彭明栋
- 作品数：6 被引量：11H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：全球变化研究国家重大科学研究计划更多>>
- 相关领域：化学工程理学一般工业技术更多>>
- 一种石墨烯包覆的ZnO光催化剂及其制备方法
- 本发明涉及一种石墨烯包覆的ZnO光催化剂及其制备方法，使所述ZnO表面带有正电性，再与氧化石墨烯上带有负电性的含氧官能团进行复合，得到氧化石墨烯包覆ZnO光催化剂。本发明制备的石墨烯包覆的ZnO复合物光催化剂，由于使用的...
- 章俞之宋力昕张云龙王勇彭明栋吴岭南
- 文献传递
- 一种金属元素Mg掺杂的VO<Sub>2</Sub>薄膜及其制备方法
- 本发明涉及一种金属元素Mg掺杂的VO<Sub>2</Sub>薄膜及其制备方法，所述金属元素Mg掺杂的VO<Sub>2</Sub>薄膜具有无规律分布的纳米气孔且主相为单斜相，晶面取向为（011）晶面，晶粒尺寸为90 nm～...
- 王盼盼章俞之张云龙彭明栋吴岭南宋力昕
- 文献传递
- 钛掺杂三氧化钨薄膜结构与电致变色性能研究被引量：10
- 2017年
- 通过射频溅射法,常温下制备了纯相WO_3和Ti掺杂WO_3薄膜,采用XRD、SEM、Raman、电化学工作站、紫外–可见–近红外分光光度计等对薄膜的微观结构、循环稳定性、光学性能进行了表征和分析。研究发现:钛掺杂对WO_3薄膜的表面形貌和光学常数影响不明显,但使薄膜的晶化温度升高。电化学测试结果表明,Ti掺杂可以提高离子在薄膜中注入/抽出的可逆性,提高薄膜的循环稳定性,同时薄膜的响应速度和光学调制性能也得到提高,掺杂后薄膜着色态和漂白态的响应时间分别由9.8、3.5 s减小为8.4、2.7 s,因此Ti掺杂WO_3薄膜具有更好的电致变色性能。
- 彭明栋章俞之宋力昕尹小富王盼盼吴岭南胡行方
- 关键词：电致变色
- 一种金属元素Mg掺杂的VO<sub>2</sub>薄膜及其制备方法
- 本发明涉及一种金属元素Mg掺杂的VO<Sub>2</Sub>薄膜及其制备方法，所述金属元素Mg掺杂的VO<Sub>2</Sub>薄膜具有无规律分布的纳米气孔且主相为单斜相，晶面取向为（011）晶面，晶粒尺寸为90 nm～...
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- 一种石墨烯包覆的ZnO光催化剂及其制备方法
- 本发明涉及一种石墨烯包覆的ZnO光催化剂及其制备方法，使所述ZnO表面带有正电性，再与氧化石墨烯上带有负电性的含氧官能团进行复合，得到氧化石墨烯包覆ZnO光催化剂。本发明制备的石墨烯包覆的ZnO复合物光催化剂，由于使用的...
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- 文献传递
- VO2薄膜Vis-NIR及NIR-MIR椭圆偏振光谱分析被引量：1
- 2016年
- 采用射频磁控溅射在石英玻璃基底上反应溅射制备单斜相(M相)VO_2薄膜.利用V-VASE和IR-VASE椭圆偏振仪及变温附件分别在0.5—3.5 eV(350—2500 nm)和0.083—0.87 eV(1400—15000 nm)入射光能量范围内对相变前后的VO_2薄膜进行光谱测试,运用逐点拟合的方式,并通过薄膜的吸收峰的特征,在0.5—3.5 eV范围内添加3个Lorentz谐振子色散模型和0.083—0.87 eV范围内添加4个Gaussion振子模型对低温态半导体态的薄膜椭偏参数进行拟合,再对高温金属态的薄膜添加7个Lorentz谐振子色散模型对进行椭偏参数的拟合,得到了较为理想的拟合结果.结果发现:半导体态的VO_2薄膜的折射率在近红外-中红外基本保持在最大值3.27不变,且消光系数k在此波段接近于零,这是由于半导体态薄膜在可见光-近红外光范围内的吸收主要是自由载流子吸收,而半导体态薄膜的d//轨道内的电子态密度较小.高温金属态的VO_2薄膜的折射率n在近红外-中红外波段具有明显的增大趋势,且在入射光能量为0.45 eV时大于半导体态的折射率;消光系数k在近红外波段迅速增大,原因是在0.5—1.62 eV范围内,能带内的自由载流子浓度增加及电子在V_(3d)能带内发生带内的跃迁吸收,使k值迅速增加;当能量小于0.5 eV时k值变化平缓,是由于薄膜内自由载流子浓度和电子跃迁率趋于稳定所致.
- 王盼盼章俞之彭明栋张云龙吴岭南曹韫真宋力昕
- 关键词：氧化钒薄膜椭圆偏振光谱光学常数
