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周晶晶
作品数:
1
被引量:2
H指数:1
供职机构:
江南大学
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
一般工业技术
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合作作者
顾晓峰
江南大学
姚尧
江南大学
肖少庆
江南大学
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江南大学
作者
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肖少庆
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姚尧
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周晶晶
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顾晓峰
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1篇
人工晶体学报
年份
1篇
2016
共
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基于先进等离子体的低温钝化氮化硅薄膜的研究
被引量:2
2016年
本文利用容性放电模式(E-mode)的电感耦合等离子体(ICP)化学气相沉积技术,在低温(100℃)下采用硅烷(Si H_4)、氮气(N_2)和氢气(H_2)作为先驱反应气体制备氢化氮化硅薄膜(Si Nx∶H),并通过傅里叶红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱仪(XPS)对薄膜的键结构、键密度、氢含量以及化学组成进行表征。采用少子寿命测试仪(Sinton WCT-120)研究薄膜在n型晶硅表面的钝化效果。结果表明,氮硅原子比为0.4的Si N0.4∶H薄膜具有最高的氢含量,高达29%,而且其钝化效果最好。最高少子寿命达到251μs,表面复合速率降低至85 cm/s,Suns-Voc测到的提示开路电压达到652 m V。
周晶晶
肖少庆
姚尧
顾晓峰
关键词:
SINX
等离子体化学气相沉积
表面钝化
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