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陈士荣

作品数：23 被引量：0H指数：0
供职机构：合肥工业大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术一般工业技术电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 23篇中文专利

领域

  • 6篇自动化与计算...
  • 5篇电子电信
  • 5篇一般工业技术
  • 2篇电气工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程

主题

  • 7篇感器
  • 7篇传感
  • 7篇传感器
  • 6篇窄带
  • 6篇探测器
  • 6篇肖特基
  • 4篇单晶
  • 4篇单晶硅
  • 4篇肖特基结
  • 4篇光电
  • 4篇光电探测
  • 4篇光电探测器
  • 4篇红外
  • 3篇电极
  • 3篇异质结
  • 3篇速度传感器
  • 3篇加速度
  • 3篇加速度传感器
  • 2篇底电极
  • 2篇电池

机构

  • 23篇合肥工业大学

作者

  • 23篇陈士荣
  • 13篇许高斌
  • 13篇马渊明
  • 11篇于永强
  • 9篇陈兴
  • 4篇吴春艳
  • 3篇张宇
  • 2篇张涛
  • 2篇罗林保
  • 2篇王博
  • 2篇王琪
  • 2篇张浩
  • 2篇潘志强
  • 2篇王友义
  • 1篇王峰
  • 1篇高雅

年份

  • 3篇2024
  • 5篇2023
  • 6篇2022
  • 2篇2021
  • 5篇2020
  • 1篇2017
  • 1篇2016
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种MEMS热电堆红外探测器及制备方法
本发明属于微机电系统MEMS技术领域，具体涉及一种MEMS热电堆红外探测器及制备方法。红外探测器由下至上依次包括衬底层、牺牲层、支撑层、圆形吸收区和热电堆；热电堆包括若干根热电偶，若干根热电偶依次电气串联，且中心对称均匀...
许高斌杨朝晖陈士荣陈兴马渊明王琪李海生
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一种硅基微腔窄带近红外光电探测器
本发明公开了一种硅基微腔窄带近红外光电探测器，该探测器的结构为：以单晶硅衬底为基底；单晶硅衬底的上表面刻蚀为硅微孔阵列结构；在硅微孔阵列上设置有上绝缘层；在单晶硅衬底下表面转移有石墨烯薄膜，形成石墨烯‑硅肖特基异质结；在...
于永强宋龙梅夏宇刘佳杨许高斌马渊明陈士荣
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一种自滤光可见盲硅兼容的红外光电探测器
本发明公开了一种自滤光可见盲硅兼容的红外光电探测器，该探测器的结构为：以单晶硅衬底为基底，单晶硅衬底的上表面刻蚀为硅微孔阵列结构；在单晶硅衬底的下表面转移有一层石墨烯薄膜，形成硅‑石墨烯肖特基结；在石墨烯薄膜的下表面设置...
于永强夏宇张浩张涛许高斌陈士荣马渊明
文献传递
一种硅肖特基结线阵列近红外光电探测器
本发明公开了一种硅肖特基结线阵列近红外光电探测器，是以单晶硅为衬底，在单晶硅上表面刻蚀有六边形硅微孔阵列、下表面填充有二维MXene材料。本发明所制备的探测器实现了窄带近红外响应，具有响应速度快，稳定性好，探测率高等优势...
陈士荣谢泽宇刘皓文温国华耿闯于永强
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基于Si锥/CuO异质结的自驱动光电探测器及其制备方法
本发明公开了基于Si锥/CuO异质结的自驱动光电探测器及其制备方法，是在带有绝缘层的Si基底上刻蚀形成Si锥阵列，再通过磁控溅射在Si锥阵列的上方沉积CuO薄膜，构建Si锥/CuO垂直结构异质结，然后再转移石墨烯到CuO...
陈士荣李心贺丁宇嵩王博赵妍吴春艳
一种MEMS热电堆红外探测器及制备方法
本发明属于微机电系统MEMS技术领域，具体涉及一种MEMS热电堆红外探测器及制备方法。红外探测器由下至上依次包括衬底层、牺牲层、支撑层、圆形吸收区和热电堆；热电堆包括若干根热电偶，若干根热电偶依次电气串联，且中心对称均匀...
许高斌杨朝晖陈士荣陈兴马渊明王琪李海生
文献传递
一种自滤光可见盲硅兼容的红外光电探测器
本发明公开了一种自滤光可见盲硅兼容的红外光电探测器，该探测器的结构为：以单晶硅衬底为基底，单晶硅衬底的上表面刻蚀为硅微孔阵列结构；在单晶硅衬底的下表面转移有一层石墨烯薄膜，形成硅‑石墨烯肖特基结；在石墨烯薄膜的下表面设置...
于永强夏宇张浩张涛许高斌陈士荣马渊明
一种硅肖特基结线阵列近红外光电探测器
本发明公开了一种硅肖特基结线阵列近红外光电探测器，是以单晶硅为衬底，在单晶硅上表面刻蚀有六边形硅微孔阵列、下表面填充有二维MXene材料。本发明所制备的探测器实现了窄带近红外响应，具有响应速度快，稳定性好，探测率高等优势...
陈士荣谢泽宇刘皓文温国华耿闯于永强
一种片式电阻器
本发明公开了一种片式电阻器，包括绝缘基片，以及设于绝缘基片其中一表面的电阻片，以及对立设于电阻片两端的电极，所述绝缘基片上设有旋转件，所述电阻片通过旋转件可转动安装，电阻片的两端与电极滑动接触，通过转动电阻片改变电阻片两...
陈士荣
基于Si锥/CuO异质结的自驱动光电探测器及其制备方法
本发明公开了基于Si锥/CuO异质结的自驱动光电探测器及其制备方法，是在带有绝缘层的Si基底上刻蚀形成Si锥阵列，再通过磁控溅射在Si锥阵列的上方沉积CuO薄膜，构建Si锥/CuO垂直结构异质结，然后再转移石墨烯到CuO...
陈士荣李心贺丁宇嵩王博赵妍吴春艳
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