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周富庆

作品数：1 被引量：9H指数：1
供职机构：福州大学化学化工学院食品安全分析与检测教育部重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇电沉积
  • 1篇纳米
  • 1篇金纳米粒子
  • 1篇AU
  • 1篇成核
  • 1篇成核机理

机构

  • 1篇福州大学

作者

  • 1篇田晓春
  • 1篇林建航
  • 1篇刘跃强
  • 1篇汤儆
  • 1篇周富庆

传媒

  • 1篇物理化学学报

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
ITO导电玻璃表面直接电沉积Au的机理被引量：9
2011年
用循环伏安和电位阶跃法研究Au在氧化铟锡(ITO)透明导电膜玻璃表面的电沉积过程的初期阶段.发现在ITO表面Au的电沉积经历成核过程以及受[AuCl4]-扩散控制的晶核生长过程.通过改变扫描速率分析循环伏安曲线的变化,当扫描速率较快时,发现Au在ITO表面的沉积过程经历[AuCl4]-→[AuCl2]-→Au两步进行;当扫描速率较慢时,受歧化反应作用影响而只表现为一步沉积[AuCl4]-→Au.通过电位阶跃实验,验证了Au的两步沉积过程,并求得[AuCl4]-的扩散系数为1.3×10-5cm2·s-1.将成核曲线与理论曲线对照,得出Au在ITO表面的沉积符合瞬时成核理论.通过场发射扫描电镜(FE-SEM)对Au核形貌进行分析,根据扫描电镜图可以得到阶跃时间和阶跃电位对电沉积Au的形貌的影响.
汤儆田晓春周富庆刘跃强林建航
关键词：金纳米粒子电沉积成核机理
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