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冯勇进

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：四川大学更多>>
相关领域：金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

领域

  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 3篇涂层
  • 3篇SUB
  • 2篇溅射
  • 2篇溅射法
  • 2篇溅射法制备
  • 2篇反应磁控溅射
  • 2篇反应溅射
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇电解抛光
  • 1篇抛光
  • 1篇马氏体
  • 1篇马氏体钢
  • 1篇浸渍提拉法
  • 1篇机械抛光
  • 1篇高真空
  • 1篇LT

机构

  • 3篇四川大学

作者

  • 3篇王龙
  • 3篇刘宁
  • 3篇杨远友
  • 3篇杨吉军
  • 3篇廖家莉
  • 3篇冯勇进
  • 3篇冯开明

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2015
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
气体脉冲反应溅射法制备Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>阻氚涂层的方法
本发明公开一种气体脉冲反应溅射法制备Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>阻氚涂层的工艺，该工艺包括基片预处理、偏压反溅清洗、采用高真空反应磁控溅射设备在CLF‑1基材表面沉积Al<Sub>2</Sub>...
王龙杨吉军冯勇进廖家莉杨远友冯开明刘宁
MOD法制备Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>阻氚涂层的方法
本发明属于材料领域，涉及一种在CLF-1低活性铁素体马氏体钢基体上制备Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>涂层的方法，(1)对CLF-1低活性铁素体马氏体钢(RAFM)按照机械打磨，机械抛光，电解抛光，...
王龙杨吉军冯勇进廖家莉杨远友刘宁冯开明
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气体脉冲反应溅射法制备Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>阻氚涂层的方法
本发明公开一种气体脉冲反应溅射法制备Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>阻氚涂层的工艺，该工艺包括基片预处理、偏压反溅清洗、采用高真空反应磁控溅射设备在CLF‑1基材表面沉积Al<Sub>2</Sub>...
杨吉军王龙冯勇进廖家莉杨远友冯开明刘宁
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