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宋伟东
作品数:
12
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供职机构:
华南师范大学
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相关领域:
电子电信
理学
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合作作者
李述体
华南师范大学
王汝鹏
华南师范大学
陈航
华南师范大学
赵亮亮
华南师范大学
胡文晓
华南师范大学
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机构
12篇
华南师范大学
作者
12篇
李述体
12篇
宋伟东
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王汝鹏
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陈航
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李凯
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年份
1篇
2020
2篇
2019
3篇
2018
3篇
2017
1篇
2016
2篇
2015
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集成非极性GaN纳米线高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明公开了集成非极性GaN纳米线高电子迁移率晶体管及其制备方法,包括衬底和位于衬底上的绝缘介质层,所述衬底表面为多个方形台面间隔排列,所述方形台面上刻蚀有多个凹槽,所述多个凹槽长度与方形台面内分别生长有异质结纳米线,所...
李述体
宋伟东
李凯
王汝鹏
文献传递
一种电吸收调制激光器及其制备方法
本发明提供一种电吸收调制激光器及其制备方法。本发明提供的电吸收调制激光器包括SiO<Sub>2</Sub>‑Si‑Metal复合衬底、调制‑激光模块、绝缘层和金属电极层;所述SiO<Sub>2</Sub>‑Si‑Meta...
李述体
陈航
宋伟东
文献传递
纳米线阵列制备方法、纳米线阵列集成器件及其制备方法
本发明公开了一种纳米线阵列制备方法、纳米线阵列集成器件及其制备方法,本发明的纳米线阵列的制备方法,包括:在衬底上刻蚀出呈矩阵排列的方形凸台;在刻蚀后的衬底上表面及方形凸台上表面蒸镀掩膜层;在方形凸台上刻蚀出等间距的梯形槽...
李述体
王汝鹏
宋伟东
郭德霄
陈航
李凯
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一种集成有序GaN基纳米线阵列HEMT及其制备方法
本发明公开了一种集成有序GaN基纳米线阵列HEMT及其制备方法通过光刻工艺制备凹槽图形衬底,使得凹槽图形长度、宽度、深度可控,从而有效提高图形衬底上外延生长的微纳材料可控性。而且本发明直接在图形衬底上外延生长的微纳材料上...
李述体
宋伟东
王汝鹏
胡文晓
文献传递
一种钙钛矿复合多量子阱LED及其制备方法
本发明提供一种钙钛矿复合多量子阱LED及其制备方法。本发明提供的钙钛矿复合多量子阱LED包括依次设置的衬底、电子注入层、发光层、空穴注入层和电极,所述发光层包括CH<Sub>3</Sub>NH<Sub>3</Sub>Pb...
李述体
戚明月
罗萧
宋伟东
文献传递
一种电吸收调制激光器及其制备方法
本发明提供一种电吸收调制激光器及其制备方法。本发明提供的电吸收调制激光器包括SiO<Sub>2</Sub>‑Si‑Metal复合衬底、调制‑激光模块、绝缘层和金属电极层;所述SiO<Sub>2</Sub>‑Si‑Meta...
李述体
陈航
宋伟东
一种微米线阵列光探测器及其制备方法
本发明提供一种微米线阵列光探测器及其制备方法。本发明提供的微米线阵列光探测器包括衬底、外延结构和电极结构;所述衬底包括表面设置有多个沟槽的硅片;所述沟槽呈平行阵列分布;所述沟槽之间的硅片上表面设置有绝缘层;所述外延结构包...
李述体
郭德霄
赵亮亮
宋伟东
文献传递
一种钙钛矿复合多量子阱LED及其制备方法
本发明提供一种钙钛矿复合多量子阱LED及其制备方法。本发明提供的钙钛矿复合多量子阱LED包括依次设置的衬底、电子注入层、发光层、空穴注入层和电极,所述发光层包括CH<Sub>3</Sub>NH<Sub>3</Sub>Pb...
李述体
戚明月
罗萧
宋伟东
一种微米线阵列光探测器及其制备方法
本发明提供一种微米线阵列光探测器及其制备方法。本发明提供的微米线阵列光探测器包括衬底、外延结构和电极结构;所述衬底包括表面设置有多个沟槽的硅片;所述沟槽呈平行阵列分布;所述沟槽之间的硅片上表面设置有绝缘层;所述外延结构包...
李述体
郭德霄
赵亮亮
宋伟东
一种基于GaN微米线阵列发光二极管及制备方法
本发明公开了一种GaN微米线阵列发光二极管及其制备方法。本发明提供的微米线阵列发光二极管包括衬底、外延结构、隔离层和电极结构;所述衬底包括表面设置有多个平行阵列沟槽的硅片;所述外延结构生长于沟槽内侧壁的氮化镓微米线,每个...
李述体
罗幸君
宋伟东
汪虎
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