- 一种建立AlGaN/GaN HEMT器件直流模型的方法
- 本发明公开了一种建立AlGaN/GaN HEMT器件直流模型的方法，该方法包括步骤a：测量AlGaN/GaN HEMT器件S参数；步骤b：提取AlGaN/GaN HEMT器件寄生元件参数并去除这些寄生元件值的影响；步骤c...
- 沈溧骆丹婷高建军
- 文献传递
- GaN HEMT大信号等效电路模型的参数提取
- 信号模型的基础上对GaN HEMT器件的大信号模型进行了分析,重点研究了EEHEMT非线性等效电路模型,用分段函数表征了模型中的非线性元件.对栅宽为2×100μm、栅长为0.25μm的GaN HEMT器件进行了...
- 骆丹婷沈溧高建军
- 关键词：等效电路模型直流偏置
- 高电子迁移率晶体管微波建模与参数提取研究
- 随着无线通信产业的爆炸性发展,作为第三代微波有源器件的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT),无论是在工作频率方面、增益方面还是效率方面都有着巨大的优势,被广泛应用于射频微波集成电路的设计中。为了提高微波集成电路在设计与加...
- 沈溧
- 关键词：高电子迁移率晶体管小信号建模大信号建模放大器微波测量
- 文献传递
- GaAs,InP,GaN高电子迁移率晶体管模型比较
- 介绍了GaAs,InP 和GaN三种不同衬底的高电子迁移率晶体管小信号模型,比较了三种不同衬底器件的物理结构.开路测试,短路测试,去嵌等小信号模型寄生参数提取方法在文中被介绍,且对三种不同衬底的高电子迁移率管寄生参数进行...
- 沈溧骆丹婷高建军
- 关键词：晶体管砷化镓磷化铟小信号模型寄生参数
- 一种基于片上测试系统的AlGaN/GaN HEMT器件大信号建模方法被引量：1
- 2016年
- AlGaN/GaN材料是目前最吸引人的半导体材料之一。AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件的建模方法主要基于传统的GaAs FET模型分析方法,未考虑材料本身的新特性。通过使用片上测试系统,结合数值分析方法,提出了一种AlGaN/GaN HEMT器件的大信号模型,该模型中的寄生参数值可通过特殊测试结构和数值优化方法获得,模型中的直流参数可以通过改进传统STATZ直流模型获得,改进后模型的直流参数随着栅-源电压的变化而变化,比传统STATZ模型准确度提高了约10%。实验测量结果表明,在0.1-40GHz的频率范围内,模型参数提取结果与器件测量结果吻合良好。
- 史丽云沈溧唐旻高建军
- 关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管大信号
