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刘波

作品数:30 被引量:102H指数:6
供职机构:四川大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国人民解放军总装备部预研基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>

文献类型

  • 27篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 10篇一般工业技术
  • 7篇理学
  • 5篇电气工程
  • 4篇机械工程
  • 2篇核科学技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇建筑科学
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 5篇性能研究
  • 5篇碳团簇
  • 5篇团簇
  • 5篇热稳定
  • 5篇热稳定性
  • 3篇热稳定性研究
  • 3篇吸波
  • 3篇聚变
  • 3篇惯性约束
  • 3篇惯性约束聚变
  • 3篇光刻
  • 3篇光学
  • 3篇厚胶光刻
  • 2篇阵列
  • 2篇双折射
  • 2篇铜互连
  • 2篇阻挡层
  • 2篇微结构
  • 2篇宽频
  • 2篇互连

机构

  • 25篇四川大学
  • 7篇西安交通大学
  • 3篇西安建筑科技...
  • 3篇中国科学院
  • 2篇教育部
  • 2篇中国工程物理...
  • 1篇洛阳船舶材料...
  • 1篇河南城建学院
  • 1篇西北有色金属...
  • 1篇陕西师范大学

作者

  • 30篇刘波
  • 9篇朱正和
  • 9篇蒋刚
  • 8篇徐国亮
  • 6篇郭永康
  • 6篇温圣林
  • 5篇任丁
  • 5篇徐可为
  • 4篇林黎蔚
  • 4篇罗洁
  • 4篇唐雄贵
  • 3篇姚欣
  • 3篇杜惊雷
  • 3篇张莉
  • 3篇高福华
  • 3篇杨斌
  • 2篇杨经国
  • 2篇董小春
  • 2篇刘倩
  • 2篇张怡霄

