张赞
- 作品数:43 被引量:18H指数:2
- 供职机构:长安大学电子与控制工程学院更多>>
- 发文基金:西安市科技计划项目国家自然科学基金陕西省自然科学基金更多>>
- 相关领域:电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺文化科学更多>>
- 基于机器视觉的螺纹钢丝头检测方法被引量:2
- 2022年
- 针对目前常用的螺纹钢丝头人工检测方法效率低、精度差的问题,提出了一种基于视觉技术的螺纹钢丝头检测方法。首先对采集到的图像进行预处理获取角点,接着采用基于Sigmoid亚像素细分算法对螺纹钢丝头的边缘像素进行细分,提高角点检测精度。针对传统的鲸鱼算法(WOA)在中经测量中容易陷入局部最优等缺陷问题,提出了一种基于自适应权重非线性收敛的鲸鱼算法,对螺纹钢丝头进行参数检测。试验和测试结果表明,该方法的精度满足国标GB-T 197-2018的要求,与传统的检测方法相比提高了效率和准确度。
- 肖剑杨钧宇徐紫琪张凯张赞
- 关键词:机器视觉角点检测尺寸测量
- 铜钼叠层基板的热学特性仿真研究被引量:1
- 2016年
- 采用有限元方法,仿真研究了不同层数和材料厚度比的铜钼叠层基板对芯片散热特性的影响。结果表明,2层和3层的铜钼叠层材料均可以有效综合Cu高热导率和Mo低膨胀系数的优点。在相同铜钼总厚度比的情况下,相比于2层材料,3层材料可以实现更好的散热特性。对于1mm的基板厚度,铜钼铜厚度比为0.2∶0.6∶0.2时可以同时实现较低的温度和热应力。通过调整基板结构参数,可以显著改变芯片的最高温度和最大热应力,满足不同封装领域的需求。
- 张林乔泽宇李佳李演明谷文萍胡笑钏张赞
- 关键词:基板热分析
- 采用α放射源的碳化硅PIN埋层结构同位素电池及其制造方法
- 本发明公开了一种采用α放射源的碳化硅PIN埋层结构同位素电池及其制造方法,目的在于:提高能量转换效率和封装密度,提高集成度和实用性,本发明的电池所采用的技术方案为:包括自下而上依次设置的SiC衬底、第一N型SiC外延层、...
- 张林谷文萍胡笑钏张赞
- 一种多环路复合型开关式电池充电转换器电路
- 本发明公开了一种多环路复合型开关式电池充电转换器电路,包括多环路反馈复合型误差放大单元、恒压充电单元、电压低钳位单元和恒流充电单元,本发明的多环路反馈复合型误差放大单元合并了恒流充电、恒压充电和输入电压低钳位三个控制环路...
- 李演明刘雨鑫张赞胡笑钏柴红张豪
- 文献传递
- 采用α放射源的碳化硅PIN型同位素电池及其制造方法
- 本发明公开了一种采用α放射源的碳化硅PIN型同位素电池及其制造方法,目的在于:提高能量转换效率和封装密度,有利于集成,实用性强,设计新颖合理,方便实现,本发明的电池所采用的技术方案为:包括由SiC基片构成的衬底和设置在所...
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- N沟肖特基栅碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法
- 本发明公开了一种N沟肖特基栅碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法,目的在于,降低器件开态电阻、提升功率特性,结构所采用的技术方案为:包括自下而上依次设置的P型欧姆接触电极、P型SiC衬底、N型SiC缓冲层、N型SiC漂移层和...
- 张林张赞高恬溪朱玮
- 文献传递
- P沟肖特基栅碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法
- 本发明公开了一种P沟肖特基栅碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法,目的在于,降低器件开态电阻、提升功率特性,结构所采用的技术方案为:包括自下而上依次设置的N型欧姆接触电极、N型SiC衬底、P型SiC缓冲层、P型SiC漂移层和...
- 张林张赞朱玮高恬溪
- 文献传递
- 一种金属二次电子发射系数计算方法
- 本发明公开了一种金属二次电子发射系数计算方法,考虑入射电子在材料中散射并激发内二次电子,内二次电子向表面运动,并发生级联散射,表面处的内二次电子越过表面势垒形成二次电子发射,建立依次考虑上述过程涉及的物理机制的金属二次电...
- 胡笑钏张瑞谷文萍张赞徐小波
- 文献传递
- 一种脉冲宽度调制电流模式开关电源二次斜波补偿电路
- 本发明公开了一种脉冲宽度调制电流模式开关电源二次斜波补偿电路,包括:谐波产生电路,用于通过参考电压产生谐波信号Vramp和时钟信号CLK,以及:二次斜波补偿电路,用于根据所述的谐波信号Vramp和时钟信号CLK产生输入电...
- 张春红高恬溪肖剑张赞胡笑钏朱玮徐小波
- 文献传递
- 一种基于波导光栅耦合器的光偏振态检测芯片
- 本发明公开了一种基于波导光栅耦合器的光偏振态检测芯片,包括具有光栅区域以及四个输出端口的波导光栅耦合器,波导光栅耦合器的四个输出端口划分为相互垂直的两组,两组输出端口分别通过第一单模波导连接同一个多模干涉耦合器,并分别通...
- 张赞高恬溪胡笑钏徐小波张林