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张娜

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学技术大学更多>>
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合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇密度泛函
  • 1篇密度泛函理论
  • 1篇金属
  • 1篇金属掺杂
  • 1篇泛函
  • 1篇泛函理论
  • 1篇非金属
  • 1篇非金属掺杂
  • 1篇B-C-N
  • 1篇C3N4
  • 1篇掺杂

机构

  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 1篇武晓群
  • 1篇张娜

传媒

  • 1篇Chines...

年份

  • 1篇2014
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
基于非金属掺杂g-C3N4的均匀B-C-N三相单层
2014年
基于第一性原理方法计算,通过在g-C3N4中掺杂C、B和N原子，预测了四种元素均匀分布的B-C-N三元单层材料，除了B4-C3N4单层材料是一个具有1.18eV带隙的半导体，其余三种C-B-N三元单层材料都是金属材料，其中，B3C-C3N4是铁磁金金属，其净磁矩为0.57μB/原胞，可用于构建自旋电子器件材料，计算的形成能显示B-C-N三元体系具有较高的热稳定性。
张娜武晓群
关键词：密度泛函理论
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