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李晓民

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：北京师范大学核科学与技术学院射线束技术与材料改性实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氧注入
  • 1篇污染
  • 1篇金属污染
  • 1篇高剂量
  • 1篇SOI材料
  • 1篇ICP-AE...

机构

  • 1篇北京师范大学

作者

  • 1篇马芙蓉
  • 1篇陈如意
  • 1篇李雪春
  • 1篇吴虎才
  • 1篇梁宏
  • 1篇罗晏
  • 1篇李晓民

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2003
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
应用ICP-AES表征高剂量氧注入过程中的金属污染
2003年
研究了采用感应耦合等离子体 原子发射光谱技术表征高剂量氧注入单晶硅制备SIMOX SOI材料过程中金属杂质污染的有效性 .同时研究了采用强酸清洗、加SiO2 膜覆盖等方法对降低污染程度的效果 .利用ICP技术可以对大面积或整个硅片进行采样 ,检测结果是一种整体的平均效果 .采用强流氧注入机进行高剂量氧注入 ,发现金属杂质污染元素主要是Al、Ar、Fe、Ni;注入后强酸清洗样品可有效降低Al污染 ;6 0nm厚的二氧化硅注入保护膜可阻挡一半的上述金属污染 .
马芙蓉李雪春梁宏吴虎才李晓民陈如意罗晏卢志恒
关键词：SOI材料金属污染
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共1页<1>
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