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张凤

作品数:6 被引量:29H指数:2
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家科技支撑计划更多>>
相关领域:环境科学与工程理学自动化与计算机技术电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 3篇专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇理学

主题

  • 4篇电极
  • 4篇石墨
  • 4篇石墨烯
  • 3篇修饰
  • 3篇重金
  • 3篇重金属
  • 3篇铂电极
  • 2篇阻抗式
  • 2篇极限值
  • 2篇PT电极
  • 1篇等离子体刻蚀
  • 1篇电阻抗
  • 1篇电阻抗法
  • 1篇修饰铂电极
  • 1篇阵列电极
  • 1篇生物传感
  • 1篇生物传感器
  • 1篇数据分析
  • 1篇数据分析方法
  • 1篇热蒸发

机构

  • 6篇中国科学院
  • 2篇中国科学院大...
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 6篇金庆辉
  • 6篇赵建龙
  • 6篇张凤
  • 4篇唐逢杰
  • 2篇张洹千
  • 2篇金妍
  • 2篇丁古巧
  • 2篇谢晓明
  • 2篇葛玉卿
  • 1篇成霁
  • 1篇刘德盟
  • 1篇方新心

传媒

  • 1篇分析化学
  • 1篇功能材料
  • 1篇传感器与微系...

年份

  • 1篇2015
  • 3篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
一种石墨烯修饰的Pt电极及检测痕量重金属的方法
本发明涉及一种石墨烯修饰的铂电极,所述的铂电极是以在硅片上氧化生成二氧化硅层为基体,然后在二氧化硅基体上蒸镀金属铂电极,最后在铂电极上生长石墨烯,构成石墨烯修饰铂电极。采用溶出伏安法,利用MEMS工艺制作的石墨烯修饰的铂...
金庆辉唐逢杰丁古巧张洹千张凤谢晓明赵建龙
文献传递
电阻抗式传感器大肠杆菌快速检测方法研究被引量:3
2011年
基于电阻抗法原理,完成了细菌快速检测阻抗式传感器的前端设计,并对叉指式电极进行工艺实现;合理设计实验方案,选取奈奎斯特曲线斜率表征细菌数量的变化,完成了大肠杆菌生长过程的阻抗研究;对测量结果进行分析,并设计实验验证,完成了细菌生长过程中奈奎斯特斜率变化的理论分析,其结果与理论推导吻合。该数据分析方法降低了对测试电极和测量环境的要求,缩短了细菌测定所需要的时间,可用于微生物的快速检测中。
张凤金妍刘德盟葛玉卿金庆辉赵建龙
关键词:生物传感器
石墨烯修饰铂电极传感器测定水中微量重金属镉和铅被引量:25
2013年
建立了石墨烯修饰铂电极(G/Pt)共沉积铋膜测定水中微量重金属镉和铅的方法。采用微机电系统(MEMS)工艺制作铂电极,并利用CVD法在铂电极上原位生长石墨烯,制备了石墨烯修饰铂电极,与Ag/AgCl参比电极、铂丝对电极构成三电极体系;采用差分脉冲阳极溶出伏安法对水中微量的镉和铅进行测定。在pH=4.5的醋酸-醋酸钠(HAc-NaAc)底液中,Cd2+和Pb2+分别在#0.72和#0.48 V灵敏地产生溶出峰,线性范围分别为0.05~10 mg/L和0.03~5 mg/L,检出限均为10!g/L。本方法操作简单、安全快速、重现性好,适合于废水、地表水、及生活用水中镉和铅的测定。
唐逢杰张凤金庆辉赵建龙
关键词:铋膜重金属离子
一种石墨烯修饰的Pt电极及检测痕量重金属的方法
本发明涉及一种石墨烯修饰的铂电极,所述的铂电极是以在硅片上氧化生成二氧化硅层为基体,然后在二氧化硅基体上蒸镀金属铂电极,最后在铂电极上生长石墨烯,构成石墨烯修饰铂电极。采用溶出伏安法,利用MEMS工艺制作的石墨烯修饰的铂...
金庆辉唐逢杰丁古巧张洹千张凤谢晓明赵建龙
文献传递
一种电阻抗式细菌快速检测传感器的数据分析方法
本发明涉及一种电阻抗式细菌快速检测传感器的数据分析方法。该传感器基于电阻抗法原理,采用MEMS技术,设计并制造了叉指式电极用于细菌的快速测定。将叉指式电极采集到的阻抗和相位信号进行处理,获得Nyquist曲线。而Nyqu...
金庆辉张凤金妍葛玉卿赵建龙
文献传递
硅基石墨烯场效应管关键工艺研究被引量:1
2013年
石墨烯由于其独特的电学特性受到关注,工艺的研究促使石墨烯材料的实际应用。着重于石墨烯场效应管关键工艺(目标衬底的预处理、石墨烯的转移、金属沉积、石墨烯刻蚀与退火)的优化。通过实验发现,衬底上硅醇基的密度以及碳氢化合物分子的大小对器件的性能有很大的影响;与热蒸发方式相比,溅射会对石墨烯引入更多的缺陷,降低器件性能;金属上石墨烯的接触电阻率为1.1×104Ω·μm,而金属下石墨烯的电阻率为2.4×105Ω·μm;应用射频和微波等离子体系统对石墨烯进行刻蚀,微波等离子体会造成石墨烯上的光刻胶碳化,使得光刻胶很难用丙酮去除;器件制备完成后,样品需要在(H2/Ar)还原性气氛中退火,以除去吸附在石墨烯表面的杂质,提高器件的性能。
张凤方新心成霁唐逢杰金庆辉赵建龙
关键词:石墨烯溅射热蒸发等离子体刻蚀
共1页<1>
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