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赵旭鹏

作品数：16 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学一般工业技术文化科学交通运输工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 4篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 4篇理学
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇电子电信
  • 2篇交通运输工程
  • 2篇文化科学
  • 1篇建筑科学

主题

  • 7篇感器
  • 7篇传感
  • 7篇传感器
  • 6篇隧道结
  • 6篇磁各向异性
  • 6篇磁敏
  • 6篇磁敏传感器
  • 5篇自旋
  • 5篇磁化
  • 4篇多层膜
  • 4篇势垒
  • 4篇势垒层
  • 4篇铁磁
  • 4篇自旋轨道
  • 4篇晶格匹配
  • 4篇垂直磁各向异...
  • 4篇磁隧道结
  • 4篇磁性
  • 4篇磁性层
  • 3篇宽线性

机构

  • 16篇中国科学院
  • 1篇北京科技大学

作者

  • 16篇赵建华
  • 16篇赵旭鹏
  • 8篇鲁军
  • 2篇朱礼军
  • 1篇徐晓光
  • 1篇姜勇
  • 1篇苗君

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 5篇2016
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
全电学调控的多功能自旋轨道力矩型器件及制备方法
本公开提供了一种全电学调控的多功能自旋轨道力矩型器件，顺次制作包括：基片、平滑层、垂直易磁化层、重金属层、面内易磁化层和覆盖层；所述垂直易磁化层的材料为垂直磁各向异性Mn基铁磁金属或亚铁磁金属，包括L1<Sub>0</S...
赵旭鹏赵建华
文献传递
基于超顺磁性薄膜的隧穿磁电阻效应磁敏传感器
本发明公开了一种基于超顺磁性薄膜的隧穿磁电阻效应磁敏传感器及其制备方法，该隧穿磁电阻效应磁敏传感器包括：衬底；平滑层，设置在衬底上；探测磁性层，设置在平滑层上，其中，探测磁性层为具有超顺磁性的薄膜；势垒层，设置在探测磁性...
赵建华赵旭鹏秦红蕊
文献传递
L1<Sub>0</Sub>-MnGa或L1<Sub>0</Sub>-MnAl基宽线性响应磁敏传感器及制备方法
一种L1<Sub>0</Sub>‑MnGa或MnAl基宽线性响应磁敏传感器，包括：一基片，为后续生长的多层膜提供外延基础；一平滑层，其制作在基片上，提供良好的界面平整度和晶格匹配；一参考磁性层，其制作在平滑层上，拥有高晶...
鲁军赵旭鹏毛思玮朱礼军赵建华
文献传递
新型L10-MnGa基磁性隧道结的研制
垂直磁各向异性材料由于其在自旋电子学器件、高密度磁存储等领域具有重要的应用价值而备受关注.L10-MnGa合金具有较大的垂直磁各向异性(26Merg/cc)、较低的磁阻尼因子(0.003)和较高的自旋极化度(～71％),...
鲁军赵旭鹏毛思玮赵建华
关键词：磁敏传感器
L1&lt;sub&gt;0&lt;/sub&gt;‑MnGa或MnAl基宽线性响应磁敏传感器及制备方法
一种L1<Sub>0</Sub>‑MnGa或MnAl基宽线性响应磁敏传感器，包括：一基片，为后续生长的多层膜提供外延基础；一平滑层，其制作在基片上，提供良好的界面平整度和晶格匹配；一参考磁性层，其制作在平滑层上，拥有高晶...
鲁军赵旭鹏毛思玮朱礼军赵建华
全电学调控的多功能自旋轨道力矩型器件及制备方法
本公开提供了一种全电学调控的多功能自旋轨道力矩型器件，顺次制作包括：基片、平滑层、垂直易磁化层、重金属层、面内易磁化层和覆盖层；所述垂直易磁化层的材料为垂直磁各向异性Mn基铁磁金属或亚铁磁金属，包括L1<Sub>0</S...
赵旭鹏赵建华
文献传递
基于超顺磁性薄膜的隧穿磁电阻效应磁敏传感器
本发明公开了一种基于超顺磁性薄膜的隧穿磁电阻效应磁敏传感器及其制备方法，该隧穿磁电阻效应磁敏传感器包括：衬底；平滑层，设置在衬底上；探测磁性层，设置在平滑层上，其中，探测磁性层为具有超顺磁性的薄膜；势垒层，设置在探测磁性...
赵建华赵旭鹏秦红蕊
以超薄Co2MnSi为插层的全MnGa基垂直磁隧道结
基于自旋转移力矩效应的磁随机存储器件(STT-MRAM）兼备了存储密度高、功耗低、数据处理速度快、热稳定性强和非易失性等诸多优势,是相关领域的研究热点.然而,这些优点对STT-MRAM的核心结构---具有垂直易磁化特性的...
毛思玮鲁军赵旭鹏赵建华
关键词：分子束外延
自旋轨道力矩型器件及磁存储器
本公开提供了一种自旋轨道力矩型器件及磁存储器，该自旋轨道力矩型器件包括基片、面内易磁化层、垂直易磁化层和重金属层。其中，面内易磁化层和垂直易磁化层之间存在铁磁交换耦合作用，使得面内易磁化层和垂直易磁化层形成的整体具有倾斜...
赵旭鹏赵建华
Heusler合金为插层的MnGa基垂直磁隧道结及制备方法
一种Heusler合金为插层的MnGa基垂直磁隧道结，包括：一衬底，是实现多层膜外延生长的基础；一缓冲层，其制作在衬底上，用于平滑衬底表面并减小晶格失配度；一下电极，其制作在缓冲层上，外延生长；一下插层，其制作在下电极上...
鲁军毛思玮赵旭鹏赵建华
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