传媒

  • 3篇金属学报
  • 3篇原子与分子物...
  • 3篇功能材料
  • 2篇物理学报
  • 2篇四川大学学报...
  • 2篇光电工程
  • 1篇中国激光
  • 1篇光学学报
  • 1篇纺织器材
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇激光杂志
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇光散射学报
  • 1篇战术导弹技术
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇原子核物理评...
  • 1篇中国材料科技...
  • 1篇中国科技论文
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇第五届中国功...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2014
  • 4篇2013
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 3篇2007
  • 4篇2006
  • 4篇2005
  • 3篇2004
  • 2篇2003
  • 3篇2002
  • 1篇1996
  • 1篇1995
30 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
厚胶光刻中曝光光强对光化学反应速率的影响被引量:2
2006年
针对用于厚层光刻的重氮萘醌类正性光刻胶,利用动力学模型,分析了光化学反应速率的影响因素;给出了光化学反应速率明显受光强变化的影响以致互易律失效的原因。对厚度24μm的光刻胶AZP4620在相同曝光量而光强分别为3.2mW/cm2和0.63mW/cm2的条件下进行了数值模拟和实验。当曝光光强为3.2mW/cm2时仅需300s,即可显影完全,而当曝光光强为0.63mW/cm2时需要的时间长达2400s,才显影完全,且面形轮廓差异较大。因此,在厚胶光刻中,当曝光光强较大时应适当减小曝光量,反之,应适当增加曝光量。
唐雄贵郭永康杜惊雷温圣林刘波罗伯靓董小春
关键词:厚胶光刻光化学反应光强动力学模型
烘焙工艺条件对厚胶光刻面形的影响被引量:15
2005年
采用厚层正性光刻胶AZ P4620进行光刻实验,考察了在前烘和坚膜阶段不同的工艺参数条件下的光刻胶浮雕面形的变化。实验表明,完全显影后光刻胶的浮雕面形受前烘工艺参数的影响很小,但其显影速率有一定差别;当坚膜烘焙后,不同前烘条件下的浮雕面形差别较大;当前烘条件相同时,坚膜参数的变化对光刻胶的浮雕面形影响较大。由此得出,在前烘阶段应采取较高温度、较短时间的烘焙,而在坚膜阶段应采取较低温度、较长时间的烘焙,这样可提高厚胶光刻面形的质量。
唐雄贵姚欣郭永康杜惊雷温圣林刘波刘倩董小春
关键词:厚胶光刻
Cu/Cu(Ge,Zr)/SiO_2/Si多层膜界面可控反应及热稳定性研究
2013年
利用多靶磁控溅射技术在SiO_2/Si基体上沉积Cu/Cu(Ge,Zr)多层薄膜,采用四探针仪(FPPT),X射线衍射仪(XRD),高分辨透射电镜(HRTEM),X射线光电子能谱(XPS)和原位纳米电子束探针能谱(EDS)表征多层薄膜退火前后电阻率、微观结构和界面成分的演变及行为.结果表明,在低温退火阶段(<200℃),Cu(Ge,Zr)膜层中Ge与Cu选择性反应形成低阻Cu_3Ge相,有效抑制Cu与Si的早期扩散;在高温下(>450℃),Zr原子在Cu_3Ge/SiO_2界面析出并与SiO_2层进一步反应形成稳定非晶ZrOx/ZrSiyOx化合物.Cu(Ge,Zr)薄膜中异质原子及与相邻膜层间分步选择性自反应合成高热稳Cu_3Ge/ZrO_x/ZrSi_yO_x复合阻挡层,使Cu/Cu(Ge,Zr)/SiO_2/Si多层膜具有高热稳定性.
张彦坡任丁林黎蔚杨斌王珊玲刘波徐可为
关键词:热稳定性
不同厚度的双层碳团簇型微波隐身材料性能研究被引量:4
2004年
通过微波隐身材料结构设计,对不同厚度的双层碳团簇型微波隐身材料在8.2~12.4GHz频率范围内的吸波性能进行了研究.发现对于不同的厚度要求,要使材料具有良好的吸波性能,应选用具有不同电导率σ的碳团簇型材料.对于总厚度为4mm的材料,反射峰值-31.0dB,有效带宽为3.74GHz;对于变换层为1mm、吸收层为2mm、总厚度为3mm的材料,最小反射率为-40.0dB,有效带宽3.8GHz;对于变换层和吸收层分别为1mm的材料,最小反射率达-33dB,有效带宽为3.3GHz.同时发现,当变换层和吸收层厚度相等时,材料的排列顺序不同,所得的吸收效果会存在很大差异,即材料的方向性显著,而当两者厚度不等时,材料的吸波性能基本与其排列顺序无关,方向性不显著.
徐国亮朱正和蒋刚刘波张莉
关键词:碳团簇
调幅W(Mo)/Cu纳米多层膜He^+离子辐照响应行为被引量:1
2013年
用磁控溅射技术制备不同调幅波长(L)的W(Mo)/Cu纳米多层膜,所制膜系在60keV氦离子(He+)辐照条件下注入不同剂量:0,1×1017He+/cm2,5×1017He+/cm2.用X射线衍射仪(XRD)和高分辨透射电子显微镜(TEM)表征W(Mo)/Cu纳米多层膜辐照前后微观结构.研究结果表明:1)He+离子轰击引起温升效应是导致沉积态亚稳相β-W转变成稳态α-W相的主因,而与调幅波长无明确关联;2)纳米多层结构中W(Mo)和Cu膜显现出的辐照耐受性与调幅波长相关,调幅波长越小,抗He+的辐照性能越强;3)在5×1017He+/cm2注入条件下,观察到He团簇/泡在纳米结构W(Mo)和Cu膜中的积聚行为存在明显差异:在W(Mo)膜中He团簇/泡的分布与晶粒取向相关,He团簇/泡倾向于沿W(211)晶面分布;而Cu膜非晶化且He团簇/泡在其体内呈均匀分布.
植超虎刘波任丁杨斌林黎蔚
激光冲击炭纤维靶的高温实时测量
1996年
本文报导使用CCD光学多道分析器对脉冲激光冲击炭素纤维产生高温进行的实时测量,使用CCD光学多道分析系统采集E(λ,T)谱,用双色法解得所测量的温度,并对实验结果和应用前景进行了讨论。
刘波杨经国游承伦马梅
关键词:脉冲激光炭纤维靶材
钛纤维多孔材料孔径分布与吸声性能研究被引量:12
2014年
金属纤维多孔材料是一类重要的吸声材料,采用驻波管法检测钛纤维多孔材料的空气声吸收系数,研究材料的孔隙度、纤维直径以及材料厚度等参数对吸声性能的影响,结果表明,钛纤维多孔材料具有较好的吸声性能,材料的孔隙度越高、纤维越细,材料的吸声性能越好,在材料背后设置空气层可显著改善其低频吸声性能,材料背后的空气层厚度越大,材料的低频吸声性能越好.
刘世锋汤慧萍刘波敖庆波张朝晖刘全明
关键词:孔径吸声材料
不同厚度的双层碳团簇型微波隐身材料性能研究
通过微波隐身材料结构设计,对不同厚度的双层碳团簇型微波隐身材料在8.2-12.4GHz频率范围内的吸波性能进行了研究.发现对于不同的厚度要求,要使材料具有良好的吸波性能,应选用具有不同电导率σ的碳团簇型材料.对于总厚度为...
徐国亮朱正和蒋刚刘波张莉
关键词:碳团簇
双层结构碳团簇型微波隐身材料的吸波性能研究被引量:21
2002年
通过微波隐身材料结构设计 ,采用密度较小的碳团簇型原料 ,制备得到了具有良好吸波性能的双层结构碳团簇型微波隐身涂层材料。该材料厚度为 (1.85± 0 .1)mm ,密度为 1.16g/cm3 ,在 8~ 12 .4GHz频率范围内 ,最小反射率达 -3 0dB ,其中反射率小于 -10dB的吸收带宽近 60 % 。
罗洁徐国亮蒋刚刘波朱正和
关键词:碳团簇吸波性能
SiC基中子探测器对热中子的响应被引量:8
2013年
以SiC二极管和中子转换材料6 LiF为基础,研制了SiC基中子探测器,并用241 Am源与临界装置分别研究了SiC基中子探测器的α粒子响应、热中子响应。结果表明:SiC基中子探测器能够满足241 Am源α粒子的计数测量,但由于SiC二极管灵敏区薄,故不能用于5.48MeV的α粒子能谱测量;SiC基中子探测器对热中子响应良好,不同功率下,脉冲幅度谱中可清晰看到由6 Li(n,α)3 H的反应产物α粒子、3 H粒子形成的双峰;脉冲幅度甄别法可将γ射线及电子学噪声甄别掉;在直接测量与符合测量中,SiC基中子探测器的计数率均与临界装置功率成线性关系,且直接测量的线性度比符合测量的线性度好,最好可达0.999 97。研究表明:降低肖特基接触金属的厚度、增加其外延层厚度、提高其外延层品质,可将SiC二极管用于带电粒子能谱测量。
陈雨蒋勇吴健范晓强白立新刘波李勐荣茹邹德慧
关键词:中子探测半导体探测器
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