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付红平

作品数：45 被引量：0H指数：0
供职机构：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司更多>>
相关领域：电子电信化学工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 42篇专利
  • 3篇科技成果

领域

  • 7篇电子电信
  • 2篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 21篇线切割
  • 16篇硅片
  • 11篇多晶
  • 11篇多晶硅
  • 11篇硅粉
  • 10篇多晶硅片
  • 7篇预处理
  • 6篇绒面
  • 6篇氢氟酸
  • 5篇砂浆
  • 5篇回收
  • 5篇钢线
  • 4篇多酚
  • 4篇水相
  • 4篇自由基
  • 4篇裂解
  • 4篇混合物
  • 3篇导轮
  • 3篇有机溶剂
  • 3篇溶剂

机构

  • 45篇江西赛维LD...

作者

  • 45篇付红平
  • 39篇章金兵
  • 14篇刘渝龙
  • 8篇刘宁
  • 6篇李建
  • 4篇黄春来
  • 4篇艾振强
  • 4篇郝刚
  • 4篇胡动力
  • 3篇廖小根
  • 3篇孙李媛
  • 2篇范立峰
  • 2篇雷琦
  • 2篇刘芳
  • 2篇何亮
  • 2篇陈旭光
  • 2篇刘华
  • 1篇王柳英
  • 1篇李松林
  • 1篇谭永峰

年份

  • 2篇2018
  • 8篇2017
  • 7篇2016
  • 13篇2015
  • 1篇2014
  • 8篇2013
  • 2篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2010
共 45 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种粒度可控的铸锭用硅粉及其制备方法和应用
本发明提供了一种粒度可控的铸锭用硅粉的制备方法，该方法包括：将硅废料用氢氟酸和盐酸进行酸洗；再用盐酸和硝酸进行酸洗；随后用无机酸进行酸洗；固液分离并水洗至pH值中性，得到初级硅粉；将所述初级硅粉置于30-120℃的干燥机...
付红平章金兵廖小根董一迪
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一种碳化硅切割液及其使用方法
本发明公开了一种碳化硅切割液及其使用方法，通过采用多酚类化合物添加入PEG切割液、二甘醇切割液和多胺醇切割液其中一种中，可起到清除多线切割过程中少量PEG、二甘醇和多胺醇裂解产生的自由基的作用，阻止发生自由基链式反应，从...
章金兵刘宁刘渝龙付红平
一种硅片清洗水槽
本实用新型提供了一种硅片清洗水槽，包括水槽箱体，清洗篮，所述清洗篮为中空结构，包括侧壁、中空位置和硅片槽位，其特征在于，还包括一种缓冲装置，所述缓冲装置包括橡胶垫板，所述橡胶垫板放置在所述水槽箱体上，所述橡胶垫板上设有缓...
范立峰章金兵况云辉付红平
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一种微孔平板的应用方法、及微孔玻璃的制备方法
本发明公开了一种微孔平板的应用方法，用于切片机中钢线切割目标硅块，微孔平板相对的两表面通过粘胶分别粘接托盘和硅块，微孔平板至少粘接硅块的一面为微孔结构。该微孔结构的粗糙表面上，峰与谷之间交替更加明显。在切片过程中，该微孔...
刘渝龙付红平艾振强章金兵
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一种金刚石线切割液及其制备方法
本发明公开了一种金刚石线切割液及其制备方法，通过采用多酚类化合物添加入PG切割液中，可起到清除多线切割过程中少量PG裂解产生的自由基的作用，阻止发生自由基链式反应，从而稳定整体PG组成成分。本发明设计合理、使用过程简单、...
章金兵刘宁刘渝龙付红平
一种金刚线切割多晶硅片的单面制绒方法及单面制绒的金刚线切割多晶硅片
本发明提供了一种金刚线切割多晶硅片的单面制绒方法，包括以下步骤：取金刚线切割多晶硅片，将所述硅片以两两相并的方式插入到硅片篮的同一槽内，将带有硅片的硅片篮置于含有氢氟酸、双氧水、硝酸银及水的混合液中进行腐蚀2～8min，...
付红平章金兵彭也庆
一种金刚线切割多晶硅片的制绒预处理方法和制绒预处理硅片及其应用
本发明提供了一种金刚线切割多晶硅片的制绒预处理方法，先对金刚石线切割的多晶硅片在850-900℃下进行扩磷预处理，在所述硅片表层形成一层方块电阻为40-100ohm/Sq的N型重掺杂层，得到制绒预处理硅片。本发明还提供了...
章金兵彭也庆付红平
一种线切割用砂浆及其制备方法
本发明提供了一种线切割用砂浆，包括回收砂浆和胶体抑制剂，胶体抑制剂为含有羧基的水溶性有机物且该含有羧基的水溶性有机物不含有羟基和酰胺基，胶体抑制剂的质量为回收砂浆质量的0.02％-0.2％。本发明线切割用砂浆包括胶体抑制...
李建章金兵郝刚付红平彭也庆
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一种金刚线切割多晶硅片的制绒预处理液、制绒预处理方法和制绒预处理硅片及其应用
本发明提供了一种金刚线切割多晶硅片的制绒预处理方法，采用制绒预处理液为硝酸、氢氟酸、醋酸和水的混合溶液，在室温下处理2‑10min，得到多孔结构的多晶硅片，即制绒预处理多晶硅片，其中，硝酸、氢氟酸、醋酸和水的体积比10‑...
章金兵付红平彭也庆
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一种镀膜硅基材料及其制备方法和镀膜处理液
本发明提供了一种镀膜硅基材料，所述镀膜硅基材料包括硅基材料层和金属层，所述金属层沉积在所述硅基材料层的表面，所述金属层的电负性大于硅的电负性。所述镀膜硅基材料的导电性能良好，因此能够直接用于扫描式电子显微镜(SEM)检测...
彭也庆章金兵付红平刘芳
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