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蔡文浩

作品数：19 被引量：0H指数：0
供职机构：常州天合光能有限公司更多>>
相关领域：电气工程电子电信文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇专利
  • 4篇会议论文

领域

  • 5篇电气工程
  • 3篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 16篇电池
  • 6篇太阳能电池
  • 6篇晶体硅
  • 5篇太阳能
  • 5篇体硅
  • 5篇金属化
  • 5篇N型
  • 4篇RIE
  • 3篇叠层
  • 3篇太阳电池
  • 3篇介质膜
  • 3篇晶体硅电池
  • 3篇刻蚀
  • 3篇硅电池
  • 3篇发射结
  • 2篇电池制备
  • 2篇电学
  • 2篇钝化
  • 2篇选择性
  • 2篇针孔

机构

  • 19篇常州天合光能...

作者

  • 19篇蔡文浩
  • 9篇盛赟
  • 8篇袁声召
  • 8篇盛健
  • 7篇王伟
  • 7篇张淳
  • 3篇冯志强
  • 1篇王子港
  • 1篇陈奕峰
  • 1篇陈亮
  • 1篇金浩
  • 1篇崔艳峰

传媒

  • 2篇第十四届中国...
  • 1篇第十一届中国...
  • 1篇SNEC 第...

年份

  • 3篇2016
  • 2篇2015
  • 6篇2014
  • 2篇2013
  • 4篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
正面钝化的RIE制绒晶体硅电池
本实用新型涉及一种RIE制绒晶体硅电池，特别是一种正面钝化的RIE制绒晶体硅电池，在RIE制绒晶体硅电池的正面具有SiO<Sub>2</Sub>和SiN<Sub>x</Sub>的叠层薄膜，作为RIE制绒晶体硅电池的正面钝...
蔡文浩
文献传递
一种利用SiN薄膜针孔形成局部掺杂或金属化的方法
本发明涉及一种利用SiN薄膜针孔形成局部掺杂或金属化的方法，所述的方法包括以下工艺步骤：采用PECVD方法制得AlO<Sub>x</Sub>/SiN或SiO<Sub>2</Sub>/SiN叠层薄膜、碱性溶液浸泡、局部掺杂...
蔡文浩
适用于RIE绒面的三明治结构正面介质膜及其制备方法
本发明涉及晶体硅太阳能电池工艺技术领域，尤其是一种适用于RIE绒面的三明治结构正面介质膜及其制备方法。这种适用于RIE绒面的三明治结构正面介质膜，包括底层SiO<Sub>2</Sub>薄膜，在底层SiO<Sub>2</S...
蔡文浩
用于制造太阳能电池的图形化掩膜方法
本发明公开了一种用于制造太阳能电池的图形化掩膜方法，它的步骤如下：（a）旋涂掩膜层；（b）烘干掩膜层；（c）部分去除掩膜层，形成图形化掩膜；（d）实施电池的后续制造工艺；（e）去除剩余掩膜层。本方法加工面积大、图形尺寸小...
盛赟袁声召盛健蔡文浩王伟张淳
文献传递
一种去除RIE制绒后晶体硅表面的微损伤层的方法
本发明涉及硅片表面处理方法领域，特别是一种去除RIE制绒后晶体硅表面的微损伤层的方法，其利用CH3COOH稀释的HNO3、HF的混合酸性液体对RIE后的硅片进行清洗，其中CH3COOH的体积百分比为0.1-10％，HNO...
蔡文浩
文献传递
N型双面电池的双面扩散方法
本发明涉及一种N型双面电池的双面扩散方法，该方法首先在N型硅衬底的上表面通过第一次扩散工艺在N型硅衬底的一面形成n+层或p+层后，然后通过LPCVD双面沉积SiN薄膜；接着在已经形成扩散层的上表面通过PECVD的方法单面...
蔡文浩
适用于RIE绒面的三明治结构正面介质膜及其制备方法
本发明涉及晶体硅太阳能电池工艺技术领域，尤其是一种适用于RIE绒面的三明治结构正面介质膜及其制备方法。这种适用于RIE绒面的三明治结构正面介质膜，包括底层SiO<Sub>2</Sub>薄膜，在底层SiO<Sub>2</S...
蔡文浩
文献传递
n型背结太阳电池的前表面场局域激光掺杂技术研究
采用激光掺杂技术来实现n型背结太阳电池的选择性前表面场结构,拟精确地在金属接触区域形成相对高浓度的磷掺杂,这样既可以保证非金属接触区域的低掺杂浓度,低复合,又能在金属接触区域形成良好接触.分析比较了两种典型的激光掺杂工艺...
王伟盛健袁声召盛赟蔡文浩张淳冯志强Pierre Verlinden
关键词：性能参数
文献传递
一种太阳能电池钝化减反薄膜及其制备方法
本发明公开了一种太阳能电池钝化减反膜，包括依次设置于太阳能电池受光面发射结上的三氧化二铝层、氧化硅层、氟化镁层。同时，本发明还公开了一种用于生产所述太阳能电池钝化减反膜的制备方法，包括如下步骤：（1）清洗太阳能电池受光面...
盛赟蔡文浩
文献传递
N型双面电池的双面扩散方法
本发明涉及一种N型双面电池的双面扩散方法，该方法首先在N型硅衬底的上表面通过第一次扩散工艺在N型硅衬底的一面形成n+层或p+层后，然后通过LPCVD双面沉积SiN薄膜；接着在已经形成扩散层的上表面通过PECVD的方法单面...
蔡文浩
文献传递
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