您的位置： 专家智库 > >

刘力

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：华南师范大学更多>>
相关领域：电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

领域

  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇电池
  • 4篇制法
  • 4篇太阳能
  • 4篇太阳能电池
  • 2篇电极
  • 2篇载流子
  • 2篇载流子输运
  • 2篇量子阱结构
  • 2篇金字
  • 2篇金字塔
  • 2篇晶格
  • 2篇晶格失配
  • 2篇刻蚀
  • 2篇干法刻蚀
  • 2篇PN结
  • 2篇INGAN/...
  • 2篇垂直电极

机构

  • 4篇华南师范大学

作者

  • 4篇尹以安
  • 4篇章勇
  • 4篇刘力

年份

  • 2篇2017
  • 2篇2016
共 4 条 记 录，以下是 1-4
全选 清除 导出
排序方式：
基于自支撑GaN衬底的高In组分InGaN/GaN量子阱结构太阳能电池及其制法
本发明提供了基于自支撑GaN衬底的高In组分InGaN/GaN量子阱结构太阳能电池及其制法，太阳能电池由自支撑GaN衬底、GaN缓冲层、n型掺杂GaN层、高In组分的InGaN/GaN量子阱层、p型掺杂GaN层和P型电极...
尹以安刘力章勇张琪伦
文献传递
基于自支撑GaN衬底的高In组分InGaN/GaN量子阱结构太阳能电池及其制法
本发明提供了基于自支撑GaN衬底的高In组分InGaN/GaN量子阱结构太阳能电池及其制法，太阳能电池由自支撑GaN衬底、GaN缓冲层、n型掺杂GaN层、高In组分的InGaN/GaN量子阱层、p型掺杂GaN层和P型电极...
尹以安刘力章勇张琪伦
文献传递
微纳金字塔硅/InGaN杂合pn结太阳能电池及其制法
本发明提供了微纳金字塔硅/InGaN杂合pn结太阳能电池及其制法。所述太阳能电池由P电极、p‑Si、n‑InGaN、N电极依次层叠构成，采用垂直电极电导结构，其中的异质结结构采用p‑Si/n‑InGaN杂合pn结，在p‑...
尹以安刘力章勇张琪伦
文献传递
微纳金字塔硅/InGaN杂合pn结太阳能电池及其制法
本发明提供了微纳金字塔硅/InGaN杂合pn结太阳能电池及其制法。所述太阳能电池由P电极、p-Si、n-InGaN、N电极依次层叠构成，采用垂直电极电导结构，其中的异质结结构采用p-Si/n-InGaN杂合pn结，在p-...
尹以安刘力章勇张琪伦
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0