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陈坤
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湖北工业大学电气与电子工程学院通信工程系
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合作作者
张洪涛
湖北工业大学电气与电子工程学院...
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2006
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超长六角多型纳米SiC晶须的光学性质
2006年
采用改进的PECVD技术首次制备出六角多型SiC纳米晶须.高分辨率电镜观察其直径在18~50 nm之间,长度为0.3μm~6mm.Raman光谱表明它是六角多型(4H)纳米SiC晶须.紫外光激发出现高强度蓝光发射.同时在550~620 nm和700~750 nm处分别出现两宽带发射,经计算其中蓝光发射带,4H-SiC带隙为3.98eV,这一发光现象与量子力学计算结果不符,说明了SiC晶须光学性质的特殊性.
张洪涛
陈坤
Lemmer U
Bastian G
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纳米晶须
光学性质
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