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季旭

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中山大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇晶片
  • 2篇带隙
  • 2篇电阻率
  • 2篇退火
  • 2篇退火处理
  • 2篇金属
  • 2篇金属锂
  • 2篇金线
  • 2篇抗辐射
  • 2篇可重复性
  • 2篇宽带隙
  • 2篇高阻
  • 2篇恒流
  • 2篇恒流放电
  • 2篇放电
  • 2篇辐射探测器
  • 2篇半导体
  • 1篇导体
  • 1篇电导性
  • 1篇电导性能

机构

  • 6篇中山大学

作者

  • 6篇季旭
  • 5篇黄丰
  • 4篇董美
  • 2篇严崐

年份

  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种高电阻率单晶ZnO基辐射探测器件及其制备方法和应用
本发明公开了一种高电阻率单晶ZnO基辐射探测器件及其制备方法和应用。所述制备方法包括如下步骤：S1.制备高电阻率单晶ZnO晶片；S2.在高电阻率单晶ZnO晶片的双侧蒸镀金属电极层；S3.将步骤S2处理后的晶片结合到电路板...
黄丰季旭董美严崐
文献传递
一种高电阻率单晶氧化锌及其制备方法和应用
本发明公开了一种高电阻率单晶氧化锌及其制备方法和应用。该方法是将单晶ZnO晶片置于金属锂电化学装置中恒流放电处理后，放于800～1000℃、10～30atm的高压氧气气氛中退火处理20～28小时，得到所述高电阻率单晶氧化...
黄丰季旭董美
一种高电阻率单晶氧化锌及其制备方法和应用
本发明公开了一种高电阻率单晶氧化锌及其制备方法和应用。该方法是将单晶ZnO晶片置于金属锂电化学装置中恒流放电处理后，放于800～1000℃、10～30atm的高压氧气气氛中退火处理20～28小时，得到所述高电阻率单晶氧化...
黄丰季旭董美
文献传递
绝对化学式指导化合物半导体薄膜载流子调控
我们发现了化合物半导体载流子类型调控的一个潜在规则，这一规则将原本看上去无关的化合物半导体薄膜中的载流子浓度及类型调控与材料的绝对化学式直接联系起来：在不存在反位替代的情况下，材料的p型与n型仅由其绝对化学式决定(图1举...
黄丰季旭
关键词：热力学薄膜生长
一种高电阻率单晶ZnO基辐射探测器件及其制备方法和应用
本发明公开了一种高电阻率单晶ZnO基辐射探测器件及其制备方法和应用。所述制备方法包括如下步骤：S1.制备高电阻率单晶ZnO晶片；S2.在高电阻率单晶ZnO晶片的双侧蒸镀金属电极层；S3.将步骤S2处理后的晶片结合到电路板...
黄丰季旭董美严崐
文献传递
ZnO基薄膜电导性能的极性分子调制
氧化锌是一种极富生命力的宽直接带隙半导体材料。由于其所具备的出色的物理属性而受到研究人员的广泛关注，如大的激子束缚能(60meV)可以实现550K的激子发射，这可以在光电领域中制备低阀值的激子激光器;大的压电系数(e33...
季旭
关键词：半导体材料分子束外延法电导性能极化特征
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