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贺小庆

作品数:4 被引量:3H指数:1
供职机构:中国科学院物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金山东省自然科学杰出青年基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域:电子电信金属学及工艺一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇单晶
  • 3篇掺杂
  • 2篇BI
  • 1篇单晶硅
  • 1篇单晶生长
  • 1篇电池
  • 1篇电学
  • 1篇异质结
  • 1篇失配位错
  • 1篇太阳能
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇铁电
  • 1篇铁电材料
  • 1篇谱学
  • 1篇微构造
  • 1篇稀土
  • 1篇稀土掺杂
  • 1篇漏电
  • 1篇漏电流
  • 1篇脉冲

机构

  • 3篇湖北大学
  • 2篇中国科学院
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇青岛大学
  • 1篇西南科技大学

作者

  • 4篇贺小庆
  • 2篇段晓峰
  • 2篇梁坤
  • 1篇温才
  • 1篇邱荣
  • 1篇刘德雄
  • 1篇龙展鹏
  • 1篇李晓红
  • 1篇卢朝靖
  • 1篇唐金龙
  • 1篇胡思福
  • 1篇谢文明
  • 1篇温才

传媒

  • 2篇湖北大学学报...
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇电子显微学报

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2009
  • 1篇2008
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
Nd掺杂对Bi_4Ti_3O_(12)单晶的结构和电学性能的影响
2008年
采用高温溶液生长法生长铁电Bi4-xNdxTi3O12(BNdT)单晶,并研究了BNdT的结构和电学性能.XRD结构精修的结果表明Nd掺杂将导致晶格常数和晶胞体积发生变化,铁电性能的测试表明Nd掺杂降低了BNdT单晶的剩余极化,BNdT的自发极化的估算和铁电测量结果有着相同的变化趋势.Nd的A位掺杂同时也导致BNdT单晶沿各个方向漏电流密度的减小,而由于(Bi2O2)2+层的存在,BNdT单晶沿c方向显示出更低的漏电流密度.
梁坤贺小庆谢文明龙展鹏
关键词:单晶生长铁电材料漏电流
AlSb/GaAs异质外延薄膜应变的HRTEM几何相位分析被引量:3
2009年
用几何相位分析(geometric phase analysis,GPA)方法研究了AlSb/GaAs异质外延薄膜的应变。此方法基于高分辨像的傅里叶变换。通过选择傅里叶变换点分辨率以内的某个强衍射,做反傅里叶变换得到晶格条纹的相对的相位分布,进一步得到应变分布。Bragg滤波条纹像确认了60°和90°失配位错的存在。分析讨论了位错核心区域应变分布差异的可能机制。
贺小庆温才卢朝靖段晓峰
关键词:异质结失配位错
Bi_(4-x)Nd_xTi_3O_(12)单晶的光谱学特性研究
2009年
使用自助熔生长法生长Bi4-xNdxTi3O12(BNdT,x=0,0.5,0.85)单晶,研究了Nd掺杂对BNdT单晶光谱学特性的影响.常温拉曼光谱结果表明:随Nd含量的增加,BNdT中TiO6八面体振动模式有所增强;Nd含量增加到一定值,BNdT单晶可能在常温下发生铁电-顺电相转变;位于(Bi2O2)2+层的Bi-O振动模式随Nd掺杂量增加而减弱,表明Nd含量较低时,Nd3+离子仅仅取代伪钙钛矿层的Bi3+离子,当Nd含量较高时,有部分Nd3+离子开始替换(Bi2O2)2+层中的Bi3+离子.紫外-可见光谱结果表明,BNdT单晶具有间接带隙跃迁的特点,而且单晶的禁带宽度随Nd掺杂含量的增加而减小.
梁坤贺小庆
关键词:稀土掺杂
飞秒纳秒脉冲激光微构造和掺杂单晶硅(英文)
2015年
在SF6气氛下,分别利用钛宝石飞秒脉冲激光与掺钕钇铝石榴石纳秒脉冲激光对单晶硅表面进行了微构造和重掺杂,以用于光伏材料。对制备的单晶硅表面微结构的形貌、结晶性和硫元素杂质含量与分布进行了研究。实验结果表明纳秒脉冲激光制备的单晶硅表面微结构的薄层电阻较小,缺陷密度较低(结晶性高),硫元素杂质含量较高且在表面分布的范围较广,深度较大(约1μm)。此外,材料的可见-近红外波段吸收率可接近80%。基于纳秒脉冲激光微构造的单晶硅的优异性能,在样品表面制备了有效光照面积达8cm2的太阳能电池。其中,最佳太阳能电池的串联电阻、开路电压、短路电流密度分别为0.5Ω,503mV,35mA/cm2,转换效率约12%。上述太阳能电池性能还可通过优化制备工艺进一步提高。
温才李晓红贺小庆段晓峰邱荣刘德雄唐金龙胡思福
关键词:飞秒脉冲激光微构造掺杂太阳能电池
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