Pr掺杂BTO薄膜材料及其制备方法
- 本发明涉及信息存储薄膜材料领域，公开了一种A位Pr掺杂BTO薄膜材料，它是由镨、铋、钛和氧离子组成的，其组成分子式为Bi<Sub>(4－11x/9)</Sub>Pr<Sub>x</Sub>Ti<Sub>3</Sub>O<...
- 于军吴云翼王耘波周文利高俊雄李建军郑朝丹刘心明
- 文献传递
- 耗散介观并联RLC电路的量子化及其量子涨落被引量：1
- 2004年
- 从电阻产生的物理机制即电子与晶格振动的相互作用出发,对并联RLC电路进行了量子化,并讨论了在低温和高温极限下相应物理量的量子涨落。
- 阮文吴云翼陈明玉嵇英华雷敏生
- 关键词：量子化量子涨落RLC电路晶格振动耗散物理机制
- 铁电存储器用铁电薄膜的紫外光辅助制备方法
- 本发明公开了一种铁电存储器用铁电薄膜的紫外光辅助制备方法，属于微电子信息功能材料与器件领域。本发明铁电存储器用PZT前驱体溶液浓度为0.1～0.3mol/l。每次旋转匀胶后，都对薄膜进行烘烤并辅以均匀紫外光辐照，光照度为...
- 于军李建军王耘波周文利高俊雄闻心怡吴云翼周光惺
- 文献传递
- 一种金属陶瓷多孔层及其制备方法
- 本发明属于无机膜制备及应用技术领域，特别涉及一种金属陶瓷多孔层及其制备方法。所述金属陶瓷多孔层，由陶瓷粉体、活性金属粉体和多孔金属构成。其制备步骤包括：将陶瓷粉体与活性金属粉体混合后，均匀分散在溶液中，球磨，将得到的金属...
- 李帅张超刘晓鹏何迪吕琴丽张华吴云翼蒋利军
- 文献传递
