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朱康伟

作品数:22 被引量:7H指数:2
供职机构:中国工程物理研究院更多>>
相关领域:金属学及工艺化学工程理学经济管理更多>>

文献类型

  • 20篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 4篇金属学及工艺
  • 2篇化学工程
  • 1篇经济管理
  • 1篇理学

主题

  • 4篇碲锌镉
  • 4篇离化
  • 4篇晶体
  • 4篇晶体生长
  • 4篇改性层
  • 4篇磁强计
  • 4篇磁通门磁强计
  • 3篇氮化
  • 3篇金属
  • 2篇氮化物
  • 2篇等离子体
  • 2篇电器件
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶合成
  • 2篇信噪比
  • 2篇一体化
  • 2篇阴极
  • 2篇阴极效应
  • 2篇蒸汽压
  • 2篇设备损坏

机构

  • 22篇中国工程物理...

作者

  • 22篇朱康伟
  • 13篇胡殷
  • 10篇杨瑞龙
  • 8篇刘政豪
  • 7篇刘毅
  • 6篇龙重
  • 5篇刘静
  • 4篇张鹏程
  • 4篇刘柯钊
  • 4篇王晓芳
  • 3篇张永彬
  • 2篇赵晓冲
  • 2篇陈林
  • 2篇刘天伟
  • 2篇杨锁龙
  • 2篇罗丽珠
  • 2篇马策
  • 2篇雷代富
  • 2篇罗文华
  • 2篇高博

传媒

  • 2篇无损检测

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2021
  • 6篇2020
  • 1篇2019
  • 9篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
22 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种提高碲锌镉多晶合成稳定性的装置及其方法
本发明公开了一种提高碲锌镉多晶合成稳定性的装置及其方法,目的在于解决碲锌镉在合成过程中,容易发生石英管爆炸,导致管裂事故发生的问题。本发明在保压内胆中充入保护气体,通过调节保压内胆中的充气压力来平衡或降低石英坩埚内外压力...
杨瑞龙朱康伟刘毅王晓芳胡殷张鹏程
基于磁性标记的顺磁箱内物体位移测量装置及其测量方法
本发明公开了一种基于磁性标记的顺磁箱内物体位移测量装置,包括磁屏蔽间、龙门式测量架、磁性标记、第一测量系统和第二测量系统,其中:龙门式测量架设置在磁屏蔽间内,其内放置有装载了被测物体的顺磁箱;磁性标记固定在被测物体离顺磁...
刘政豪朱康伟刘静徐庆东
文献传递
一种基于超导量子干涉仪的涡流检测装置
本发明提供了能进一步提高样品检测深度的一种基于超导量子干涉仪的涡流检测装置,包括单结的超导量子干涉仪芯片和圆柱形的激励线圈;激励线圈位于超导量子干涉仪芯片和信号窗口之间,且激励线圈的轴线垂直于无磁性位移台;超导量子干涉仪...
刘政豪朱康伟张玮
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一种充气保护的晶体生长装置及方法
本发明公开了一种充气保护的晶体生长装置及方法,属于晶体制备领域,目的在于解决现有改进的垂直布里奇曼法生长法制备碲化镉或碲锌镉等晶体时,其中的石英坩埚耐压能力不足,容易产生裂管现象,造成原料损失与设备损坏的问题。该装置包括...
杨瑞龙朱康伟刘毅王晓芳胡殷张鹏程
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基于磁通门磁强计平行分量法的深层涡流检测被引量:5
2018年
采用磁场平行分量法,用磁通门磁强计进行深层涡流检测,该方法通过测量方向与本底磁场垂直的涡流磁场平行分量的方式,能有效避免较强的本底磁场干扰,并能清晰分辨线缺陷与十字形缺陷的特征,对多层铝板的检测深度至少达到14mm,并发现十字形缺陷的涡流磁场信号幅度比线缺陷的涡流磁场信号幅度更强,且随着缺陷深度的增加,其信号幅度衰减速率更慢。
刘政豪朱康伟张玮雷代富王斗
关键词:涡流检测磁通门磁强计
一种金属钨表面纳米化的装置及其方法
本发明公开了一种金属钨表面纳米化的装置及其方法,是采用设置有小孔的钨筒作为空心阴极装置,形成空心阴极效应,离化氦气,并获得低电压、大电流的氦等离子体,并使氦离子轰击作用于钨样品表面,通过空心阴极效应在5min钟内迅速升高...
胡殷龙重朱康伟陈林刘天伟邢颖高博徐海燕王文渊孟宪东
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基于磁通门磁强计的顺磁性金属深层缺陷涡流检测被引量:3
2020年
深层缺陷的涡流检测需要低频下灵敏度较高的磁传感器,基于磁通门磁强计灵敏度较高且无需低温冷却的优点,研制了深层涡流检测系统,通过对激励磁场平行分量置零后提高激励磁场幅度的方式,来提升检测深度和信噪比。在之前实现的6061铝合金14mm检测深度的基础上,采用快速傅里叶变换的方法降低噪声、优化激励频率的方式提升检测深度,将铝合金的检测深度提高到16mm,304不锈钢的检测深度达到20mm。通过测量未知缺陷的最优激励频率,根据频率-深度曲线亦能大致估算其所处深度。
刘政豪朱康伟张玮雷代富王斗
关键词:涡流检测磁通门磁强计磁场测量
一种金属铀表面渗硅改性层及其制备方法、制备装置
本发明公开了一种金属铀表面渗硅改性层及其制备方法、制备装置,在金属铀表面的渗硅改性层;所述渗硅改性层的为陶瓷态的铀硅氧钝化膜;所述渗硅改性层的厚度为不低于200nm;本发明还公开了一种金属铀表面渗硅改性层的制备方法和制备...
张永彬胡殷闫婷文朱康伟周寰林潘启发钟火平杨瑞龙周萍刘柯钊
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一种一体化的铀氮化物热电转换装置
本发明公开了一种一体化的铀氮化物热电转换装置,包括壳体以及安装在壳体上且具有自发热功能的热电转换装置;热电转换装置包括转换模块;转换模块包括第一导电片、N型半导体、P型半导体以及与N型半导体、P型半导体分别连接的两个第二...
刘静赵晓冲刘柯钊胡殷龙重朱康伟刘毅杨瑞龙
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一种钽表面碳化改性的方法及其制备的产品
本发明公开了一种钽表面碳化改性的方法及其制备的产品,目的在于解决钽材料具有高熔点,现有的钽碳化表面改性技术工艺复杂,改性层组织不易控制等的问题。本发明在控制真空室内杂质状态的前提下,离化甲烷气体,在金属钽的表面通过碳离子...
朱康伟胡殷周寰林罗文华龙重马策杨锁龙陈晓龙罗志鹏罗丽珠
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共3页<123>
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