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陈鹏远

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇场板
  • 2篇电极
  • 2篇有机绝缘
  • 2篇粘接
  • 2篇收发
  • 2篇收发器
  • 2篇旁边
  • 2篇绝缘
  • 2篇光收发器
  • 2篇封装
  • 2篇ALGAN/...
  • 2篇槽栅
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇频率特性
  • 1篇迁移率
  • 1篇自由空间光
  • 1篇耐压
  • 1篇耐压特性
  • 1篇晶体管
  • 1篇互连

机构

  • 5篇西安电子科技...

作者

  • 5篇陈鹏远
  • 4篇杨银堂
  • 4篇刘阳
  • 4篇杨琦
  • 4篇柴常春
  • 4篇史春蕾
  • 4篇孙斌
  • 4篇于新海

年份

  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2015
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
近距离自由空间光互连光收发器的对准方法
本发明公开了一种近距离自由空间光互连光收发器的安装对准方法，主要解决了激光发射器与激光接收器的安装对准问题。其实现过程是：首先确定光收发器的封装参数，其次根据其参数制作对准支架，然后将激光发射器和激光接收器粘接于对准支架...
柴常春孙斌陈鹏远杨银堂刘阳樊庆扬于新海史春蕾杨琦
文献传递
基于场板和LDD技术的AlGaN/GaN HEMT器件特性研究
与传统的Si、Ge和GaAs等材料相比，GaN材料因具有击穿电场高、电子迁移率大、导热性能良好和抗辐照等特点，成为近期功率半导体器件领域的研究热点之一。利用AlGaN/GaN异质结制作的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体...
陈鹏远
关键词：高电子迁移率晶体管耐压特性频率特性击穿电压
复合阶梯场板槽栅AlGaN/GaN HEMT高压器件结构及其制作方法
一种复合阶梯场板槽栅AlGaN/GaN？HEMT器件结构及其制作方法，包括从下至上依次复合的衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、本征AlGaN层和AlGaN掺杂层，在AlGaN掺杂层之上的两端分别设有源电极和...
柴常春陈鹏远杨琦杨银堂刘阳樊庆扬于新海史春蕾孙斌
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近距离自由空间光互连光收发器的对准方法
本发明公开了一种近距离自由空间光互连光收发器的安装对准方法，主要解决了激光发射器与激光接收器的安装对准问题。其实现过程是：首先确定光收发器的封装参数，其次根据其参数制作对准支架，然后将激光发射器和激光接收器粘接于对准支架...
柴常春孙斌陈鹏远杨银堂刘阳樊庆扬于新海史春蕾杨琦
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槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构及制作方法
一种复合栅浮空场板槽栅AlGaN/GaN？HEMT器件结构及其制作方法，包括从下至上依次复合的衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、本征AlGaN层和AlGaN掺杂层，在AlGaN掺杂层之上的两端分别设有源电极...
柴常春杨琦陈鹏远杨银堂刘阳樊庆扬于新海史春蕾孙斌
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