范俊杰
- 作品数：11 被引量：24H指数：3
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- 仿晶体生长快速算法用于加速2D静磁场设计中的参量扫描
- 2010年
- 为了加速二维静磁场设计中参量扫描的速度,本文提出仿晶体生长快速算法:网格空间不变,结构在网格空间中微动,利用前一次计算出来的结果,构造新的初解,以提高下一次有限差分法计算矢量磁位的迭代速率。该方法可以将扫描时间平均减少一半以上,并且计算结果与普通计算结果偏离很小。与同类软件相比,采用该方法的参量扫描和优化过程速度更快,也有潜力应用于其他复杂结构的优化过程。
- 范俊杰张兆传
- 关键词：静磁场微动
- 2维静磁场多参量微动粒子群优化算法被引量：1
- 2010年
- 提出一种微动粒子群优化算法,针对2维静磁场多参量优化问题,在给出轴上目标轴向磁感应强度分布曲线的前提下,可以得到趋近于该分布曲线的磁结构。该算法分为前后两阶段:第一阶段采用前后试探法(微动),同时也参照最优粒子的信息;第二阶段采用基本粒子群优化算法。微动粒子群优化算法可以发挥多核计算机在工程设计上的潜力,而且即使粒子数目很少,也能不断趋近目标解。
- 范俊杰张兆传
- 关键词：微动磁感应强度
- 金属壁与介质窗之间次级电子倍增效应的研究被引量：4
- 2014年
- 高功率盒形窗内的TM11模法向电场对次级电子倍增现象具有较大的影响,特别是在介质窗片与金属波导壁相对的区域,易发生双面次级电子倍增.采用蒙特卡罗粒子模拟方法,研究了法向电场作用下氧化铝陶瓷窗片与铜波导壁之间的双面倍增敏感曲线、倍增阈值电压、粒子数量的演变过程以及粒子运动轨迹.通过对相关参数的分析,获得了金属壁与陶瓷窗片之间双面谐振倍增和非谐振倍增的规律以及双面倍增向单面倍增转变的特点.此研究可为分析窗片失效机理提供理论依据.
- 张雪王勇范俊杰朱方张瑞
- 关键词：蒙特卡罗模拟
- 苜蓿叶形耦合腔慢波结构的模拟和验证
- 2007年
- 苜蓿叶形耦合腔慢波结构是一种高耦合阻抗的慢波线。由于结构复杂,其数学分析及工程设计都非常困难。该文利用三维电磁计算软件Isfel3d,Mafia,HFSS对这种结构的色散特性、耦合阻抗进行数值模拟,在分析模拟结果的基础上,对这种结构做了初步的优化。结果表明,数值模拟与实验结果有很好的一致性,这对改进这种慢波线的工程设计具有重要意义。
- 周华霞张兆传范俊杰李实
- 关键词：慢波结构色散特性耦合阻抗
- 圆窗片表面次级电子倍增效应的数值模拟被引量：2
- 2014年
- 基于Monte Carlo模拟算法,建立了粒子输运模型,通过对盒形窗内圆窗片表面次级电子倍增现象进行数值仿真,获得了TE11模非均匀分布电场作用下次级电子倍增的规律.结果表明:在微波输入端,指向窗片表面的磁场力起到了维持次级电子与窗片碰撞的作用,在电场强度较高的区域倍增剧烈,有质动力对倍增无贡献;在微波输出端,受背离窗片表面磁场力的影响,在表面静电场较弱的情况下,次级电子倍增不能发生;当表面静电场足以维持单面倍增的发生,随着传输功率的增大,电子渡越时间增长,有质动力使得倍增强烈的区域由强电场区逐渐转移到弱电场区域.对利用外静电场抑制微波输入端次级电子倍增效应的方法进行了数值模拟验证.
- 张雪王勇范俊杰张瑞
- 关键词：TE11模MONTECARLO模拟
- 刻周期半圆弧槽窗片对次级电子倍增效应的抑制被引量：2
- 2014年
- 为了抑制高功率盒形窗内的次级电子倍增效应,研究了一种刻周期半圆弧槽窗片结构.通过对槽内电场进行分析,证明了半圆弧状槽可以有效避免尖锐边界的局部场增强效应.利用蒙特卡罗随机算法对槽内的次级电子倍增效应进行数值模拟,跟踪次级电子的轨迹及发展趋势,获得了不同槽宽所对应的抑制次级电子倍增最低电场强度.讨论了法向电场对半圆弧槽抑制次级电子倍增的影响.该结构有望在高功率速调管中获得应用.
- 张雪范俊杰王勇
- 关键词：蒙特卡罗模拟
- 高峰值功率速调管的研制进展被引量：1
- 2012年
- 本文详细介绍了中国科学院电子学研究所在发展高峰值功率速调管方面取得的最新进展,给出了这些速调管的主要技术特点和技术指标,讨论了高峰值功率速调管在研制中存在的关键技术问题。
- 王勇张瑞刘文鑫范俊杰
- 关键词：速调管高峰值功率
- X波段三间隙耦合腔型输出回路间隙阻抗的模拟计算被引量：12
- 2009年
- 本文基于理论分析和数值模拟,对一个X波段重叠模工作的三间隙耦合输出回路进行了分析计算。讨论了总间隙阻抗与群时延之间的关系以及回路的群时延对总间隙阻抗的影响。通过合理优化群时延曲线,该X波段三间隙耦合输出腔在三模重叠的情况下获得了1dB输出带宽大于14.5%(约1.3GHz)的结果。
- 朱敏罗积润郭炜黄云平范俊杰张燕生崔惠兵
- 关键词：间隙阻抗群时延
- TM_(11)模对高功率盒形窗次级电子倍增效应影响的研究被引量：3
- 2014年
- 本文对S波段盒形窗内TE11模和TM11模两个模式存在下的次级电子倍增效应进行了分析,证明了TM11的存在会影响盒形窗次级电子倍增的阈值,通过对比双面法向谐振倍增(法向电场激励)和单面切向倍增(切向电场激励)两种倍增方式,证明了TM11模法向场的存在改变了窗片表面次级电子倍增的轨迹,使次级电子倍增的电场阈值上限降低,且该现象是由倍增初期的窗片表面的双面谐振所致。
- 张雪王勇朱方范俊杰
- 关键词：阈值
- 高峰值功率多注速调管的发展被引量：1
- 2012年
- 高峰值功率多注速调管是一种新型的微波电真空器件,其广阔的应用前景已受到人们的高度关注。本文详细介绍了国际上已经研制成功和正在研制的几种高峰值功率多注速调管的情况,给出了这些速调管的具体参数,讨论了这些速调管在研制过程中需要解决的关键技术问题。
- 王勇张瑞范俊杰刘文鑫鈡勇
- 关键词：高功率微波多注速调管谐振腔
