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宋伟东

作品数:12 被引量:0H指数:0
供职机构:华南师范大学更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 12篇中文专利

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 7篇线阵列
  • 5篇纳米
  • 5篇纳米线
  • 4篇调制
  • 4篇阵列
  • 4篇线阵
  • 4篇量子阱结构
  • 4篇内侧壁
  • 4篇沟槽
  • 4篇发光
  • 3篇纳米线阵列
  • 3篇绝缘
  • 3篇衬底
  • 2篇带宽
  • 2篇电流扩展
  • 2篇电吸收
  • 2篇电吸收调制
  • 2篇电吸收调制激...
  • 2篇调制带宽
  • 2篇调制激光器

机构

  • 12篇华南师范大学

作者

  • 12篇李述体
  • 12篇宋伟东
  • 4篇王汝鹏
  • 3篇陈航
  • 2篇李凯
  • 2篇胡文晓
  • 2篇赵亮亮

年份

  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
集成非极性GaN纳米线高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明公开了集成非极性GaN纳米线高电子迁移率晶体管及其制备方法,包括衬底和位于衬底上的绝缘介质层,所述衬底表面为多个方形台面间隔排列,所述方形台面上刻蚀有多个凹槽,所述多个凹槽长度与方形台面内分别生长有异质结纳米线,所...
李述体宋伟东李凯王汝鹏
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一种电吸收调制激光器及其制备方法
本发明提供一种电吸收调制激光器及其制备方法。本发明提供的电吸收调制激光器包括SiO<Sub>2</Sub>‑Si‑Metal复合衬底、调制‑激光模块、绝缘层和金属电极层;所述SiO<Sub>2</Sub>‑Si‑Meta...
李述体陈航宋伟东
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纳米线阵列制备方法、纳米线阵列集成器件及其制备方法
本发明公开了一种纳米线阵列制备方法、纳米线阵列集成器件及其制备方法,本发明的纳米线阵列的制备方法,包括:在衬底上刻蚀出呈矩阵排列的方形凸台;在刻蚀后的衬底上表面及方形凸台上表面蒸镀掩膜层;在方形凸台上刻蚀出等间距的梯形槽...
李述体王汝鹏宋伟东郭德霄陈航李凯
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一种集成有序GaN基纳米线阵列HEMT及其制备方法
本发明公开了一种集成有序GaN基纳米线阵列HEMT及其制备方法通过光刻工艺制备凹槽图形衬底,使得凹槽图形长度、宽度、深度可控,从而有效提高图形衬底上外延生长的微纳材料可控性。而且本发明直接在图形衬底上外延生长的微纳材料上...
李述体宋伟东王汝鹏胡文晓
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一种钙钛矿复合多量子阱LED及其制备方法
本发明提供一种钙钛矿复合多量子阱LED及其制备方法。本发明提供的钙钛矿复合多量子阱LED包括依次设置的衬底、电子注入层、发光层、空穴注入层和电极,所述发光层包括CH<Sub>3</Sub>NH<Sub>3</Sub>Pb...
李述体戚明月罗萧宋伟东
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一种电吸收调制激光器及其制备方法
本发明提供一种电吸收调制激光器及其制备方法。本发明提供的电吸收调制激光器包括SiO<Sub>2</Sub>‑Si‑Metal复合衬底、调制‑激光模块、绝缘层和金属电极层;所述SiO<Sub>2</Sub>‑Si‑Meta...
李述体陈航宋伟东
一种微米线阵列光探测器及其制备方法
本发明提供一种微米线阵列光探测器及其制备方法。本发明提供的微米线阵列光探测器包括衬底、外延结构和电极结构;所述衬底包括表面设置有多个沟槽的硅片;所述沟槽呈平行阵列分布;所述沟槽之间的硅片上表面设置有绝缘层;所述外延结构包...
李述体郭德霄赵亮亮宋伟东
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一种钙钛矿复合多量子阱LED及其制备方法
本发明提供一种钙钛矿复合多量子阱LED及其制备方法。本发明提供的钙钛矿复合多量子阱LED包括依次设置的衬底、电子注入层、发光层、空穴注入层和电极,所述发光层包括CH<Sub>3</Sub>NH<Sub>3</Sub>Pb...
李述体戚明月罗萧宋伟东
一种微米线阵列光探测器及其制备方法
本发明提供一种微米线阵列光探测器及其制备方法。本发明提供的微米线阵列光探测器包括衬底、外延结构和电极结构;所述衬底包括表面设置有多个沟槽的硅片;所述沟槽呈平行阵列分布;所述沟槽之间的硅片上表面设置有绝缘层;所述外延结构包...
李述体郭德霄赵亮亮宋伟东
一种基于GaN微米线阵列发光二极管及制备方法
本发明公开了一种GaN微米线阵列发光二极管及其制备方法。本发明提供的微米线阵列发光二极管包括衬底、外延结构、隔离层和电极结构;所述衬底包括表面设置有多个平行阵列沟槽的硅片;所述外延结构生长于沟槽内侧壁的氮化镓微米线,每个...
李述体罗幸君宋伟东汪虎
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共2页<12>
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