刘智
- 作品数：2 被引量：4H指数：1
- 供职机构：郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划河南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 退火温度对氢掺杂AZO薄膜热稳定性的影响被引量：1
- 2018年
- 利用直流磁控溅射方法低温沉积了氢掺杂AZO(H-AZO)薄膜,研究了不同退火温度下H-AZO薄膜的电学、结构和光学性能的变化。结果表明,300℃退火时,H-AZO薄膜的电阻率和光学带隙不变。而400℃退火时,薄膜电阻由4.7×10^(-4)升高到1.43×10^(-3)Ω·cm,并且光学带隙减小。由于300℃退火时H-AZO薄膜的热稳定性好,将其用作低温制备薄膜太阳电池的透明导电膜具有很好的发展潜力。
- 李乐苌瑞广刘智朱志立谷锦华
- 关键词：AZO薄膜磁控溅射退火热稳定性
- 直流磁控溅射技术低温制备高电导和高透明的氢掺杂AZO薄膜被引量：3
- 2017年
- 采用直流磁控溅射的方法制备掺铝氧化锌(AZO)透明导电薄膜,通过溅射过程中加入氢气的方法来降低AZO薄膜的电阻率。结果表明:通过加入氢气的方法能有效降低AZO薄膜的电阻率;在衬底温度为225℃的低温条件下,通过优化其它沉积参数,制备了电阻率最低为4.5×10^(-4)Ω·cm、可见光区平均透光率在90%的优质AZO薄膜。这说明在溅射过程中引入一定流量的氢气,H可以起到掺杂作用,提高AZO薄膜的电导率。
- 刘智徐晴谷锦华卢景霄
- 关键词：AZO薄膜直流磁控溅射电阻率
